【課題】エッチレイヤに特徴を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１のマスクが前記エッチレイヤ上に形成され、前記第１のマスクは、幅を有する複数のスペースを定義する。第１のマスクは縦方向にエッチングされ、エッチングされた第１のマスクは、前記第１のマスクの前記スペースの前記幅より大きい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチングされた第１のマスク上に側壁レイヤが形成され、前記側壁レイヤは、前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチレイヤ中に前記側壁レイヤを通して特徴がエッチングされ、前記特徴は前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する。前記マスク及び前記側壁レイヤは取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】 浅いソース，ドレイン接合位置を保ちつつ接合リークを低く抑えることができ
、且つコンタクト抵抗も低く保つ。
【解決手段】
ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴにおいて、絶縁膜１０２の上に形成され、チャネル領域を除いて
除去された第１のシリコン層１０３と、シリコン層１０３上にゲート絶縁膜２００を介し
て形成されたゲート電極３００と、シリコン層１０３のチャネル長方向の両側の絶縁膜１
０２に設けられた溝の底面及び側面に形成され、側面の一部でシリコン層１０３に接する
ように形成された第２のシリコン層６００と、第２のシリコン層６００からなるソース，
ドレイン領域６０１，６０２上に形成されたシリサイド層６３１，６３２と、シリコン層
１０３と接するシリコン層６００の側面部に位置するシリサイド層６３１，６３２に形成
された、ＡｓとＯを１０^１９ｃｍ^−３以上の濃度で含む拡散抑制領域とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 長期間の保存安定性に優れ、しかも良質なルテニウム膜を得ることができる化学的気相材料及びその化学的気相材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法の提供。
【解決手段】 下記式（１）
ＲｕＬ_２Ｙ （１）
ここで、Ｌは下記式（２）
【化１】


で表される基であり、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜１０の炭化水素基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、そしてＹは１，５−シクロオクタジエン、１，３−シクロオクタジエン、１，４−シクロヘキサジエン、１，３−シクロヘキサジエン、シクロペンタジエニル、１，３−ブタジエンまたは２，３−ジメチル−１，３−ブタジエンである化合物からなる化学気相成長材料。 （もっと読む）

【課題】 メタルゲート電極を用い、かつ、信頼性が高く量産化が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された複数のＭＯＳＦＥＴを備え、前記複数のＭＯＳＦＥＴのうちの少なくとも１つとしての特定のＭＯＳＦＥＴにおけるゲート電極は、最下層の第１の金属層と、この第１の金属層の上層としてのプラチナシリサイドあるいはパラジウムシリサイドのいずれかの層と、を有するものとして構成される。 （もっと読む）

【課題】 活性層のバンドギャップエネルギがＡｌＮ組成比２０％のＡｌＧａＮと同等以上となる短波長発光可能なＰＩＮ接合構造のＧａＮ系窒化物半導体多層膜を備えた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系窒化物半導体からなるｐ型クラッド層２１と活性層２３と活性層２３より高バンドギャップエネルギのｎ型クラッド層２５を含むＰＩＮ型接合構造のＧａＮ系窒化物半導体多層膜２０を備え、活性層２３が、ＡｌＮ組成比２０％以上のｉ型ＡｌＧａＮまたは同等のバンドギャップエネルギを有するｉ型ＡｌＧａＩｎＮまたはｉ型の超格子構造多層膜であり、ｎ型クラッド層２５の活性層２３とは反対側の全面または一部に、ＡｌＮ組成比２０％以下のｎ型ＡｌＧａＮまたは同等のバンドギャップエネルギを有するｎ型ＡｌＧａＩｎＮからなる膜厚５０ｎｍ以下のｎ型コンタクト層２６を備えてなり、発光した光がｎ型クラッド層２５側から出射する。 （もっと読む）

【課題】２以上のゲートパターン間に形成されるコンタクトホールのオープンマージン及びギャップフィルマージンを確保するのに適した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、２個以上のゲートパターンを形成するステップと、該基板上にゲートスペーサ用の第１の絶縁膜を形成するステップと、該第１の絶縁膜上に前記ゲートパターンが埋め込まれるように第２の絶縁膜を形成するステップと、前記第２の絶縁膜を選択的に除去して、前記第１の絶縁膜を露出させるコンタクトホールを形成するステップと、該コンタクトホールにより露出した前記第１の絶縁膜上にゲートスペーサ用の第３の絶縁膜を形成するステップと、前記基板が露出するようにするために、前記コンタクトホールの底に形成された前記第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜を選択的に除去するステップとを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及びＮＨ_３ガスを同時に導入して基板上で反応させて、Ｔａ−ＮＮ_３を有する還元化合物を生成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】 従来のパッド電極で覆われる部分を発光させなくし、光の取出し効率の向上を図った半導体発光素子においては、パッド電極に線状電極を構成する材料が混入しやすく、Ａｕワイヤーの接合力不足などにより破損を生じやすいなどの問題を生じていた。
【解決手段】 素子１の最表面半導体層１ａの表面に、パッド電極３を有し、最表面半導体層とパッド電極との間ではショットキー接合が行われ、パッド電極が占める以外の表面を網状に覆う線状電極２と最表面半導体層の間ではオーミック接合が行われ、パット電極と線状電極が一部で接触しオーミック接合が行われている半導体発光素子であり、線状電極とパッド電極との接触部において、線状電極の層構造の上部及び側面の一部或いは全部をパッド電極の層構造中のバリアメタル層３ｂが覆っている半導体発光素子とすることでパッド電極に線状電極の部材が混入しないようにして課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、絶縁膜として酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を用いる場合にも、少ない工程で簡易にコンタクトホールを形成することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、第一の導電膜（１６）上に、所定の処理によって絶縁膜に変換され、且つ所定の液体に溶解または分散可能である、絶縁膜の前駆体膜（１８）を形成する第一工程と、前記絶縁膜の前駆体膜のコンタクトホールを形成すべき位置に、上記所定の溶液を供給し、前記絶縁膜の前駆体膜にコンタクトホール（２０）を形成する第二工程と、絶縁膜の前駆体膜を絶縁膜（１８’）に変換する第三工程と、を含む半導体素子の製造方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 微細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させて膜パターンＦを形成する工程とを有する。バンクＢの形成材料は、ポリシラザンを主成分とする感光性のバンク形成材料を焼結した無機質の材料からなる。 （もっと読む）