【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗシリサイド，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＷシリサイドから成るコンタクトバリアー層又はゲート電極層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１６個／ｃｍ^３以下、Ｗ以外の重金属元素の含有量が１×１０^１７個／ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が３×１０^１６個／ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｗシリサイド材である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の配線若しくはバンプ、又は、磁気ヘッド基板の磁極部等の金属膜パターンを所望のパターンどおりに得ることができる金属膜パターンの形成方法をを提供する。
【解決手段】 基板上に所定のパターンでレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、この基板の少なくともレジストパターンが形成されている面を、水に対しオゾンが１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下含有されたオゾン水に接触させるオゾン水処理工程と、この基板のレジストが形成された面側に金属をめっきするめっき工程と、この基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程とを有する金属膜パターンの形成方法により、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】 フィールドプレート電極を有する高周波特性の良好な半導体装置を提供するとともに、その製造時における歩留まりを向上させた製造方法を得る。
【解決手段】 ゲート電極１６とドレイン電極１３との間の表面保護膜１５上に、ゲート電極１６から所定の距離Ｌｇｆをおいてフィールドプレート電極１７が設け、耐圧特性を向上させるとともに、これら２つの電極間を橋状の配線１８により接続し、内部での帰還容量となる動作層１２との間の不要な容量等を増加を抑える。また、ゲート電極１６とフィールドプレート電極１７とを、これら電極間を接続する配線１８も含めて同一工程において一体に形成し、ゲート電極１６とフィールドプレート電極１７との距離Ｌｇｆを良好な精度に維持する。さらに、配線１８に開口部１９を設け、この配線１８を容易に橋状に形成可能とする。 （もっと読む）

【課題】 下電極内の層間剥離を防止した圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置を提供する。
【解決手段】 基板上に少なくともイリジウムからなる第１のイリジウム層と、該第１のイリジウム層上にＸ線回折広角法による（１１１）面の半価幅が０．５度以上の白金からなる白金層と、該白金層上にイリジウムからなる第２のイリジウム層とを順次積層して下電極を形成する工程と、前記下電極上に圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に前記上電極を形成する工程とにより圧電素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】物性変換層を利用したトランジスタ並びに、その動作及び製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜４２と、絶縁膜４２上に離隔された第１導電層パターン４４ａ及び第２導電層パターン４４ｂと、第１導電層パターン４４ａと第２導電層パターン４４ｂとの間の絶縁膜４２上に形成された物性変換層４６と、物性変換層４６上に積層された高誘電膜４８と、高誘電膜４８上に形成されたゲート電極５０と、を備えることを特徴とするトランジスタである。 （もっと読む）

【課題】 インダクタが形成されたＲＦ回路とデジタル回路とを同一チップ上に搭載できるようにする。【解決手段】 シリコン基板１上の素子分離膜２によって分離された領域内にＭＯＳＦＥＴ３が形成されている。ＲＦ回路領域１００には、第１の層間絶縁膜４を貫いてシリコン基板内部に到達する、低誘電率絶縁物が埋設された低誘電率絶縁体ロッド８が複数配置されている。ＲＦ回路領域１００上の層間絶縁膜内には多層配線を利用したインダクタ４０が形成されている。インダクタの磁心及びその周囲には、高透磁率材料と低誘電率材料とが混合された複合材料が埋め込まれた高透磁率分離領域１９が形成されている。
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【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及びハロゲンガスを導入してＴａＮ_ｘ(Ｈａｌ)_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚ化合物膜(Ｈａｌは、ハロゲン原子を表す)を形成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してハロゲン化生成物と反応させてタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に埋め込まれた導電プラグ上にキャパシタを形成する場合、その導電プラグ上にＰＺＴなどを成膜する際の成膜温度を抑える必要性がなく、且つ、ＰＺＴの製造時に生じる酸素の下部電極への内向拡散を抑制することを可能にしようとする。
【解決手段】 層間絶縁膜１に埋め込まれた導電性プラグ２の頂面を含む領域にＳｉＯ₂ 、ＳｉＮ、Ａｌ₂ Ｏ₃ から選択されたアモルファスの第１層３Ａ、第１層３Ａ上に形成されたＴｉＡｌＮ或いはＴｉ／ＴｉＡｌＮからなる第２層３Ｂ、Ｉｒ或いはＩｒＯ₂ からなる第３層３Ｃで構成された下部電極３と、下部電極３上に順に形成された誘電体層４及び上部電極５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 動作（駆動）中の半導体デバイスの動作状況を測定して、上記半導体デバイスをより正確に価できる評価用半導体デバイス、評価用半導体デバイスの作製方法、半導体デバイスの評価方法を実現する。
【解決手段】 半導体基板２上に設けられた任意の半導体デバイスの、ドレイン、ソース、ゲートの各電極３ａ、４ａ、５と、各電極３ａ、４ａ、５間に形成されたキャリアの分布状態が制御されるアクティブ領域２ａとを設ける。各電極３ａ、４ａ、５上を覆う絶縁膜７を設ける。観察すべきアクティブ領域２ａを露出させた露出面１ａを形成する。各電極３ａ、４ａ、５を外部と接続させるために、絶縁膜７中に配線部３ｂ、４ｂ、５ａをそれぞれ設ける。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な銅配線層の形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）