【課題】 基板の汚染を防止して優れた膜質の成膜を行うことができると共に複数の基板の膜質を均一化することができ、且つコストを低減した成膜処理方法を提供する。
【解決手段】 内部が真空状態の搬送室によって繋がれた基板の成膜処理を行うチャンバー間で前記基板を前記搬送室内を通過させて搬送する際に、一方のチャンバーで成膜処理が終わった当該基板を前記搬送室内で待機させることなく前記搬送室を可及的速やかに通過させて他方のチャンバーに搬送する。 （もっと読む）

【課題】 印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機半導体膜４と、ソース電極５と、ドレイン電極６とを備える。ゲート電極２は、有機半導体膜４の膜厚方向に電界を生じさせる電界をゲート絶縁膜３を介して印加する。有機半導体膜４は、ソース電極５とドレイン電極６との間に形成される。そして、有機薄膜トランジスタ１０において、ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６は、銀粒子に対して銀ナノ粒子を５ｗｔ％の比率で混合し、スクリーン印刷により形成される。 （もっと読む）

【課題】 ＭＩＳトランジスタのゲート電極として金属材料を用い、且つ必要とするデバイスに応じた仕事関数を簡易に実現する。
【解決手段】 半導体基板上にｐ型ＭＩＳトランジスタが形成された半導体装置であって、ＭＩＳトランジスタのゲート電極は、Ｔａ，Ｖ，Ｎｂの何れかとＧｅを含有している。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を有する電界効果トランジスタにおいて、ヘテロ界面における寄生抵抗の増大を抑制し、それによって高周波特性等のトランジスタ特性を向上させる。
【解決手段】アンドープＧａＮバッファー層２の上に、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３及びｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４が順に形成されている。ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４の上には、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４と接し且つソース電極及びドレイン電極となるＴｉ／Ａｌオーミック電極５が形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３とｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４との界面において、それぞれの伝導帯の下端が実質的に連続する。 （もっと読む）

【課題】 電極用のシャドウマスクの位置合わせが容易な構造からなる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機半導体膜４と、ソース電極５と、ドレイン電極６とを備える。基板１は、その表面が凹凸化されており、平面１Ａ，１Ｂを有する。平面１Ａ，１Ｂは、基板１の法線方向において相互に異なる位置に配置される。ゲート電極２は、基板１の裏面に形成される。ゲート絶縁膜３は、基板１の平面１Ａ，１Ｂ上に形成される。ソース電極５は、ゲート絶縁膜３を介して基板１の平面１Ａ上に形成される。ドレイン電極６は、ゲート絶縁膜３を介して基板１の平面１Ｂ上に形成される。そして、ソース電極５およびドレイン電極６は、相互に異なる材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置を作製する場合、ポリシリコンもしくはシリサイドを用いたゲート電極で発生する空乏化やフェルミレベルピンニングを抑止する為、メタルゲート電極を用い、しかも、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴの各メタルゲート電極を簡単な工程で、且つ、容易に作り分けることを可能にする。
【解決手段】 ゲート絶縁膜１４上にＨｆ膜１５を形成する工程と、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ部分のＨｆ膜１５のみに窒素を導入し窒素含有Ｈｆ膜１５Ｎとしてからｐ型ＭＯＳＦＥＴ部分を含めてＰｔ膜１７を形成する工程と、熱処理することでｐ型ＭＯＳＦＥＴ部分のＨｆ膜１５とＰｔ膜１７とを合金化する工程とが含まれる。 （もっと読む）

【課題】微細化・高速化可能な半導体装置に必要なシリサイド層を形成する際に、所望の組成を持つＮｉ合金シリサイドを簡単に形成すると共に当該シリサイドの耐熱性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１００上にゲート電極１０３を形成した後、シリコン基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース・ドレイン領域となる不純物拡散層１０９を形成し、その後、不純物拡散層１０９上に合金化シリサイド層１１１を形成する。合金化シリサイド層１１１は、Ｈｆ／Ｎｉ／Ｈｆ積層膜１１０を形成した後に熱処理を行うことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】自己整合コンタクトを有する半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極（図に平行、図示なし）が形成された半導体基板１上に第１絶縁膜２３を形成した後、半導体基板１の活性領域２１を露出させる第１開口部（図に平行、図示なし）及び第２開口部２５ｂ’をそれぞれ少なくとも一つ以上形成し、各開口部を導電性物質で埋立てて第１パッド層図なし及び第２パッド層２５ｂ’を形成する。第１絶縁膜２３上に第１層間絶縁膜２７を形成した後、第１パッド層の表面を露出させる第３開口部（図示なし）を形成し、これを埋立てながら、ゲート電極と直交する方向に複数本のビットライン２９を形成してその両側壁のみに絶縁性スペーサ３３を形成する。第２層間絶縁膜３５を形成した後、ビットライン２９と絶縁性スペーサ３３に自己整合させて、第２パッド層２５ｂ’の表面を露出させるまでの第４開口部３７を形成して、これを導電性物質で埋立て、その上にストレージ電極３９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 動作特性の温度依存性が小さく、窒化物系半導体デバイスの高温動作が可能であるという特徴を生かすことのできる窒化物系半導体デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一組の窒化物系半導体層のヘテロ接合５と少なくとも２つの電極Ｅからなり、前記一組の半導体層を構成する一の半導体層中に発生する２次元電子ガス層６を走行するキャリアが前記２つの電極の間を流れる電流となる窒化物系半導体デバイスにおいて、前記電極のコンタクト抵抗の温度依存性が負であることを特徴とする窒化物系半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ材料を用いる場合に生じる問題を回避するとともに、下層側の配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層側配線の断線不良の発生を抑制することができる配線構造を備えた液晶表示装置用基板及びその製造方法の提供。
【解決手段】下層配線（ゲート配線２）を、Ｃｕ層４の周囲をバリア金属膜３ａ、３ｂで被覆した構造とし、バリア金属膜３ａ、３ｂでＣｕとＳｉとの接触を防止し、耐薬品性、耐腐食性及び密着性を向上させる。また、予め透明絶縁基板１に溝１２を形成し、その中に上記構造の下層配線を埋設することにより、下層配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層配線の断線不良の発生を抑制する。これによりＡｌよりも抵抗の小さいＣｕを使用可能とし、下層配線を厚く形成できるため、大型、高密度かつ開口率の大きい液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。 （もっと読む）