【課題】 半導体装置において、熱処理によってもゲート電極が安定して所望の仕事関数を維持できるようにする。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板６と、この半導体基板６の上側に接して形成されたゲート絶縁膜１と、このゲート絶縁膜１の上側に金属窒化物または金属窒化珪化物で形成されたゲート電極２とを備え、ゲート絶縁膜１とゲート電極２との間には窒素および珪素の拡散を防止するためのバッファ層３が介在する。好ましくは、バッファ層３は厚みが５ｎｍ以下である。ゲート電極２がＴｉ元素を含み、ゲート絶縁膜１がＨｆ元素を含むとするとバッファ層３はチタン膜を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】微細化・高速化可能な半導体装置に必要なシリサイド層を形成する際に、所望の組成を持つＮｉ合金シリサイドを簡単に形成すると共に当該シリサイドの耐熱性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１００上にゲート電極１０３を形成した後、シリコン基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース・ドレイン領域となる不純物拡散層１０９を形成し、その後、不純物拡散層１０９上に合金化シリサイド層１１１を形成する。合金化シリサイド層１１１は、Ｈｆ／Ｎｉ／Ｈｆ積層膜１１０を形成した後に熱処理を行うことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置を作製する場合、ポリシリコンもしくはシリサイドを用いたゲート電極で発生する空乏化やフェルミレベルピンニングを抑止する為、メタルゲート電極を用い、しかも、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴの各メタルゲート電極を簡単な工程で、且つ、容易に作り分けることを可能にする。
【解決手段】 ゲート絶縁膜１４上にＨｆ膜１５を形成する工程と、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ部分のＨｆ膜１５のみに窒素を導入し窒素含有Ｈｆ膜１５Ｎとしてからｐ型ＭＯＳＦＥＴ部分を含めてＰｔ膜１７を形成する工程と、熱処理することでｐ型ＭＯＳＦＥＴ部分のＨｆ膜１５とＰｔ膜１７とを合金化する工程とが含まれる。 （もっと読む）

【課題】 動作特性の温度依存性が小さく、窒化物系半導体デバイスの高温動作が可能であるという特徴を生かすことのできる窒化物系半導体デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一組の窒化物系半導体層のヘテロ接合５と少なくとも２つの電極Ｅからなり、前記一組の半導体層を構成する一の半導体層中に発生する２次元電子ガス層６を走行するキャリアが前記２つの電極の間を流れる電流となる窒化物系半導体デバイスにおいて、前記電極のコンタクト抵抗の温度依存性が負であることを特徴とする窒化物系半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】自己整合コンタクトを有する半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極（図に平行、図示なし）が形成された半導体基板１上に第１絶縁膜２３を形成した後、半導体基板１の活性領域２１を露出させる第１開口部（図に平行、図示なし）及び第２開口部２５ｂ’をそれぞれ少なくとも一つ以上形成し、各開口部を導電性物質で埋立てて第１パッド層図なし及び第２パッド層２５ｂ’を形成する。第１絶縁膜２３上に第１層間絶縁膜２７を形成した後、第１パッド層の表面を露出させる第３開口部（図示なし）を形成し、これを埋立てながら、ゲート電極と直交する方向に複数本のビットライン２９を形成してその両側壁のみに絶縁性スペーサ３３を形成する。第２層間絶縁膜３５を形成した後、ビットライン２９と絶縁性スペーサ３３に自己整合させて、第２パッド層２５ｂ’の表面を露出させるまでの第４開口部３７を形成して、これを導電性物質で埋立て、その上にストレージ電極３９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極を簡単な製造工程で結晶性の高い単結晶半導体で構成する。
【解決手段】 貼り合わせ用単結晶半導体基板４に剥離用元素５をイオン注入したのち、貼り合わせ用単結晶半導体基板４のイオン注入側が貼り合わせ面となるように絶縁膜３を形成した素子形成用単結晶半導体基板１に貼り合わせ、次いで、熱処理を行って貼り合わせ用単結晶半導体基板４を注入した元素の濃度ピーク位置近傍で剥離したのち、素子形成用単結晶半導体基板１側に残存した貼り合わせ用単結晶半導体基板４の残部６をゲート電極状にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ材料を用いる場合に生じる問題を回避するとともに、下層側の配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層側配線の断線不良の発生を抑制することができる配線構造を備えた液晶表示装置用基板及びその製造方法の提供。
【解決手段】下層配線（ゲート配線２）を、Ｃｕ層４の周囲をバリア金属膜３ａ、３ｂで被覆した構造とし、バリア金属膜３ａ、３ｂでＣｕとＳｉとの接触を防止し、耐薬品性、耐腐食性及び密着性を向上させる。また、予め透明絶縁基板１に溝１２を形成し、その中に上記構造の下層配線を埋設することにより、下層配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層配線の断線不良の発生を抑制する。これによりＡｌよりも抵抗の小さいＣｕを使用可能とし、下層配線を厚く形成できるため、大型、高密度かつ開口率の大きい液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を全て合金化（フルシリサイド化）させる一方で、ソース・ドレイン領域においては合金化反応を抑制することができ、接合リークの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にゲート絶縁膜２を介してゲート電極を形成した後、ゲート電極の側壁にサイドウォール絶縁膜４を形成する。ゲート電極およびサイドウォール絶縁膜４をマスクとしたイオン注入により、ソース・ドレイン領域６を形成する。その後、ゲート電極を被覆するように半導体基板１上に高融点金属膜８を堆積させ、アニール処理を行う。本発明では、アニール処理において、ゲート電極材料のバンドギャップよりも大きいエネルギーをもつ電磁波を照射する。これにより、フルシリサイド化したゲート電極３ａが形成され、ソース・ドレイン領域６中には浅いシリサイド層７ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌ等の低抵抗材料を高融点金属と積層した電極における抵抗上昇とオーバーハング形状のない薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層２を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層１と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層３とで挟んだ積層配線構造を使用し、下層配線層１と上層配線層３とで異なる金属又は合金を用いるか、あるいは、上層及び下層配線層１、３で同一の金属又は合金に窒素を含有させた材料を使用し、それらの窒素含有量が異なるようにする。 （もっと読む）

ルテニウム金属層（５６０）を形成する方法は、成膜システム（１、１００）の処理チャンバ（１０、１１０）内に、パターン化された基板（２５、１２５、５００）を提供するステップであって、前記パターン化された基板（２５、１２５、５００）は、１もしくは２以上のビア、溝またはこれらの組み合わせを有するステップと、原子層成膜処理法で、前記基板（２５、１２５、５００）上に、第１のルテニウム金属層（５４０）を成膜するステップと、熱化学気相成膜処理法で、前記第１のルテニウム金属層（５４０）の上部に、第２のルテニウム金属層（５５０）を成膜するステップと、を有する。成膜されたルテニウム金属層（５６０）は、めっきの拡散バリア層、シード層、またはその両方に使用される。
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