【課題】自己整合コンタクトを有する半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極（図に平行、図示なし）が形成された半導体基板１上に第１絶縁膜２３を形成した後、半導体基板１の活性領域２１を露出させる第１開口部（図に平行、図示なし）及び第２開口部２５ｂ’をそれぞれ少なくとも一つ以上形成し、各開口部を導電性物質で埋立てて第１パッド層図なし及び第２パッド層２５ｂ’を形成する。第１絶縁膜２３上に第１層間絶縁膜２７を形成した後、第１パッド層の表面を露出させる第３開口部（図示なし）を形成し、これを埋立てながら、ゲート電極と直交する方向に複数本のビットライン２９を形成してその両側壁のみに絶縁性スペーサ３３を形成する。第２層間絶縁膜３５を形成した後、ビットライン２９と絶縁性スペーサ３３に自己整合させて、第２パッド層２５ｂ’の表面を露出させるまでの第４開口部３７を形成して、これを導電性物質で埋立て、その上にストレージ電極３９を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ材料を用いる場合に生じる問題を回避するとともに、下層側の配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層側配線の断線不良の発生を抑制することができる配線構造を備えた液晶表示装置用基板及びその製造方法の提供。
【解決手段】下層配線（ゲート配線２）を、Ｃｕ層４の周囲をバリア金属膜３ａ、３ｂで被覆した構造とし、バリア金属膜３ａ、３ｂでＣｕとＳｉとの接触を防止し、耐薬品性、耐腐食性及び密着性を向上させる。また、予め透明絶縁基板１に溝１２を形成し、その中に上記構造の下層配線を埋設することにより、下層配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層配線の断線不良の発生を抑制する。これによりＡｌよりも抵抗の小さいＣｕを使用可能とし、下層配線を厚く形成できるため、大型、高密度かつ開口率の大きい液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極を簡単な製造工程で結晶性の高い単結晶半導体で構成する。
【解決手段】 貼り合わせ用単結晶半導体基板４に剥離用元素５をイオン注入したのち、貼り合わせ用単結晶半導体基板４のイオン注入側が貼り合わせ面となるように絶縁膜３を形成した素子形成用単結晶半導体基板１に貼り合わせ、次いで、熱処理を行って貼り合わせ用単結晶半導体基板４を注入した元素の濃度ピーク位置近傍で剥離したのち、素子形成用単結晶半導体基板１側に残存した貼り合わせ用単結晶半導体基板４の残部６をゲート電極状にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を全て合金化（フルシリサイド化）させる一方で、ソース・ドレイン領域においては合金化反応を抑制することができ、接合リークの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にゲート絶縁膜２を介してゲート電極を形成した後、ゲート電極の側壁にサイドウォール絶縁膜４を形成する。ゲート電極およびサイドウォール絶縁膜４をマスクとしたイオン注入により、ソース・ドレイン領域６を形成する。その後、ゲート電極を被覆するように半導体基板１上に高融点金属膜８を堆積させ、アニール処理を行う。本発明では、アニール処理において、ゲート電極材料のバンドギャップよりも大きいエネルギーをもつ電磁波を照射する。これにより、フルシリサイド化したゲート電極３ａが形成され、ソース・ドレイン領域６中には浅いシリサイド層７ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌ等の低抵抗材料を高融点金属と積層した電極における抵抗上昇とオーバーハング形状のない薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層２を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層１と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層３とで挟んだ積層配線構造を使用し、下層配線層１と上層配線層３とで異なる金属又は合金を用いるか、あるいは、上層及び下層配線層１、３で同一の金属又は合金に窒素を含有させた材料を使用し、それらの窒素含有量が異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】均一な粒子径および高い銀濃度を有し、分散安定性に優れ導電回路形成に利用可能であり、かつ良好な塗膜物性が得られる金属微粒子分散体の製造方法の提供、流動性および安定性に優れ、低温かつ短時間の乾燥（硬化）条件で、優れた導電性と塗膜性能を持った導電回路を形成できる導電性インキの提供、および薄膜で高い導電性を発現する導体回路を具備する非接触型メディアの提供。
【解決手段】還元剤を含む非水性溶媒中に、金属化合物を添加して金属化合物を還元する金属微粒子分散体の製造方法、該方法で製造される金属微粒子分散体および金属粉を含む導電性インキ、および該導電性インキを用いて形成された導電回路と、該導体回路に導通された状態で実装されたＩＣチップとを具備する非接触型メディア。 （もっと読む）

【課題】 被処理基体を加工する際に、マスク形状に起因する被処理基体の形状異常の発生を防止でき、被処理基体の形状異常によるデバイスの歩留まり低下を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被処理基体（１１ｓ，１２）上に第１レジスト膜１３、第１絶縁膜１４、第２レジスト膜１５、第１絶縁膜１４よりも厚い第２絶縁膜１６及び第３レジスト膜１７を順次積層する工程、第３レジスト膜１７の一部を選択的に除去する工程、露出した第２絶縁膜１６を加工する工程、露出した第２レジスト膜１５を加工するとともに第３レジスト膜１７を除去する工程、第２絶縁膜１６の高さ方向の一部を残しつつ露出した第１絶縁膜１４を加工する工程、及び露出した第１レジスト膜１３を加工する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、銅配線上の酸化銅を十分に除去しつつ、水分及びＣｕ拡散防止用の絶縁膜を低誘電率絶縁材料により形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化銅膜が形成された銅配線上に、銅に対して拡散バリア性を有するシリコン化合物と、酸化銅を還元する有機化合物とを含む絶縁膜形成用組成物を塗布する工程と、熱処理により、有機化合物によって酸化銅膜を還元して除去するとともに、シリコン化合物を硬化してシリコン化合物よりなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の製造に関するものである。
【解決手段】半導体素子の活性領域内における高いキャリア移動度を達成するために、ゲルマニウム原子を半導体基板の表面に打ち込み、半導体基板の内部にゲルマニウムを含む層を形成する。そして、上記ゲルマニウムを含む層の上部を含み、当該半導体基板の表面から上記ゲルマニウムを含む層の上部までを酸化し、打ち込まれたゲルマニウム原子を表面から上記半導体基板内に押し込む。これにより、酸化された上部を除くゲルマニウムを含む層の内部でゲルマニウム濃度が上昇し、ゲルマニウム濃度が高い層が半導体基板の内部に形成される。上記ゲルマニウム濃度が高い層内の少なくとも一部に、半導体素子の活性領域を配置することにより、上記半導体素子は製造される。 （もっと読む）

【課題】薄膜化された半導体層を貫通することなく、良好な形状のコンタクトホールを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層８の上に設けられた半導体層１０に絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０を形成すること、前記絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０を覆う層間絶縁層３０に、前記絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０のソース領域またはドレイン領域となる不純物領域２８と接続されるコンタクト層３８を形成すること、を含み、前記層間絶縁層３０はエッチング速度の異なる積層膜３２，３４で形成し、所定のパターンのマスク層５０を用いて第１エッチングを行い、前記不純物領域２８の表面が露出しないような凹部３６ａを形成した後、該不純物領域２８の表面が露出するまで等方性エッチングである第２エッチングを行うことでコンタクトホール３６を形成すること、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）