【課題】 半導体装置の製造に際し、より効率的な清浄化処理を行う方法を提供することである。
【解決手段】 絶縁性表面の一部に、金属からなる導電領域が露出した基板を、処理チャンバ内に搬入する。処理チャンバ内に、有機酸を、蒸気またはミストの状態で導入し、基板を清浄化する。有機酸の蒸気またはミストの導入を停止し、続いて成膜用の原料ガスを、処理チャンバ内に導入して、基板上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】口径が０．２５μｍ以下で、高アスペクト比の配線孔の埋め込みも可能で、かつ、効率が良く、更にはＥＭ寿命が長くて低抵抗な銅合金膜の形成技術を提供することである。
【解決手段】 ケミカルベーパーデポジションにより銅−錫合金膜を形成する為の材料であって、
銅の配位錯体と、
Ｒ¹ Ｒ² Ｒ³ Ｒ⁴ Ｓｎ（Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ はアルキル基またはアリール基であって、同一でも、異なるものでも良い）、Ｒ_n ＳｎＸ_4-n （Ｒはアルキル基またはアリール基、ＸはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ又はＩ、ｎは０〜３の整数）、及びテトラキスジメチル（又はジエチル）アミノ錫の群の中から選ばれる少なくとも一つの錫化合物
とからなる。 （もっと読む）

【課題】 接合特性、抵抗、コンタクト特性のばらつきを低減・防止する。
【解決手段】 図１に示す半導体装置１は、シリコンで構成されたシリコン基板２、シリコン基板２上に形成されたｐ型ウェル領域３、ｐ型ウェル領域３上に形成されたｎ⁺型ソース領域４、ｎ⁺型ドレイン領域５、ｐ型ウェル領域３上のｎ⁺型ソース領域４とｎ⁺型ドレイン領域５とに対向して設けられたゲート電極６、ゲート電極６をｎ⁺型ソース領域４とｎ⁺型ドレイン領域５との接触から絶縁するゲート絶縁膜７およびゲート電極６の側部に設けられたサイドウォール８を有している。ゲート電極６は、ＣＭＰ法によりポリシリコンが露出しない位置まで、ポリシリコン上に形成されたマスク層の一部を除去し、その後、マスク層を除去してポリシリコン層を露出し、ポリシリコン層をシリサイド化して形成したシリサイドで構成されている。 （もっと読む）

半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を堆積させる方法が提供される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、単一基板化学気相堆積チャンバ内で堆積される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、半導体デバイスにおいて電極層として用いることができる。一態様において、二ステップ堆積プロセスは、粗さが減少したナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を形成するために提供される。 （もっと読む）

【課題】良好な電極能を有しつつ低コストで、且つ圧電体に対する充分な吸着性を有する圧電素子、及びそれを備える液滴吐出ヘッドを提供することを目的とする。
【解決手段】共通電極４６（下部電極）、圧電体４８、及び信号電極５０（上部電極）がこの順で積層して構成された圧電素子３４において、共通電極４６及び／又は信号電極５０の構成層の少なくとも１層として、Ｔａ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｚｒ，及びＨｆの金属、前記金属の元素を１種以上含む合金、前記金属の元素を１種以上含む窒化物、前記金属の元素を１種以上含む珪化物、並びに、前記金属の元素を１種以上含む硼化物から選択される少なくとも１種で構成される電気伝導層の少なくとも１層を適用する。これにより、良好な電極能を有しつつ低コストで、且つ剥がれ難い電極を持つ圧電素子３４となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的の１つは、パターニング精度の向上を図ることができる、めっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、基板１０の同一面の少なくとも第１及び第２のパターン領域１２，１４の上方に、界面活性剤層、触媒層及び金属層を形成することを含み、第１のパターン領域１２の上方には、光照射によるパターニングにより第１の界面活性剤層２０が形成され、第２のパターン領域１４の上方には、光照射によるパターニングにより第２の界面活性剤層６０が形成され、第１の界面活性剤層１０を形成するときの光の照射条件は、第２の界面活性剤層６０を形成するときの光の照射条件と異なる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の信頼性低下、及び電流駆動能力低下の問題のない、ショットキーソース・ドレインを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極７を挟むように、ショットキーソース・ドレイン１２を形成する。ショットキーソース・ドレイン１２は、半導体基板１とショットキー接合を形成する。ショットキーソース・ドレイン１２からゲート絶縁膜４下端部まで不純物拡散によりエクステンション層２を形成する。ゲート絶縁膜４の下端部が不純物拡散層上に形成されているので、ゲート絶縁膜４の信頼性が低下することがない。また、ＰＮ接合を介してチャネルへキャリア注入が行われるので、電流駆動能力の低下を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れた半導体材料を使用可能で、生産性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】リン化インジウム材料に高濃度のシリコンをドーピングしたサブコレクタ層１２上にパッシベーション層１４が形成される。パッシベーション層１４の一部をエッチングにより除去して接触領域を露出させる。露出させた接触領域にエネルギー照射を行い、エネルギー照射を行った部分に低抵抗のオーム接触金属５１を堆積する。その後、フォトレジスト２１、２２を、フォトレジスト２２上に堆積した金属５１と共に除去する。エネルギー照射としては、不活性材料を使用したスパッタリング処理、化学的に活性を有するイオンを使用したスパッタリング処理、イオンミリング、及びプラズマエッチングのうちのいずれかを利用できる。 （もっと読む）

【課題】 高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上に素子分離膜３に周囲を囲まれた活性領域２ａを設ける。活性領域２ａの上に、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設ける。ＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。ｎ型拡散層５の上の多結晶シリコン膜７およびシリサイド膜８は、ｎ型拡散層５、側壁膜６、及び素子分離膜３にまたがって設けられる。尚、多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられる。そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながるエミッタ引き出し電極２１を形成する。ここで、エミッタ引き出し電極２１は、一方の素子分離膜３の上から活性領域２ａの上を通って反対側の素子分離膜３の上にまで連続して設けられた多結晶シリコン膜７の両側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 印刷法により、プラスチックフィルムを基板として用いて、高寸法精度の有機トランジスタを形成することができる有機トランジスタの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の有機トランジスタの形成方法は、プラスチック基材１上に有機トランジスタを形成する方法であって、プラスチック基材１上に下部電極インクを塗布した後、下部電極インクを乾燥する工程と、下部電極インクを覆うように絶縁インクを塗布した後、絶縁インクを乾燥する工程と、絶縁インク上に上部電極インクを塗布する工程と、下部電極インク、絶縁インクおよび上部電極インクのうち少なくとも二層を一括して熱処理して積層体とする工程と、積層体上に有機半導体層６を積層する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）