【課題】本発明は、高周波数帯で動作する半導体装置の特性の向上、ならびに信頼性の向上に関するものである。
【解決手段】半導体基板の表面側にキャリア走行層として積層された、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層を用いて形成した単数もしくは複数のバイポーラトランジスタと、前記キャリア走行層の直下に設けられた絶縁層と、さらに前記絶縁層の直下に設けられた導電層と、前記導電層に到達するように形成された非貫通のバイアホールと、トランジスタの何れかの端子と電気的に接続された状態に半導体基板の表面に形成された金属配線層と、バイアホールの側壁及び底面に形成された金属配線層とを備えた構造とする。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置（または有機ＥＬ表示装置）において、開口率を大きくする。
【解決手段】 薄膜トランジスタ５のゲート電極１１はｐ型またはｎ型不純物を含む透明な金属酸化物によって形成され、ソース電極１５およびドレイン電極１６は透明な金属酸化物またはＩＴＯによって形成されている。したがって、薄膜トランジスタ５は光を透過する構造となっており、この薄膜トランジスタ５のほぼ全部を画素電極４で覆っているので、薄膜トランジスタ５と画素電極４との重合部が開口率に寄与することととなり、したがって開口率を大きくすることができる。なお、ゲート電極１１およびドレイン電極１６の各一端部に接続された走査ライン２およびドレインライン３は、ゲート電極１１およびドレイン電極１６と同一の透明な材料によって形成されているが、両ライン２、３は、アルミニウム、クロムなどの遮光性金属からなる補助容量電極６によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の少なくともゲート絶縁膜側をハフニウムとシリコンとを含む膜で形成することで、Ｐｏｌｙ−Ｓｉと同等の仕事関数値を得るともに、下地のゲート絶縁膜とハフニウムとの反応性を低減してゲートリークを抑制し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。
【解決手段】半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた電界効果トランジスタからなる半導体装置１であって、前記ゲート電極１５は少なくとも前記ゲート絶縁膜１４側がハフニウムとシリコンとを含む膜からなるものである。 （もっと読む）

【課題】 浅いソース，ドレイン接合位置を保ちつつ接合リークを低く抑えることができ
、且つコンタクト抵抗も低く保つ。
【解決手段】
ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴにおいて、絶縁膜１０２の上に形成され、チャネル領域を除いて
除去された第１のシリコン層１０３と、シリコン層１０３上にゲート絶縁膜２００を介し
て形成されたゲート電極３００と、シリコン層１０３のチャネル長方向の両側の絶縁膜１
０２に設けられた溝の底面及び側面に形成され、側面の一部でシリコン層１０３に接する
ように形成された第２のシリコン層６００と、第２のシリコン層６００からなるソース，
ドレイン領域６０１，６０２上に形成されたシリサイド層６３１，６３２と、シリコン層
１０３と接するシリコン層６００の側面部に位置するシリサイド層６３１，６３２に形成
された、ＡｓとＯを１０^１９ｃｍ^−３以上の濃度で含む拡散抑制領域とを備えた。 （もっと読む）

【課題】揮発性金属β−ケトイミナート錯体及びそれを用いた電子デバイスの提供。
【解決手段】例えば２，４−ペンタンジオンとメチルアミンより得たβ−ケトイミンと塩化銅、ブチルリチウム、トリメチルビニルシランより銅β−ケトイミナート錯体を得ることができる。その銅β−ケトイミナート錯体は原子層堆積又は化学蒸着条件により基材上に金属又は金属含有フィルムを被着させるための前駆物質として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜へのダメージを抑制してゲートリーク電流を低減させ、且つｐ型ポリシリコンに近い仕事関数のゲート電極を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上にゲート絶縁膜３を形成し、ゲート絶縁膜３上に４５０℃以下の温度でＣＶＤ法によりＴｉＮ膜４を形成し、このＴｉＮ膜４をエッチングしてゲート電極５を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチレイヤに特徴を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１のマスクが前記エッチレイヤ上に形成され、前記第１のマスクは、幅を有する複数のスペースを定義する。第１のマスクは縦方向にエッチングされ、エッチングされた第１のマスクは、前記第１のマスクの前記スペースの前記幅より大きい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチングされた第１のマスク上に側壁レイヤが形成され、前記側壁レイヤは、前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチレイヤ中に前記側壁レイヤを通して特徴がエッチングされ、前記特徴は前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する。前記マスク及び前記側壁レイヤは取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】 長期間の保存安定性に優れ、しかも良質なルテニウム膜を得ることができる化学的気相材料及びその化学的気相材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法の提供。
【解決手段】 下記式（１）
ＲｕＬ_２Ｙ （１）
ここで、Ｌは下記式（２）
【化１】


で表される基であり、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜１０の炭化水素基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、そしてＹは１，５−シクロオクタジエン、１，３−シクロオクタジエン、１，４−シクロヘキサジエン、１，３−シクロヘキサジエン、シクロペンタジエニル、１，３−ブタジエンまたは２，３−ジメチル−１，３−ブタジエンである化合物からなる化学気相成長材料。 （もっと読む）

【課題】 メタルゲート電極を用い、かつ、信頼性が高く量産化が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された複数のＭＯＳＦＥＴを備え、前記複数のＭＯＳＦＥＴのうちの少なくとも１つとしての特定のＭＯＳＦＥＴにおけるゲート電極は、最下層の第１の金属層と、この第１の金属層の上層としてのプラチナシリサイドあるいはパラジウムシリサイドのいずれかの層と、を有するものとして構成される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、基板のエッチング方法を提供する。一実施形態において、本方法は、基板へのエッチング副生成物の均一な堆積速度に対応する基板温度ターゲットプロファイルを求める工程と、基板支持体の第２部位に対して基板支持体の第１部位の温度を優先的に調節することにより基板上でこの基板温度ターゲットプロファイルを実現する工程と、優先的に調節された基板支持体上で基板をエッチングする工程とを含む。別の実施形態において、本方法はその内部での種の分布が選択可能であり、横方向の温度制御が可能な基板支持体を有する処理チャンバ内に基板を設置し、ここで基板支持体によりもたらされた温度プロファイルと種の分布の選択が制御パラメータセットを構成している工程と、それぞれ異なる制御パラメータセットを用いて第１材料層と第２材料層をエッチングする工程を含む。

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