【課題】厚膜ゲート酸化膜を形成することによりゲート電圧の高耐圧化を図っても、良好に安定してゲート電圧のしきい値をコントロールできるＭＯＳゲート構造を備える半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】不純物元素としてボロンを含有する領域の表面に、１００ｎｍ以上の厚さのゲート絶縁膜がＬＰＣＶＤ法により形成されるＭＯＳ構造を有する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜としてシリコン窒化膜を用いた場合に、エッチング残りの無いコンタクトエッチング及び多結晶半導体層を消失させることのない安定したコンタクトエッチングを可能とする。
【解決手段】 多結晶半導体層３上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極５が形成され、さらに層間絶縁膜６が形成されてなる薄膜トランジスタである。層間絶縁膜６及びゲート絶縁膜４にコンタクトホール７が形成され、信号線電極８がコンタクトホール７を介して多結晶半導体層３と接続されている。層間絶縁膜６は、シリコン酸化膜６ａと、その上に形成されるシリコン窒化膜６ｂとを有する。コンタクトホールのエッチングに際しては、シリコン酸化膜に到達するまでコンタクトホールをエッチング形成する第１のエッチングを行い、この第１のエッチングと連続してシリコン酸化膜とゲート絶縁膜にコンタクトホールをエッチング形成する第２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】基板を切断する工程の歩留まりを向上する方法を提供する。
【解決手段】基板１１にレーザービームを照射して、絶縁層や導電層を積層した複数の層に達する溝３２を形成する。ここでレーザビーム照射による溝３２は、基板中のある部分の分子結合を切断し、光分解し、気化して蒸発させるアブレーション加工で形成する。その後さらに溝にレーザービームを照射して基板を切断する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩによりフィールド絶縁膜を形成した半導体基板に、比較的ゲート酸化膜が厚くゲート長が長い高耐圧駆動ＭＯＳトランジスタを形成する時、ＳＴＩに起因して熱応力に変化が生じて、半導体基板に欠陥が生じることを防止する。
【解決手段】 高耐圧駆動ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜１０２は、パイロ酸化により酸化成長させたＳｉ酸化膜と、ＳｉＨ_４ガスの熱分解による減圧気相成長により成長させたＳｉ酸化膜で構成される２層膜を、Ｎ_２ＯもしくはＮＯガス中での急速加熱により酸化すると共に、微量に窒素を含むＳｉ酸化膜を順次成長させたＳｉ酸化膜系の絶縁膜で構成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜として酸化シリコン膜より誘電率の高い高誘電体膜を使用する場合にＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を低下するとともにしきい値電圧の微調整を可能にする技術を提供する。
【解決手段】 図２（ｂ）に示すように、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。ゲート絶縁膜には、酸化シリコン膜より誘電率の高い高誘電体膜が使用され、ゲート電極には、プラチナリッチシリサイド膜が使用される。プラチナリッチシリサイド膜は、プラチナ原子に対するシリコン原子の比が１未満である膜をいう（ＰｔＳｉ_ｘ：ｘ＜１）。このプラチナリッチシリサイド膜からなるゲート電極には、導電型不純物としてホウ素が導入されている。このホウ素は、ゲート絶縁膜とゲート電極との界面に偏析している。 （もっと読む）

【課題】 窒素濃度が高く、尚且つ、膜厚の薄いシリコン酸窒化膜をゲート絶縁膜として形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上にシリコン酸化膜２０を形成し、プラズマ窒化法を用いてシリコン酸化膜に窒素を導入することによって第１のシリコン酸窒化膜３０を形成し、プラズマ窒化法を用いて第１のシリコン酸窒化膜に窒素を導入することによって第２のシリコン酸窒化膜４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜のリーク電流の低減、誘電率の向上を図る半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板（１１）上にＣＶＤ法にて酸化物絶縁膜（２０）を形成する際に、前記酸化物絶縁膜の原料ガスとＨ_２とを同時に前記半導体基板に供給する。 （もっと読む）

上に重なる第１の金属酸化物層（１６，４６）を有する半導体基板（１２，４２）、第１の金属と窒素または炭素のうちの一方とを有する上に重なる中間層（１８，４８）、および上に重なる第２の金属酸化物層（２０，５０）を有するデバイス構造（１０，４０）、ならびにそのデバイス構造を形成する方法に関する。次いで、中間層（１８，４８）に酸素が提供される。酸素は導体層から誘電体層（１９，５３）へと中間層（１８，４８）を変化させる効果を有する。次いで、例えば、ゲート（２４，５８）および２つの電流電極（２９，３０，６２，６４）を形成することによって、最終デバイスが形成され得る。
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【課題】緻密かつ絶縁耐性が強い高品質なゲート絶縁膜を形成し、トンネルリーク電流が少ない信頼性の高い有機トランジスタを提案することを目的とする。
【解決手段】電子密度が１０^１１ｃｍ^−３以上かつ電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下の高密度プラズマを用いて酸素（もしくは酸素を含むガス）や窒素（もしくは窒素を含むガス）などをプラズマ励起によって活性化し、ゲート電極となる導電層の一部と直接反応させ絶縁化することでゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】亀裂の無い厚いＰＳＧ膜を単層で形成し、低コストで高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】４５０ｎｍ以上の段差Ｔ１のある酸化膜５の下地を、リン濃度が２ｍｏｌｗｔ％〜５ｍｏｌｗｔ％で膜厚Ｔ１が１．３μｍ以上の単層のＰＳＧ膜７で被覆する。リン濃度を２ｍｏｌｗｔ％〜５ｍｏｌｗｔ％とすることで、下地の段差Ｔ１が４５０ｎｍ以上あり、単層のＰＳＧ膜の厚さＷ１が１．３μｍ以上あった場合でも、高温熱処理によるＰＳＧ膜の収縮時に亀裂が発生するのを防止できる。 （もっと読む）