本発明はドナー基板からレシーバ基板に材料のパターンを積層によって転写する方法である。転写された材料のパターンは、積層の際にドナーとレシーバとの間に挿入されたマスクの開口によって画定される。この技法は可撓性ポリマーレシーバ基板に適合しており、可撓性表示装置用の薄膜トランジスタを作製するのに有用である。

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【課題】 ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体プロセスインテグレーションのための界面酸化プロセスの提供。
【解決手段】 界面酸化層を有した微細構造物を形成する方法は、この微細構造物内のｈｉｇｈ−ｋ層の形成と関係した基板の酸化特性を制御するように拡散フィルタ層を使用することにより提供される。拡散フィルタ層は、表面の酸化を制御する。界面酸化層は、拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積の後に実行される酸化プロセス中に、または拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積中に、形成されることができる。 （もっと読む）

集積回路（１００）の形成方法（９００）およびその構造を提供する。半導体基板（１０２）上にゲート誘電体（１０４）が形成され、ゲート誘電体（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）に浅いソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）が形成される。ゲート（１０６）の周りに側壁スペーサ（４０２）を形成する。この側壁スペーサ（４０２）を使用して、半導体基板（１０２）中に深いソース／ドレイン接合部（５０４）（５０６）が形成される。浅いソース／ドレイン接合部および深いソース／ドレイン接合部（５０４）（５０６）を形成した後、側壁スペーサ（４０２）上にシリサイドスペーサ（６１０）を形成する。シリサイドスペーサ（６１０）に隣接する深いソース／ドレイン接合部（５０４）（５０６）上にシリサイド（６０４）（６０６）を形成し、半導体基板（１０２）上に誘電体層（７０２）をたい積する。その後、誘電体層（７０２）においてシリサイド（６０４）（６０６）へのコンタクトを形成する。
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集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

少なくとも１種のジュウテリウム置換窒素化合物と水素同位体を含まない１または２以上の珪素含有化合物からのジュウテリウム置換窒化珪素含有材料作製方法を提供する。適するジュウテリウム置換窒素化合物として例えばＮＨ_２Ｄ、ＮＨＤ_２及びＮＤ_３を用い、適する珪素含有化合物として例えばＳｉＣｌ_４及びＳｉ_２Ｃｌ_６を用いる。本発明に従って得られるジュウテリウム置換窒化珪素含有材料は例えばトランジスタ装置中へ組み入れることができ、これにより得られたトランジスタ装置をＤＲＡＭセル中に用い、さらに得られたＤＲＡＭセルを電子システム中に用いることができる。

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【課題】 化合物半導体、シリコン半導体で形成したＭＩＳ型構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層と金属酸化物からなるゲート電極との界面に、金属酸化物から解離した酸素を含む層からなる絶縁層を備える。この絶縁層は、電極を形成した後、熱処理を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子機器筐体の狭い筐体内に配される発熱部品の冷却をおこなう。
【解決手段】 狭い筐体内でも空気が流れるように、回路基板に設けられた通気孔５ａと対応させて電子機器筐体の底板、天板に通気孔（５ｂ、５ｃ）を設ける。
【効果】 通気孔を通して筐体の外側から空気を取り入れ、空気の流れを作ることで電子部品を効果的に冷却する。 （もっと読む）