【課題】ｈｉｇｈ−ｋ（高誘電率）誘電材料をエッチングするための方法及びシステム
【解決手段】本発明のある実施形態では、エッチ反応剤が、ｈｉｇｈ−ｋ層と反応したときに揮発性エッチ製品を形成するために利用される。代わりに、ｈｉｇｈ−ｋ層はパターン化されたフォトレジストまたはハードマスクに従って異方エッチングすることができ、中性原子のハイパーサーマルビームがｈｉｇｈ−ｋ層とのエッチ反応剤の反応を助けるために使用される。代わりに、中性原子のハイパーサーマルビームまたはプラズマ処理はｈｉｇｈ−ｋ層を修正し、その後、該修正されたｈｉｇｈ−ｋ層と反応するエッチ反応剤を活用して該修正されたｈｉｇｈ−ｋ層をエッチングするために使用することができる。 （もっと読む）

本発明は、比誘電率が８以上の膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）とシリコン酸化膜とが表面に形成されたものをエッチング処理するのに好適なエッチング液であって、Ｈｉｇｈ−ｋ膜のエッチングレートが２Å／分以上であり、熱酸化膜（ＴＨＯＸ）とＨｉｇｈ−ｋ膜のエッチングレートの比が５０以下であるものを提供する。前記エッチング液としては、フッ化水素（ＨＦ）と種々のエーテル系有機溶媒とを混合したものが好ましく使用される。
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【課題】 弾性表面波共振片の電極パターンに形成される陽極酸化膜の厚さを一定にするとともに、弾性表面波共振片の共振周波数を一定にする陽極酸化装置および終点検出方法を提供する。
【解決手段】 陽極酸化装置１０は、被処理物に形成される陽極酸化膜の厚さに応じて前記被処理物に印加される電圧値を求めるとともに、前記電圧値より陽極酸化を終了する終点電流設定値を求める電源制御部２０と、前記電源制御部２０で求めた値の電圧を陽極酸化槽１２の電解液中に浸漬された前記被処理物に印加するとともに、前記電源制御部２０によって前記被処理物への電源供給が制御される電源部１８と、前記被処理物に供給される電流値を監視するとともに、前記電流値が前記終点電流設定値を下回ったときに陽極酸化の終点と判定する監視部２４とを有する構成である。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板上に配置された誘電層上にキャッピング層を堆積するための方法を提供する。一例では、プロセスは、基板を堆積プロセスに曝して、この上に誘電層を形成するステップと、該基板をシリコン前駆体および酸化ガスの順次パルスに曝して、堆積プロセス中にシリコン含有層を該誘電層上に形成するステップと、該基板を窒化プロセスに曝して、この上にキャッピング層を形成するステップと、所定の時間該基板をアニーリングプロセスに曝すステップとを含む。該キャッピング層は約５Å以下の厚さを有していてもよい。一例では、該酸化ガスが、触媒を含有する水蒸気生成器によって処理された水素源ガスおよび酸素源ガスから生じた水蒸気を含有する。別の例では、該堆積、窒化およびアニーリングプロセスが同じプロセスチャンバで生じる。 （もっと読む）

半導体デバイスは、少なくとも１つの表面を含むＩＩＩ族窒化物半導体材料の層と、半導体材料の電気的応答を制御するための、表面上にある制御コンタクトと、制御コンタクトに隣接する１つの表面の少なくとも一部を被覆する誘電体バリア層であって、ＩＩＩ族窒化物のバンドギャップよりも大きなバンドギャップと、ＩＩＩ族窒化物の導電帯からずれている導電帯とを有する、誘電体バリア層と、ＩＩＩ族窒化物の表面の残り部分を被覆する誘電体保護層とを備えている。
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本発明は、基板１１０、基板上に形成されているゲート電極１２４、基板及びゲート電極を覆っているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜上に形成されているソース電極１７３及びドレイン電極１７５、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されている半導体層１５０、半導体層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート絶縁膜を覆っている保護膜１８０を含み、ゲート絶縁膜及び保護膜はパリレンからなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
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半導体基板（１０２）に集積回路の形成方法（９００）を提供する。半導体基板（１０２）上にゲート絶縁膜（１０４）が形成され、このゲート絶縁膜（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）にソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）が形成される。低出力プラズマ化学気相成長法プロセスを使用して、ゲート（１０６）の周りに側壁スペーサ（４０２）を形成する。ソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）およびゲート（１０６）に、シリサイド（６０４）（６０６）（６０８）を形成し、半導体基板（１０２）上に層間絶縁層（７０２）をたい積する。その後、層間絶縁層（７０２）中にシリサイド（６０４）（６０６）（６０８）へのコンタクト（８０２）（８０４）（８０６）が形成される。
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フィン（２０５）を形成するステップと、このフィン（２０５）の第１端部に隣接するソース領域（２１０）、フィン（２０５）の第２端部に隣接するドレイン領域（２１５）を形成するステップとを含む、フィン電界効果トランジスタを形成する方法である。この方法は、フィン（２０５）上にダミーゲート（５０５）を形成するステップと、このダミーゲート（５０５）の周りに絶縁層（６０５）を形成するステップをさらに含んでいる。この方法はまた、絶縁層（６０５）中にトレンチ（７０５）を形成するように、ダミーゲート（５０５）を除去するステップと、トレンチ（７０５）中に金属ゲート（９０５）を形成するステップと、を含んでいる。
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誘電体層（１４，２２，２４，３２）は、ランタン、ルテチウム、及び酸素により構成され、かつ２つの導体の間、または導体（１４，２０，３４）と基板（１２，２６，３０）との間に形成される。一の実施形態では、誘電体層は基板を覆って形成され、境界層を追加する必要がない。別の実施形態では、誘電体層（２２，４２，４６）に含まれる元素の分布は、ランタン含有量またはルテチウム含有量に関して傾斜する、または誘電体層（２２，４２，４６）は別の構成として、アルミニウムを含むことができる。更に別の実施形態では、絶縁層を導体または基板と誘電体層との間、または導体及び基板の両方と誘電体層との間に形成する。誘電体層は、分子ビームエピタキシー法によって形成することが好ましいが、原子層化学気相成長、物理気相成長、有機金属化学気相成長、またはパルスレーザ堆積によって形成することもできる。
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【課題】処理チャンバから排出される種についての交差反応を著しく低減できるような装置を提供する。
【解決手段】装置が、チャンバ入口とチャンバ出口とを有するチャンバと、第１のガス流を受け入れるための第１の入口と、第２のガス流を受け入れるための第２の入口と、第１のガス流を第１の真空ポンプへと出力する第１の出口と、第２のガス流を第２の真空ポンプへと出力する第２の出口と、導管ネットワークであって、第１の入口を第１の出口に結合し、第２の入口を第２の出口に結合し、それぞれのガス流について、第１の流路と第２の流路とをそれぞれの入口と出口との間に形成し、第１の流路はチャンバ入口とチャンバ出口とを通り抜け、第２の流路はチャンバを迂回するような上記導管ネットワークと、ネットワークを通り抜けるガス流の経路を割り当てて、あるガス流が第１の流路に沿って流れるとき、他方のガス流を第２の流路に沿って流れさせる経路割当手段と、を備えている。 （もっと読む）