【課題】 窒化シリコン膜のパターニングに付随して生じる欠陥を低減することができる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化シリコン膜５を全面に形成した後、その上に酸化シリコン膜６を形成する。次に、ゴミ等を除去するために水洗浄処理を行う。次に、酸化シリコン膜６及び窒化シリコン膜５のパターニングを行う。このとき、窒化シリコン膜５の形状は、その上に酸化シリコン膜６が存在しているため逆テーパ形状となる。次に、半導体膜４をパターニングする。次に、ソース電極７及びドレイン電極８を半導体膜４上に形成する。このようにして薄膜トランジスタ１０が形成される。このとき、ソース電極７及びドレイン電極８の間に、金属膜の残部や堆積物等のゴミ１１が発生することがある。このような場合であっても、窒化シリコン膜５が逆テーパ形状となっているため、ゴミ１１とソース電極７及びドレイン電極８との間で段切れが生じる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】 ＣＭＩＳＦＥＴを構成するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４０とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４１は、ゲート絶縁膜１４，１５が酸窒化シリコン膜からなり、ゲート電極２３，２４が、ゲート絶縁膜１４，１５上に位置するシリコン膜を含んでいる。ゲート電極２３，２４とゲート絶縁膜１４，１５との界面近傍に、１×１０^１３〜５×１０^１４原子／ｃｍ^２の面密度でＨｆのような金属元素が導入されている。ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４０とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４１のチャネル領域の不純物濃度は、１．２×１０^１８／ｃｍ^３以下に制御されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜信頼性の低下や短チャネル特性の劣化が防止された、コアロジック系および外部の高電圧が印加される入出力系の双方に用いて好適な半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上層部に所定の間隔で形成された一対のソース・ドレインエクステンション層と、前記半導体基板上の前記一対のソース・ドレインエクステンションに挟まれた領域に形成された高誘電率絶縁膜を含むゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、少なくとも前記ゲート絶縁膜の側壁に設けられ、前記ゲート絶縁膜側から酸化膜または酸窒化膜と高誘電率絶縁膜とがこの順で積層された側壁膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタにおけるＮＭＯＳトランジスタの性能向上と、ＰＭＯＳトランジスタのＮＢＴＩ信頼性の維持を同時に実現できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィーを用いて、シリコン基板１０１上にＮＭＯＳ領域に開口部を有するレジストマスクＲＭ３を形成し、その上から１５ｋＶの加速電圧で、ドーズ量１×１０¹⁵／ｃｍ²のＮ₂（窒素）イオンをイオン注入して、ＮＭＯＳ領域のシリコン基板１０１内に窒素を導入する。その後、活性酸素を用いた酸化手法によりシリコン酸化膜を形成した後に、活性窒素処理を行ってＳｉＯＮ薄膜に転化し、ＮＭＯＳ領域およびＰＭＯＳ領域に、それぞれＳｉＯＮのゲート絶縁膜１０３および１０４を形成する。 （もっと読む）

ｎチャネルトランジスタとｐチャネルトランジスタのゲート絶縁層２０５Ａ、２０５Ｂのブロッキング能力を局所的に適応させることにより、ｐチャネルトランジスタの信頼性としきい安定性とが強化する一方で、ｎチャネルトランジスタの電子移動度を高レベルに維持することができる。これは、異なる量の誘電性ドーパントを対応するゲート絶縁層部分２０５Ａ、２０５Ｂに混入することで実現できる。
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【課題】 高性能ＣＭＯＳ用途のためのＨｆドープされた極薄酸窒化シリコン膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体構造体と、これを形成する方法であって、この方法は、ベース・ゲート誘電体層（５３）の上部に安定した拡散制御材料の均一なバッファ層を形成するステップと、次いで、遷移金属原子のソースを含有する均一な層を形成するステップと、次いで、この構造体をアニールして、ソースから遷移金属原子を、拡散制御材料を通してベース・ゲート誘電体層（５３）に拡散させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板１に対し、その一部を剥離層１７に沿って確実に剥離すると共に、ゲート電極８に対向する領域では比較的薄くする一方、その他の領域では比較的厚く形成することにより、ＴＦＴ５０の特性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１にゲート電極８を形成するゲート電極形成工程と、半導体基板１の表面とゲート電極８の表面とに対応して形成される表面段差形状をなだらかな表面段差形状に補償するためのＢＰＳＧ膜１５を、ゲート電極８及び半導体基板１を覆うように形成する絶縁膜形成工程と、半導体基板１に対し、ＢＰＳＧ膜１５を介して剥離用物質をイオン注入することにより、剥離層を形成する剥離層形成工程と、半導体基板１の一部を剥離層に沿って分離する分離工程とを行う。 （もっと読む）

多結晶シリコン層（２０）がゲート誘電体（１０）上に堆積され、次いでその一部分が再酸化されて、当該ポリＳｉ層と下側のゲート誘電体との間に酸化物（３０）の薄層を形成するようにする。続いて、ポリＳｉ層が完全シリサイド化形態（５０）に変換され、ＦＵＳＩゲートを生成させる。ゲート誘電体は、例えばＨｆ含有材料であるｈｉｇｈ−ｋ材料、又はＳｉＯＮ、或いは別の非ＳｉＯ_２誘電体とすることができる。障壁酸化物層（３０）は、好ましくは１ｎｍ未満の厚みである。 （もっと読む）

【課題】液体で処理することができるゲート誘電体材料により得られる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】重合された１種または複数のモノマを含む放射線架橋ポリマを含有するゲート誘電体を備える薄膜トランジスタであって、前記１種または複数のモノマは、置換されていてもよいビニルアリールアルコールを含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜の絶縁性を向上させる。
【解決手段】 半導体基板の主面側に形成された絶縁膜１０を有し、該絶縁膜が、金属酸化物からなる複数の粒状絶縁領域１１と、隣接する粒状絶縁領域間に形成された非晶質絶縁物からなる粒間絶縁領域１２と、から構成され、粒状絶縁領域は、金属酸化物の結晶を少なくとも含んで構成され、粒間絶縁領域は、シリコン、酸素及び金属酸化物を構成する金属元素を少なくとも含んだ非晶質絶縁物で構成されている。 （もっと読む）