【課題】ノッチを起点に発生したクラックによってデバイスが破損される恐れを低減可能なウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】複数のバンプを有するデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、外周縁にウエーハの結晶方位を示すＶ字状切欠き２３が形成されたウエーハの裏面を研削して所定厚みへと薄化するウエーハの研削方法であって、ウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部としての切削溝２５を該Ｖ字状切欠きの頂点に対向させてウエーハの該外周余剰領域に形成するステップと、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材を介してウエーハをチャックテーブルで保持して裏面を露出させたウエーハの裏面を研削手段で研削して該仕上げ厚みへと薄化するステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの側面に付着する切断屑を、個片化した後に除去することによって、切断屑の残留を抑制する
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、互いに繋がっている半導体パッケージ１を供給する供給部１０と、互いに繋がっている半導体パッケージ１を個片化する切断部と、個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００を除去する除去部３００と、を有している。除去部３００は、個片化された半導体パッケージ２を搬送する第１の搬送経路３０と、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシ５０と、第１の搬送経路３０を通過した半導体パッケージ２を上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路４０と、第２の搬送経路４０の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシ６０と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂成形体を有する研磨層を備える半導体デバイス研磨用の研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の独泡率が、６０〜９８％であり、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の貯蔵弾性率Ｅ’に対する損失弾性率Ｅ”の割合（損失弾性率／貯蔵弾性率）ｔａｎδが、０．１５〜０．３０であり、前記貯蔵弾性率Ｅ’が、１〜１００ＭＰａであり、且つ
前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の密度Ｄが、０．４〜０．８ｇ／ｃｍ^３であることを特徴とする、前記半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】フットプリントや洗浄時間を増大させることなく、スクラブ洗浄部材への負荷を低減させ、研磨後の基板表面の研磨性能を向上させた洗浄を行う。
【解決手段】移動アーム４８を移動させて、基板Ｗのエッジ上方の退避位置に位置するスクラブ洗浄部材４０を基板Ｗのセンタ上方のスクラブ洗浄位置に移動させ、移動アーム４８の移動に伴って、２流体ノズル７０を該２流体ノズル７０から回転中の基板Ｗの表面に向けて流体を噴出させて該表面の２流体ジェット洗浄を行いながら移動させ、２流体ノズル７０からの流体の噴出を停止させた後、スクラブ洗浄部材４０を基板Ｗの表面に接触させてスクラブ洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】貴金属の研磨に適した研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、貴金属を含むバリア層と金属配線層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒、特定の酸化剤及び水を含有し、特定の酸化剤は、ペルオキシ基（−Ｏ−Ｏ−）の酸素上にアンモニウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属から選ばれるいずれか一が置換した構造を有する。また、任意で研磨促進剤及び保護膜形成剤の両方又はいずれか一方を含有し、研磨促進剤は、前記貴金属を含むバリア層の研磨速度を維持又は向上させる効果を持ち、保護膜形成剤は、貴金属を含むバリア層の研磨速度を抑制しない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低マイクロ波電力から高マイクロ波電力の広範囲において、安定的なプロセス領域を確保できるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域にて、プラズマの生成を容易にするとともに前記容易に発生させられたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、オンとオフを繰り返すパルス放電により前記プラズマを容易に生成し、前記パルス放電を生成する高周波電力のオン期間の電力は、前記連続放電によるプラズマの生成が容易になる電力とし、前記パルス放電のデューティー比は、前記高周波電力の一周期あたりの平均電力が前記連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域の電力となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】主表面における面方位のばらつきおよび反りを抑制することができる炭化珪素基板の製造方法、ならびに高品質な半導体装置を製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１０の製造方法は、単結晶炭化珪素からなるインゴット１を準備する工程と、インゴット１をスライスすることにより炭化珪素基板１０を得る工程と、炭化珪素基板１０の表面を研磨する工程とを備える。炭化珪素基板１０を得る工程では、＜１１−２０＞方向または＜１−１００＞方向とのなす角が、｛０００１｝面への正射影において１５±５°となる方向に切断が進行するようにインゴット１がスライスされる。炭化珪素基板１０の表面を研磨する工程では、炭化珪素基板１０の主表面１０Ａ，１０Ｂの少なくとも一方の全面が研磨面３０Ａ，４０Ａと接触した状態において炭化珪素基板１０の主表面１０Ａ，１０Ｂの少なくとも一方が研磨される。 （もっと読む）

【課題】少量の固形接着剤でウエーハを支持基板に貼り付けできるようにしたウエーハの貼付方法及びその貼付装置を提供する。
【解決手段】固形接着剤を溶融して支持基板１上に滴下する。このとき支持基板の温度は接着剤の溶融温度よりも低く、滴下された接着剤２は略点状になって支持基板上でその形状を保持している。この接着剤の上にウエーハ３の中心部を接触させ、支持基板１を接着剤の軟化温度よりも高くなるよう加熱する。これにより、接着剤２は流動してウエーハ３の中心部から外周縁に向かって流動し、ウエーハ３は支持基板１に仮貼りされる。その後、ウエーハ３と支持基板１を支持基板の裏面側から冷却してプレス冷却することより接着剤２は固化し、ウエーハ３は支持基板１に貼り付けられる。 （もっと読む）

【課題】ワーク切断に起因するマイクロクラックを抑制してウエハ割れや欠けを抑える。
【解決手段】ワーク切断後のウエハ割れ発生頻度を抑制するべく、ウエハ表面のマイクロクラック深さおよびワーク切断後のウエハ厚さのうちの少なくとも該マイクロクラック深さが設定制御されている。具体的には、ウエハ厚さを、１００μｍ以上１３０μｍ以下の半導体基板に薄板化し、マイクロクラック深さを０μｍ以上２μｍ以下に設定制御して、ウエハ割れ発生頻度を０．５パーセント以上１パーセント以下に設定制御する。 （もっと読む）

【課題】低い押圧力での研磨加工時にも優れたクッション性を発揮すると共に、被研磨物や研磨材を平坦に保持することができる研磨用クッション材を提供する。
【解決手段】発泡シート11の一方の面に粘着剤層12aが積層一体化されてなる研磨用クッション材であって、
上記発泡シート11は、厚みが０．３〜３．０ｍｍであり、密度が４００〜６００ｋｇ／ｍ³であり、引張強さが１．０〜３．０ＭＰａであり、伸びが１３０〜１６０％であり、ショアＡ硬度が２５〜４０であり、又は２５％圧縮応力が０．３０〜０．６０ＭＰａである条件のうち少なくとも一つを満たすことを特徴とする研磨用クッション材。 （もっと読む）