【課題】切込み末期のみならず切込み初期における切断面のうねり成分をも低減し、結果として切断終了後のウェーハの表面のうねり成分を十分に低減することが可能なワイヤーソー装置を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤーソー装置１０のワーク保持機構１８は、スライス台２２と、ワークプレート２４と、ワークプレート保持部２６と、を有する。ワークプレート２４は、本体部２８の側面からワイヤー延在方向Ｚの両側に突出し、両側それぞれに開口部３２Ａ，３２Ｂを有する一対の突出プレート３０Ａ，３０Ｂを有し、突出プレート３０Ａ，３０Ｂの両外側のうち、少なくともノズル２０が位置する側に溝部材３４Ａ，３４Ｂを有し、ワイヤー群１６からワークプレート保持部２６に向けて舞い上がるスラリーを、開口部３２Ａ，３２Ｂを通過させて３４Ａ，３４Ｂ溝部材で捕集可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板効率よく研削することができるサファイア基板の研削方法を提供する。
【解決手段】被加工物を保持する保持面を有し回転可能なチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を研削するダイヤモンド砥粒をボンド剤で固定した研削砥石が環状に配設された研削ホイールを備えた研削手段と、研削手段をチャックテーブルの保持面に対して垂直な研削送り方向に研削送りする研削送り手段とを具備する研削装置を用いてサファイア基板を研削するサファイア基板の研削方法であって、チャックテーブルの保持面にサファイア基板を保持する保持工程と、サファイア基板を保持した該チャックテーブルを回転するとともに研削ホイールを回転しチャックテーブルの中心を研削砥石が通過するように位置附けて該研削送り手段を作動して研削送りする研削工程とを含み、チャックテーブルの回転速度は５００〜１０００rpmに設定され、研削ホイールの回転速度は５００〜８００rpmに設定される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの裏面加工を行う際に、半導体ウエハ表面を保護するための表面保護シートとして用いられる粘着シートにおいて、バンプウエハ等の表面の高低差を吸収、緩和でき、高温環境下においては過度に軟化しない中間層を有する粘着シートを提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る粘着シートは、基材フィルムと、中間層と、粘着剤層とがこの順に積層されてなり、
該中間層が融点（Ｔｍ）を有する熱溶融性樹脂を含み、
前記融点Ｔｍよりも６℃高い温度（Ｔｍ＋６）における中間層の貯蔵弾性率Ｇ’（Ｔｍ＋６）と、前記融点Ｔｍよりも６℃低い温度（Ｔｍ−６）における中間層の貯蔵弾性率Ｇ’（Ｔｍ−６）について、Ｇ’（Ｔｍ−６）／Ｇ’（Ｔｍ＋６）が２．０以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第１ノズル３１Ａを用い第１処理液をウエハＷに供給するとともに、第１処理液を第１排出路４６ａから排出して第１気液分離器４８ａへ導く第１処理工程と、第２ノズル３１Ｂを用い第２処理液をウエハＷに供給するとともに、第２処理液を第２排出路４６ｂから排出して第２気液分離器４８ｂへ導く第２処理工程とを備えている。第２処理工程が開始される前に、第１ノズル３１Ａから第２ノズル３１Ｂへのノズル切換作業と、案内カップ４４を上下させて第１排出路４６ｂから第２排出路４６ｂへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第１処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２１と、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆い、基板保持部２１に保持された基板を覆う処理空間３０を形成する天板３２と、を備えている。処理空間３０においては、薬液ノズル８２ａにより、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して薬液が供給され、置換ノズル８２ｃにより、処理空間３０の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間３０に供給されるようになっている。また、置換ノズル８２ｃは、処理空間３０内に進出した進出位置と処理空間３０から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム８２ｒによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの一面に接着剤を介して被覆材を貼り付けた後、接着剤に気泡が混入している場合に、半導体ウェハを破壊することなく、気泡を除去できる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１の一面１ａに接着剤３を介してフィルム２を貼り付けた後、接着剤３中に気泡４が混入している場合に、接着剤３を伸縮させること、接着剤３に振動を与えること、接着剤３に熱を与えること等の接着剤３にエネルギーを加えることにより、気泡４を被覆材２側に移動させる気泡移動工程を行った後、フィルム２を剥がすことにより、もしくは、フィルム２に開口部２ａを形成することにより、接着剤３中の気泡４を大気に触れさせて除去する脱泡工程を行う。 （もっと読む）

【課題】表面凹凸をもつウェハに対し、バックグラインド工程により生じたウェハ裏面の段差を矯正して、ウェハ裏面の加工精度を向上させる。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、まず、バックグラインド工程後、所定のステージ上に、半導体ウェハの表面に形成された凹凸パターンのうち、凸部の表面がステージに当接するように配置する。そして、凸部とステージとで囲まれた凹部の気圧をＰ_４とし、外部雰囲気を矯正圧Ｐとしつつ、半導体ウェハの裏面を加工する裏面加工工程を行う。
そして、裏面加工工程においては、矯正圧Ｐが、バックグラインド工程後の半導体ウェハの抗折強度Ｐ_３に対して、０＜Ｐ−Ｐ_４＜Ｐ_３の関係を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】切断性を損なうことなく、より安価に、固定砥粒方式で生じるスラッジへの不純物混入量の極めて少ないスライス台、および、このスライス台を用いた半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスライス台は、半導体ブロック２を切断する際に前記半導体ブロック２を固定するスライス台１であって、少なくとも前記半導体ブロック２を固定する側に、前記半導体ブロック２と同種の半導体材料からなる半導体インゴットの廃棄部分を切り出した部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記遮蔽扉（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３６）とを設けることにした。 （もっと読む）