【課題】簡易な装置構成を有して小型化でありながら、基板やトレイ上におけるガスの流れや圧力分布の偏りを効果的に低減できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置１のチャンバ５は頂壁８、底壁７、側壁９、端壁１１、及び開口端１２を備える一体構造のチャンバ本体６と、開口端１２を閉鎖する蓋体１６とを備える。処理対象物支持台２６のベース３１の側部３１ａには端壁１１と処理対象物支持台２６との間にガスが流れる十分な空間を確保する凹部５１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とせず、被処理物のそれぞれについて不活性ガスプラズマ処理の完了を個別検知することが可能なインキ組成物及びそれを用いたインジケーターを提供する。
【解決手段】１）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びメチン系色素の少なくとも１種並びに２）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも１種を含有する不活性ガスプラズマ処理検知用インキ組成物であって、前記不活性ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンからなる群から選択される少なくとも１種を含有することを特徴とするインキ組成物。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とせず、被処理物のそれぞれについてプラズマ処理の完了を個別検知することが可能なインキ組成物及びそれを用いたインジケーターを提供する。
【解決手段】１）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びフタロシアニン系色素の少なくとも１種並びに２）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも１種を含有するプラズマ処理検知用インキ組成物であって、前記プラズマ処理に用いるプラズマ発生用ガスは、酸素及び窒素の少なくとも１種を含有することを特徴とするインキ組成物。 （もっと読む）

【課題】プラズマ工程において、インピーダンスをマッチングする基板処理装置及びインピーダンスマッチング方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態による基板処理装置は、高周波電力を発生させる高周波電源と、前記高周波電力を利用してプラズマ工程を遂行する工程チャンバーと、前記工程チャンバーの変化するインピーダンスを補償するマッチング回路と、前記工程チャンバーと前記マッチング回路との間に配置されて前記工程チャンバーのインピーダンスを減衰させるトランスフォーマと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３が、第一石英板４、第二石英板５、及び、複数の石英管６によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。石英管６の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とせず、被処理物のそれぞれについて水蒸気プラズマ処理の完了を個別検知することが可能なインキ組成物及びそれを用いたインジケーターを提供する。
【解決手段】１）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びメチン系色素の少なくとも１種並びに２）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも１種を含有する水蒸気プラズマ処理検知用インキ組成物。 （もっと読む）

【課題】エッチング量が均一であり、エッチング時のウェハの温度を常温と低温の両方に設定できるドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング対象のウェハ６と同じ材料からなり、クランプ７に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ６の周囲を取り囲むように設けられ、ウェハ６と共にエッチングされる常温エッチング用ダミーウェハ１０と、エッチング対象のウェハ６と同じ材料からなり、クランプ７に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ６の周囲を取り囲むように設けられ、クランプ７とウェハ６間に介在してウェハ６を下部電極４に固定すると共に、ウェハ６と共にエッチングされる低温エッチング用ダミーウェハ１１と、を備え、いずれかのダミーウェハ１０，１１を用いてエッチングを行うものである。 （もっと読む）

【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の低下を防止できるプラズマ供給ユニットが提供される。
【解決手段】本発明によるプラズマ供給ユニット３００はソースガスが供給される放電空間ＩＳが形成されたプラズマチャンバー３１０と、放電空間ＩＳに高周波電力を印加してソースガスを放電させる電力印加部３３０と、放電空間ＩＳに連結され放電されたソースガスが流入する流入空間ＦＳを有する流入ダクト３４０と、を含み、放電空間ＩＳを形成するプラズマチャンバー３１０の内側壁３１１は第１材質で形成され、流入空間ＦＳを形成する流入ダクト３４０の内側壁３４１は第１材質と異なる第２材質で形成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置に適用したときに、一方向に長手の導波管導波管下面に列設されたスリット直下に位置する処理室内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度を均一にすることができ、しかも処理室内のマイクロ波の電磁場強度の再調整を簡単に行うことが可能なマイクロ波導入装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１１の上壁１１ａに設けられたマイクロ波導入窓１２に対向配置される、一方向に長手の導波管７を備え、この導波管７は、そのマイクロ波導入窓と対向する下面に所定間隔で開設された複数のスリット７０ａ、７０ｂを有する。スリットの直上に位置する導波管の内部空間に対し進退自在に設けたアース接地の導体７１を更に備える （もっと読む）