【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１００は、高周波電力を発生させる高周波電源６と、高周波電源６から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極２と、高周波電源６とプラズマ生成電極２との間に介在し、伝送路９のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器７と、整合器７とプラズマ生成電極２との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路８とを具備し、整合器７は、プラズマとインピーダンス調整回路８とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路８によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 （もっと読む）

【課題】基材の幅全体をエッチングして、埋め込まれた表面構造を露出させる方法を提供すること。
【解決手段】基材の表面をその幅の全体にわたりエッチングして材料を実質的に均一に除去すること、当該エッチング処理の間エッチングされる面に光を当てること、当該面から反射又は散乱した光に端部検出技術を適用して、埋め込まれた表面構造の出現を検出すること、そして当該埋め込まれた表面構造の検出に応じエッチングを修正することを含むエッチング方法。基材をその幅の全体にわたりエッチングして、埋め込まれたを露出させるためのエッチング装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の均一性を高めることの可能な表面波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】表面波プラズマ処理装置は、導波管２０の誘電窓１６と互いに向い合う部位にスロットアンテナ２１を備えるとともに、基台１２と誘電窓１６との間に、遮蔽部３２と透過部３３とを有する遮蔽部材３０を備えている。そして、遮蔽部材３０は、載置面の法線方向から見て、スロットアンテナ２１のアンテナ部２４の面積をＳ１、アンテナ部２４と遮蔽部３２との重なる部分の面積をＳ２、スロットアンテナ２１の開口部２３の面積をＳ３、開口部２３と遮蔽部３２との重なる部分の面積をＳ４とすると、Ｓ２／Ｓ１＜Ｓ４／Ｓ３が満たされるように構成される。 （もっと読む）

【課題】冷媒にオゾン層破壊物質を使用せずに精度の高い温度制御が可能な温度制御装置を提供する。
【解決手段】冷媒の相変化により周囲と熱交換する熱交換部７１と、冷媒を熱交換部７１から流入し、内部の油と融合させるロータリーポンプ７３と、油に融合された冷媒をロータリーポンプ７３から流入し、油と分離させる油水分離機７４と、を備え、油と分離された冷媒を再び熱交換部７１に循環させることにより冷却機能を有する冷凍サイクルを構成する温度制御装置７０が提供される。 （もっと読む）

【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ１６と、プラズマ生成アンテナ１６に高周波電力を供給する高周波電源１８と、高周波電源１８とプラズマ生成アンテナ１６との間に介在する整合回路１９と、プラズマ生成アンテナ１６を構成し、整合回路１９を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４と、複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路３０−１〜３０−４とを有する。 （もっと読む）

【課題】被加工材とレジストのエッチングの選択比を高くすることのできるエッチング方法、、このエッチング方法により加工されたサファイア基板、及び、このサファイア基板を備える発光素子を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法であって、被加工材上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンが形成された前記レジスト膜を所定の変質用条件にてプラズマに曝し、前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、被加工材を変質用条件と異なるエッチング用条件にてプラズマに曝し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして被加工材のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域３０を含むＦＥＴ３４、活性領域３０からなるスクライブライン３６、ＦＥＴ３４とスクライブライン３６との間に位置する不活性領域３２、及び不活性領域３２を横断してＦＥＴ３４とスクライブライン３６とを電気的に接続する接続領域３８を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜２０を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜２０に選択的に開口部２１を形成する工程と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置の透過窓の洗浄頻度を低減させる。
【解決手段】ＩＣＰエッチング装置１は、基板２のホルダ５が設けられた処理室３を有し、処理室３の上部には円筒形の透過窓１１が取り付けられている。透過窓１１の内周にはコーティング層２３が形成されており、透過窓１１の外側にはＩＣＰコイル２５が配置されている。基板２のエッチング時には、ＩＣＰコイル２５から電磁波が処理室３内のエッチングガスを励起させてプラズマを発生させる。プラズマ中のイオンなどは、基板２に到達して基板２上の薄膜をエッチングすると共に、コーティング層２３をエッチングする。コーティング層２３がエッチングされることで、基板２上の薄膜から放出される物質が透過窓１１の内面に付着し難くなる。 （もっと読む）

【課題】温度設定の制御を適正化することにより温度安定待ち時間を短縮する。
【解決手段】複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置１の温度制御方法であって、プラズマ処理装置１の処理容器１０内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。 （もっと読む）