【課題】溶射皮膜の修理頻度を低減することができる載置台およびそのような載置台を用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｇにプラズマ処理を施す処理チャンバ内で基板を載置する載置台３であって、基材５と、基材の上に形成され、その上に基板が載置される載置部６′と、載置部６′の周囲に設けられた、分割式のシールド部材７′とを具備し、載置部６′は、シールド部材７′の分割部分に対応する部位を構成するセラミックス部材４３′と、それ以外の部分を構成する、表面にセラミックス溶射皮膜を有する溶射部とからなり、セラミックス部材４３′が交換可能である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、主表面が設けられた炭化珪素層１９が形成される。炭化珪素層１９の主表面の一部を覆うマスク１７が形成される。主表面に対して傾斜した側面ＳＳが炭化珪素層１９に設けられるように、マスク１７が形成された炭化珪素層１９の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が５０％以下である雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン層又は窒化シリコン層が側壁部に形成されたシリコン含有層の除去を、残渣が生じることなく、かつ、下層膜のロスを生じさせずに行うことができ、良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、パターニングされたシリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆うように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を形成する成膜工程と、シリコン含有層を選択的に除去し、側壁部に形成された窒化シリコン層又は酸化シリコン層を残すプラズマエッチング工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチング工程では、ＳＦ_６ガスを含むエッチングガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法が提供される。
【解決手段】本発明による半導体製造装置は工程チャンバーの外部で供給されるジフルオロメタンＣＨ_２Ｆ_２、窒素Ｎ_２、及び酸素Ｏ_２ガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー内へ供給する。プラズマが工程チャンバーへ供給される途中に三フッ化窒素ＮＦ_３が供給される。このような装置構造及びソースガスを利用してシリコン窒化膜をエッチングすると、他の種類の膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比を大きく増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】真空槽に導入されるプラズマと基板との間でプラズマに接する部材がプラズマ中の活性種を失活させることを抑えることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが導入される導入口１２ａを有する真空槽１０と、導入口１２ａと処理の対象物との間でプラズマに接する中間部材と、を備えるプラズマ処理装置について、中間部材を、導入口１２ａの周囲に吊り下げられた金属製の支柱３０と、支柱３０に連結されて導入口１２ａと互いに向かい合う金属製の対向板３１と、から構成する。そして、支柱３０及び対向板３１を、シリコン酸化膜３５により被覆する。 （もっと読む）

【課題】電極層の全域を適切に温度制御することができる電極ユニットを提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを基板に施す処理室１７を備える基板処理装置１０は、半導体ウエハＷを載置し、且つ処理室１７内に高周波電圧を印加するサセプタ１２と対向するように配置されている上部電極ユニットとしてのシャワーヘッド２９を備え、該シャワーヘッド２９は、処理室１７側から順に配置された、電極層３２、加熱層３３及び冷却層３４を有し、加熱層３３は電極層３２を全面的に覆うとともに、冷却層３４は加熱層３３を介して電極層３２を全面的に覆い、加熱層３３及び冷却層３４の間には伝熱シートが配置される。 （もっと読む）

【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジ粗さを低減させて特徴をエッチングする
【解決手段】ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法が提供される。層の上に、フォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、パターン形成される。複数のサイクルを実施することによって、フォトレジスト特徴の側壁の上に、厚さ１００ｎｍ未満の側壁層が形成される。各サイクルは、単分子層から２０ｎｍまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させることを含む。フォトレジスト特徴を通して、層内に特徴がエッチングされる。フォトレジスト層および側壁層は、剥ぎ取られる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるとともに、プラズマの逆流を確実に防止して冷却板の損傷及び被処理基板の汚染を防ぐことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に貫通する複数の通気孔１１が設けられるとともに、各通気孔１１は、放電面２１に開口する噴出側孔部２２と、その反対面に開口する導入側孔部２３とを厚さ方向の中間部で連結してなり、噴出側孔部２２は、導入側孔部２３との連結部２４から放電面２１に向かうにしたがって相互に離間する方向に傾斜する複数の細孔２５により構成され、導入側孔部２３は、連結部２４における横断面積と同じか又はそれより小さい横断面積を有し、各細孔２５の長さ方向に対して交差する方向に形成されている。 （もっと読む）