国際特許分類[H01L21/3065]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断 (21,268) | 化学的または電気的処理,例.電解エッチング (9,750) | プラズマエッチング;反応性イオンエッチング (7,154)
国際特許分類[H01L21/3065]に分類される特許
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プラズマ処理システムにおけるクリーニングまたはコンディショニングプロセスのエンドポイント決定方法及び装置
【課題】先行処理工程で表面に堆積された堆積層の厚みを測定することで、プラズマ処理工程のエンドポイントを決定する方法を提供する。
【解決手段】本方法はこの方法は同一平面にて堆積層厚を測定するように設計されたセンサーを提供し、堆積層厚を変化させるようにプラズマ処理チャンバをプラズマに曝露し、時間の関数として堆積層厚を決定し、堆積層厚の実質的に安定した測定値で特徴付けられ、その開始がエンドポイントを表す堆積層厚の安定状態の条件を確認する。
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多点電圧電流プローブシステム
【課題】様々な位置からのパラメータの測定結果を同期または時間相関させることができる計測システムおよび監視方法を提供する。
【解決手段】回路内の複数の位置の内の1つにおける高周波電力の電気的特性に基づいて出力信号をそれぞれ発生する複数のセンサチャネルであって、各センサチャネルが、高周波電力の電気的特性に基づいて第1の信号を発生するプローブ20と、周期信号を発生する発振器62と、センサチャネルのための出力信号を発生するために、前記第1の信号と前記周期信号とを混合するミキサ64とを含む複数のセンサチャネルと、センサチャネルからの複数の出力信号に基づいて第2の出力信号を発生する高周波結合器70,72とを含む。
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ノズルプレートの製造方法及び流体噴射ヘッドの製造方法
【課題】テーパー形状と垂直形状が連通した形状を効率的に形成できる微細構造の形成方法及び流体噴射ヘッドの製造方法の提供。
【解決手段】基板1に垂直な側壁部を有する第1開口部7と、第1開口部7と連通するテーパー状の側壁部を有する第2開口部10と、を備えた微細構造の形成方法であって、基板1上に階段状の構造を有する貫通孔5を備えたマスク2を形成する第1工程と、マスク2を介してドライエッチング工程と、保護膜8を形成するパッシベーション工程とを交互に連続して繰り返すことにより第1開口部7と第2開口部10とを形成する第2工程と、を備え、第2工程では、ドライエッチングにおけるエッチング量をパッシベーションにおいて形成される保護膜8の量よりも多くし、第2開口部10の側壁部となる基板1の一部をエッチングしつつ第1開口部7の底面をエッチングすることで、第2開口部10の側壁部をテーパー状に形成する。
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汚染物質除去用プラズマ反応器
【課題】本発明は、工程チャンバと真空ポンプの間に位置し、低圧プラズマを生成して工程チャンバから排出される汚染物質を除去するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】プラズマ反応器310は、内部にプラズマ生成空間を形成する少なくとも1つの誘電体30と、誘電体30の少なくとも一端に連結する接地電極41,42と、誘電体30の外周面に固定され、交流電源部60と連結して交流駆動電圧が印加される少なくとも1つの駆動電極50と、を含み、接地電極41,42は、プラズマ反応器310の長さ方向に沿って非均一直径を有する。
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三次元ナノ構造体アレイ
【課題】複雑な構造で、高精確性を有し、且つ生産コストが低い三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイの製造方法は、基板を提供する第一ステップと、前記基板の表面にマスク層を設置する第二ステップと、前記マスク層を加工して、前記マスク層の表面に、並列した複数のストリップ状の突部構造を形成し、隣接する該ストリップ状の突部構造の間に、凹溝を形成させる第三ステップと、前記マスク層をエッチングして、前記凹溝と対応する領域における前記基板の表面を露出させる第四ステップと、エッチングによって、前記隣接するストリップ状の突部構造を二つずつ互いに接近させて、更に接触させ、三次元ナノ構造体予備成形物を形成する第五ステップと、前記マスク層を取り除き、三次元ナノ構造体アレイを形成する第六ステップと、を含む。
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マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法
【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥(凹状欠陥、凸状欠陥)を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド21,11が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤20と下定盤10との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側20より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも1以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤20側にセットして行う。
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基板処理制御装置および基板処理制御方法、制御プログラム、可読記憶媒体
【課題】歩留まりおよび生産性の向上を図る。
【解決手段】圧力やガス流量などの装置動作条件を示す装置パラメータの現状態を抽出するパラメータ抽出手段41と、装置パラメータの現状態から装置加工結果を示す線幅や膜厚などの特徴量を算出する特徴量算出手段42と、算出した特徴量が規定範囲かどうかにより装置の処理を継続するかどうかを判断する継続判断手段43とを有し、継続判断手段43が装置の処理を継続すると判定した場合に所定の処理を行い、継続判断手段43が装置の処理を継続しないと判定した場合には、所定の処理を停止する。
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3Dフラッシュ構造用のエッチングプロセス
【課題】プラズマ処理室において、ウェハ上でスタックを形成するシリコン系の複数の二重層の中に高アスペクト比のフィーチャをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室に主エッチングガスが流入される。第1の圧力を提供しながら、主エッチングガスがプラズマにされる。20℃未満のウェハ温度が維持される。プラズマにより上記複数のシリコン系二重層のうちの複数の組を貫いてエッチングする間に、第1の圧力よりも低い第2の圧力まで圧力を降下させる。上記複数の二重層のうち第1の複数の組がエッチングされた後に、主エッチングガスの流入を停止させる。
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圧力制御装置
【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、バルブと、前記バルブに接続されている軸部と、ソレノイド部と、マイクロメータ部と、制御部と、を備えている。前記ソレノイド部は、前記軸部をソレノイド駆動によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整し、前記マイクロメータ部は、前記軸部に着脱自在に取り付けられるとともに、前記軸部に取り付けられた場合には前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整する。前記制御部は、前記マイクロメータ部を用いて前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部に取り付け、前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部から取り外す。
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耐プラズマ性部材
【課題】強度及び熱伝導率に優れた耐プラズマ性部材を提供する。
【解決手段】 一態様の耐プラズマ性部材は、少なくとも2相以上のセラミックスであり、イットリウム、ジルコニウムと第3の元素の中から選ばれる1種以上の酸化物を含み、前記イットリウム、前記ジルコニウムと前記第3の元素は、それぞれ酸化物換算で40mol%以上60mol%以下、5mol%以上20mol%以下、35mol%以上50mol%以下であることを特徴とする。
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