【課題】 シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を提供すること。
【解決手段】 基板Ｗ上に、シリコン酸化物膜１−１とシリコン窒化物膜２−１とを積層するシリコン酸化物膜１−１及びシリコン窒化物膜２−１の積層方法であって、シリコン窒化物膜２を成膜するガス中に、ボロンを添加する。 （もっと読む）

【課題】転写プロセスを用いずに、所期のグラフェンを制御性良く容易且つ確実に安定形成し、信頼性の高い高性能の微細な電子デバイスを実現する。
【解決手段】基板１上に絶縁層２を形成し、絶縁層２に空隙２Ａを形成し、空隙２Ａに触媒材料４を充填し、絶縁層２における触媒材料４の露出面４ａにグラフェン５を形成し、絶縁層２上でグラフェン５の両端部に接続するように一対の電極５，６を形成し、グラフェン５を一部除去してグラフェンリボン８を形成し、グラフェンリボン８の除去された部位である間隙２Ａ１，２Ａ２を通じて触媒材料４を除去する。 （もっと読む）

【課題】縦型アニール炉を使ったバッチ処理方式によってアニールを行った場合にも基板表面に異物が発生することがない、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１の表面にシリコン窒化膜１０２を形成する工程と、ＳｉＮ膜１０２上に、５ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下の厚さのＳｉＯ2膜１０３を形成する工程と、シリコン窒化膜１０２及び酸化膜１０３が表面に形成されたキャップ付き基板１を、表面を上にして複数枚互いに離間して上下方向に配置させた状態でアニールする工程と、アニール後のキャップ付き基板１から、ＳｉＮ膜１０２及びＳｉＯ2膜１０３を除去する工程と、を含む半導体製造方法によって化合物基板をアニールする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成される凹部をボイドの形成を低減しつつ、高スループットで埋め込むことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される基板載置部を含み真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、第１の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、第１及び第２の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの反応性生成物を改質する改質ガス及びエッチングするエッチングガスを活性化して供給する活性化ガス供給部とを含む成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極３ｃの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたＣＶＤ法により第１絶縁膜４１１を形成する。次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のごく表層部の不純物分析を、高感度かつ高精度に実施することのできる、半導体基板の酸化膜の形成方法、及び半導体基板の不純物分析方法を提供する。
【課題を解決するための手段】アンモニア溶液の液面に対して、半導体基板の一主面を並行に対向させて配置し、前記アンモニア溶液の液面と前記半導体基板の一主面との距離が均等になるように保持した状態で、常温下にて放置することを特徴とする半導体基板の酸化膜形成方法であり、さらに、半導体基板の一主面はシリコン、窒化ガリウムのいずれかで構成されていること、アンモニア溶液の液面と半導体基板の一主面との距離が３ｍｍ以上２０ｍｍ以下、放置時間が６０分以上４００分以下であること、アンモニア溶液の濃度が１５重量％以上３５重量％以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。
【解決手段】上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】安定して強い酸化力で基板の表面を酸化しシリル化することができる半導体基板の表面処理方法および基盤処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理方法は、硫酸を電気分解して酸化性溶液を生成する工程と、酸化性溶液を用いて半導体基板の表面に酸化膜を生成する工程とを備える。酸化性溶液を用いて半導体基板の表面を酸化しＯＨ基を生成し、半導体表面にシリル化剤を供給し、ＯＨ基とシリル化剤に含まれる有機物の加水分解により得られるＯＨ基との結合及び脱水縮合反応により半導体基板の表面を疎水化する。 （もっと読む）

【課題】有機アルミニウムと有機シラン化合物との混合物または反応物をＣＶＤにより成膜し、封止膜等に用いる。
【解決手段】一般式（１）の有機アルミニウム化合物
Ｒ^１_ｍＡｌＸ_ｎ（ＯＲ^２）_{３−（ｍ＋ｎ）} （１）
（式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｘは水素又は弗素等、ｍは１乃至３の数、ｎは０乃至２の数を表す。）
と、一般式（２）の有機シラン化合物
Ｒ^３_ｐＳｉ（ＯＲ^４）_４−ｐ （２）
（式中、Ｒ^３、Ｒ^４は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基、ｐは０乃至３の整数を表す。）
との混合物または反応物を用い、化学気相成長法により、炭素含有酸化アルミニウム酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜、ガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。 （もっと読む）