【課題】次の式の前駆体を用いて、原子層堆積によって、金属含有フィルムを形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ⁴）Ｃ（Ｏ）ＸＲ⁵_y）₂（ここで、Ｍは、第四族金属であり；Ｒ¹及びＲ²は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ；Ｒ³は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択されることができ；Ｒ⁴は、水素、Ｃ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；Ｒ⁵は、Ｃ_1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；ＸはＯ又はＮであるが、Ｘ＝Ｏの場合、ｙ＝１であり且つＲ^1、2及び5が同じとなり、Ｘ＝Ｎの場合、ｙ＝２であり、且つ各Ｒ⁵は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる）。 （もっと読む）

【課題】（１００）面に優先的に結晶配向が制御された強誘電体薄膜をシード層やバッファ層を設けることなく、簡便に得ることが可能な、強誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶面が（１１１）軸方向に配向した下部電極を有する基板の下部電極上に、強誘電体薄膜形成用組成物を塗布し、加熱して結晶化させることにより下部電極上に強誘電体薄膜を製造する方法の改良であり、強誘電体薄膜が（１００）面に優先的に結晶配向が制御された配向制御層により構成され、配向制御層を結晶化後の層厚を３５ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内にすることにより形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０を設けて反応生成物の改質処理を行うにあたり、天板１１に開口部１１ａを形成し、この開口部１１ａ内に筐体９０を配置する。そして、この筐体９０の内部に、回転テーブル２上のウエハＷに近接するようにプラズマ発生部８０を収納する。また、プラズマ発生部８０とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を設けて、プラズマ発生部８０で発生する電界及び磁界のうち電界を遮断して磁界をウエハＷに到達させるために、当該ファラデーシールド９５にスリット９７を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面に、Ａｌ２Ｏ３層を備えて表面パッシベーション層を形成するに際し、表面パッシベーション層は、パッシベーション層の良好な表面パッシベーション品質が維持されると共に、ブリスター形成が、高温でも回避される方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン基板の表面に表面パッシベーション層を形成する方法であって、この方法が、前記表面上に、１５ｎｍ以下の厚さを有するＡｌ_２Ｏ_３層を堆積するステップと、前記表面上への前記Ａｌ_２Ｏ_３層の堆積の後、５００℃と９００℃の間の範囲の温度でガス発生プロセスを行うステップと、ガス発生プロセスの後、前記Ａｌ_２Ｏ_３層上に、窒化シリコン層及び／又は酸化シリコン層等の少なくとも１個の追加誘電体層を堆積するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度を安全且つ高精度に制御する方法、と装置を提供する。
【解決手段】プロセス装置１はオゾン供給装置２１からオゾン濃度８０ｖｏｌ％以上のオゾン含有ガスが一定の流量で高温処理チャンバ２４に供されるオゾン供給ライン１１に前記オゾン含有ガスに対するオゾン分解因子の供給を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御するオゾン分解装置２２を備える。プロセス装置１においては前記オゾン含有ガスの流量が一定のもとで高温処理チャンバ２４のガス供給ライン１１と排気ライン１２の差圧に基づき当該チャンバ２４における発火が検出される。オゾン分解装置２２は前記オゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として供される紫外光領域の波長を含む光の照射強度を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御する。又、前記紫外光領域を含む光の代わりに熱が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率でリーク電流の低い誘電体膜を有する高集積化可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に誘電体膜を形成する成膜工程と、前記誘電体膜を熱処理する熱処理工程と、前記熱処理後の誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する照射工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴデバイスにおける高品質ゲート誘電体層を形成するのに有用な方法及び装置を提供する。
【解決手段】高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。次に、第２誘電体層をＣＶＤ又はＰＥＣＶＤ堆積処理を用いて基板上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】高温のアニールを必要とせずに、誘電率の高いルチル結晶構造の酸化チタン膜を形成する。
【解決手段】非晶質の酸化ジルコニウム膜上に、チタンプリカーサとしてメチルシクロペンタジエニルトリスジメチルアミノチタンを用いてＡＬＤ法により非晶質の酸化チタン膜を形成し、３００℃以上の温度でアニールして結晶化することでルチル結晶構造を有する酸化チタン膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】センサ上での、接続部およびワイヤボンドパッド等のメタライゼーション層の腐食を防止するためのデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスは、メタライゼーション層３００の上に配置される絶縁層４００と、絶縁層４００の上に配置される接着層２００を備え、接着層２００の上に金から構成される耐食性層１００を配置する。これにより、耐食性層１００として金を使用することに対応しながら、従来のシリコン−ガラス接着技術を使用することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体が持っている高移動度、高特性を低下させることが無く、長時間安定して駆動でき、高精細で画像欠陥が少ない画像を表示する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、発光層４１３と、これを挟む一対の電極４０８、４１３と、一対の電極４０８、４１３を介して発光層４１３を駆動し、かつ、ソース電極及びドレイン電極４１０、ゲート電極４０６、及び活性層４０９を有するＴＦＴと、マトリックス配線部を構成する走査電極線４０７、信号電極線４０３、第１の絶縁層４０４とを有する。活性層４０９は、少なくとも一部が非晶質であるＩｎとＺｎとを含む酸化物からなる。活性層４０９と第１の絶縁層４０４との間に、含有水素量が３×１０^２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）未満である第２の絶縁層４０８を有する。 （もっと読む）