【課題】平坦な表面を有する層間絶縁膜を短時間で形成することができ、また、層間絶縁膜の厚さの増大を招くことなく、金属イオンによる半導体基板の汚染に対する長期信頼性を保証することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に形成された層間絶縁膜８とを備えている。そして、層間絶縁膜８は、半導体基板２側から順に、ＨＤＰ膜１０、ゲッタリング層１２およびＮＳＧ膜１１が積層された構造を有している。ゲッタリング層１２は、金属イオン、とくに可動イオンを捕獲する性質を有している。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表層部に結晶欠陥が存在せず、ウェーハ内部においても酸素析出物やその他の結晶欠陥が低減されたシリコンウェーハ、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出された無欠陥領域からなるシリコンウェーハの外表面にポリシリコン層を形成する工程と、前記ポリシリコン層を形成したウェーハにＲＴＡ処理を施す工程と、ＲＴＡ処理後のウェーハのすくなくとも一方の主面のポリシリコン層を除去する工程とを有する製造方法。ＲＴＡ処理は窒化雰囲気または酸化性雰囲気中で行うことが望ましい。（２）ウェーハの内部の酸素析出物が低減されたシリコンウェーハで、前記製造方法により製造することができる。ウェーハの一方の主面にポリシリコン層が形成されていることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表層の酸素濃度を低減し、ウェーハ工程で表層の酸素析出物を消滅させるとともに、デバイス工程で酸素のドナー化を防止でき、また、シリコンウェーハの内部の空孔濃度を増加し、ウェーハ内部のゲッタリング能力を向上でき、更に、研磨時のダメージを除去できる、シリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶からスライスされたシリコンウェーハを、酸素と塩素とを含む雰囲気中において、８００℃以上シリコンの融点未満の熱処理温度で０．１秒以上６００秒以下の処理時間で熱処理する塩素空孔注入処理工程Ｓ４を有するシリコンウェーハの製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 金属不純物に対して高いゲッタリング能力を有するＳＯＩウェーハを提供する。
【解決手段】ＳＯＩウェーハ１０において、支持基板１の上部に熱酸化によるＢＯＸ層２が形成されている。ＢＯＸ層２の直上に、酸素、酸素と炭素、酸素と窒素、酸素と炭素と窒素のいずれかの組み合わせを含むシリコンからなるゲッタリング層３が形成され、ゲッタリング層３の直上に、半導体素子を形成するための単結晶シリコンからなるＳ層４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】バックサイドダメージ処理などによってＥＧ層が形成されたシリコンウェーハの表裏を判別する。
【解決手段】シリコンウェーハ２の第１の面２ａ及び第２の面２ｂに可視光Ａを照射して、その散乱光Ｂをそれぞれ測定する第１の工程（ステップＳ２，Ｓ３）と、第１の工程で得られた第１の面２ａ及び第２の面２ｂからの散乱光Ｂに基づいて、第１の面２ａと第２の面２ｂとを判別する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。本発明によれば、シリコンウェーハ２の第１の面２ａ及び第２の面２ｂの両方に対して可視光Ａを照射し、その散乱光Ｂに基づいて表裏判定を行っていることから、一方の面から得られる散乱光の絶対値から表裏判定を行う方法に比べて、極めて正確な表裏判定が可能となる。 （もっと読む）

【課題】急速昇降温熱処理に供した場合でも、原因となる酸素析出を低減してウェーハ変形発生を防止できるとともに、同時に、ウェーハ強度低下の原因となるボート傷・搬送傷から発生するスリップ伸展をも防止可能とする。
【解決手段】シリコン単結晶をチョクラルスキー法によりシリコン単結晶直胴部をＶｏｉｄ欠陥が存在する領域として育成する引き上げ工程と、スライスされたウェーハにＨ_２ やＡｒとされる非酸化性雰囲気による１１００℃以上で３０ｍｉｎ以上の高温アニール処理を施しデバイス形成領域であるウェーハ表層のＶｏｉｄ欠陥を消滅するＤＺ処理工程と、該ＤＺ処理工程前において、窒素を含まない非酸化性ガス雰囲気として、処理温度９５０℃〜１２００℃の範囲、保持時間５ｓｅｃ〜１ｍｉｎの範囲、降温速度１０℃／ｓｅｃ〜０．１℃／ｓｅｃの範囲とされる析出溶解熱処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製方法において、不純物元素を選択的に偏析させる方法を提供する。また、ディープサブミクロン領域の微細素子を形成することを可能とする。
【解決手段】シリコン基板上に形成された酸化珪素膜と、酸化珪素膜上に形成された単結晶シリコン層を有する半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン層に不純物元素を注入し、単結晶シリコン層に電気的に不活性な元素を注入し、単結晶シリコン層を熱酸化し、不活性な元素を注入した領域に選択的に酸化領域を形成し、酸化領域に不純物元素を偏析させる半導体装置の作製方法により、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチングプロセスを簡略化して、半導体層１８を薄く形成することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極１４を形成する。ゲート電極１４を覆うようにゲート絶縁膜１６を形成する。ゲート絶縁膜１６上の少なくともゲート電極１４と重なる領域に半導体層１８を形成する。半導体層１８の第１領域２０及び第２領域２２に挟まれる第３領域２４上にチャネル保護膜２６を形成する。第１領域２０及び第２領域２２並びにチャネル保護膜２６に対して、ドーパントを含有するガスによるプラズマ処理を行って、第１領域２０及び第２領域２２の表層２８の不純物濃度を高める。プラズマ処理が行われた第１領域２０及び第２領域２２の表層２８上に、それぞれ、ソース電極３２及びドレイン電極３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスおいて、ウェーハ外周部でデバイスプロセス中で析出形成が起こらず、Slip耐性の優れたシリコンウェーハとその製造方法とを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をチョクラルスキー法によりシリコン単結晶直胴部をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥領域として育成する引き上げ工程Ｓ１１と、スライスされたウェーハを鏡面加工する鏡面処理工程Ｓ１２と、該鏡面処理工程１２の前後において、窒素を含まない非酸化性ガス雰囲気として、処理温度９５０℃〜１２００℃の範囲、保持時間５ｓｅｃ〜１ｍｉｎの範囲、降温速度１０℃／ｓｅｃ〜０．１℃／ｓｅｃの範囲とされる析出溶解熱処理工程Ｓ３とを有し、製造されたシリコンエピタキシャルウェーハは、急速昇降温熱処理工程Ｓ５２を有するデバイス製造工程Ｓ５に供される。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて急速昇降温熱処理に供した場合でも、原因となる酸素析出を低減してウェーハ変形発生を防止できるとともに、同時に、ウェーハ強度低下の原因となるボート傷・搬送傷から発生するスリップ伸展をも防止可能なシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗値が０．０２Ωｃｍ〜１ｋΩｃｍとなるようにボロンがドープされ、初期酸素濃度Ｏｉが、１４．０×１０^１７〜２２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３(Ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）とされたシリコン単結晶基板に対して、その表面にエピタキシャル層を成長するエピタキシャル工程Ｓ２と、該エピタキシャル工程Ｓ２の前後において、処理温度１１５０℃〜１３００℃の範囲、保持時間５ｓｅｃ〜１ｍｉｎの範囲、降温速度１０℃／ｓｅｃ〜０．１℃／ｓｅｃの範囲とされる析出溶解熱処理工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）