【課題】Ｃｕに対するゲッタリング効果を向上してなるアニールウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒素濃度５×１０^１４〜１×１０^１６／ｃｍ^３、炭素濃度１×１０^１５〜５×１０^１６／ｃｍ^３、酸素濃度６×１０^１７〜１１×１０^１７／ｃｍ^３を含むシリコン基板に対して、６５０℃以上８００℃以下の温度で、４時間以上の熱処理を行い、しかる後に、１１００℃以上１２５０℃以下の温度で、アルゴンアニールを行い、アニール後の内部積層欠陥密度５×１０^８／ｃｍ^３以上であることを特徴とするアニールウェハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】撓みやすい基板をベース基板として用いる場合であっても、半導体層が設けられた基板（ベース基板）を歩留まりよく作製する。
【解決手段】半導体層が設けられた基板の作製方法において、基板上に設けられた半導体層にレーザ光を照射して当該半導体層の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。そして、前記半導体層の表面を平坦化する工程において、前記レーザ光の照射により前記半導体層が完全溶融するのに必要な最小の照射エネルギー密度を１００％としたとき、前記半導体層に照射する前記レーザ光の照射エネルギー密度を７２％以上９８％以下とし、好ましくは８５％以上９６％以下とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥形成領域の平面位置精度を上げることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ドリフト層１２、ｐ型ベース層１５、ｎ＋型ソース層１６及びゲート電極２５を有するＭＯＳＦＥＴと、ｎ型ドリフト層１２の表面から徐々に増加する再結合中心となる結晶欠陥密度分布のテール領域Ｔ１を有し、ｎ型ドリフト層１２中のｐ型ベース層１５とｎ型ドリフト層１２のｐｎ接合を順方向に流れる電流経路またはその近傍に、テール領域Ｔ１から続く欠陥ピーク領域３１を有し、裏面に向かって欠陥ピーク領域３１から続く徐々に減少するテール領域Ｔ２を有し、平面的に選択的に形成されたライフタイム制御領域６と、ライフタイム制御領域６に隣接し、表面の結晶欠陥密度が、ライフタイム制御領域６の表面の結晶欠陥密度を超えることはなく、表面から裏面に徐々に増加するテール領域Ｔ３を有するライフタイム非制御領域７とを備える。 （もっと読む）

【課題】面方位が（１００）の単結晶シリコン膜および面方位が（１１０）の単結晶シリコン膜を有するＳＯＩ基板を、高い歩留まりで作製する方法を提供する。
【解決手段】面方位が（１００）の第１の単結晶シリコン基板１０００内に第１のイオンをドープして、第１の脆化層を形成する。面方位が（１１０）の第２の単結晶シリコン基板１００２内に第２のイオンをドープして選択的に第２の脆化層を形成する。第１の加熱処理では、第１の脆化層のみから第１の単結晶シリコン基板の一部をはく離し、第１の単結晶シリコン膜を形成する。第２の単結晶シリコン基板であって、第２の脆化層が形成されていない領域を除去し、第２の加熱処理では、第２の脆化層から第２の単結晶シリコン基板の一部をはく離し、第２の単結晶シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低酸素のシリコン単結晶に含まれるＰｖ領域とＰｉ領域の境界を判定する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハに対し、少なくとも５００℃〜９００℃までの温度範囲を２℃／ｍｉｎ以下のレートで昇温させるランピング昇温熱処理を施した後、酸素析出物を成長させる酸素析出物成長熱処理を行い、これによって顕在化された酸素析出物の分布によって、シリコンウェーハの結晶欠陥分布を判定する。本発明によれば、低酸素のシリコン単結晶であっても、Ｐｖ領域における酸素析出が十分となることから、Ｐｖ領域とＰｉ領域の境界判別を容易に行うことが可能となる。したがって、ＯＳＦ領域を指標とすることなく、Ｐｖ領域かＰｉ領域しか含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の最表面の露出状態にあるＳｉ層を凝集が生じる温度以上に加熱昇温する場合に、当該Ｓｉ層が凝集するのを防止でき、さらにＳＯＩ基板上に保護膜を形成することなく凝集を抑制することができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、Ｓｉ基板３１上に絶縁層３２とＳｉ層３３が順次積層されて成るＳＯＩ基板２７で、露出状態にあるＳｉ層を加熱昇温するとき、加熱昇温過程で水素化物ガスを供給する。これにより、Ｓｉ層が凝集する前に、凝集前の温度で水素化物ガスが解離してＳｉ層のダングリングボンド４１をＨ等の所定原子で終端させる。 （もっと読む）

【課題】水素雰囲気における単結晶引き上げによってＶ／Ｇの広い制御性を維持したまま、水素欠陥の発生を抑える。
【解決手段】チョクラルスキー法により水素欠陥密度が０．００３個／ｃｍ^２以下であるシリコン単結晶を育成する方法であって、前記シリコン単結晶を育成する雰囲気ガスが水素含有物質の気体を水素ガス換算分圧で４０〜４００Ｐａ含む状態の結晶育成工程と、引き上げられた前記シリコン単結晶を冷却する際に、８５０℃から５５０℃までとされる水素集合温度範囲の滞在時間を１００分以上４８０分以下に設定する冷却状態制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】熱処理の効果を損なうことなく、スリップ転位の伸展を効果的に抑制可能なシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハの熱処理方法は、８００℃を超える温度領域においてシリコンウェーハを一定温度に保持することなく、シリコンウェーハを昇温させる昇温区間とシリコンウェーハを降温させる降温区間からなる昇降温プロセスを複数回繰り返すことを特徴とする。本発明によれば、スリップ転位が伸展しやすい８００℃を超える温度領域においてシリコンウェーハを一定温度に保持することなく昇降温を行っていることから、スリップ転位の伸展を抑制することが可能となる。しかも、昇降温プロセスを複数回繰り返していることから、加熱時における積算時間の確保も可能となり、シリコンウェーハに十分な高温熱履歴を与えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れたＳＯＩ基板及びその作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速された水素イオンを照射することにより、単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱し、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成し、半導体層の表面にレーザー光を照射して半導体層の少なくとも表層部を溶融させる際に窒素、酸素、又は炭素の少なくともいずれか一を半導体層に固溶する。 （もっと読む）

【課題】他のプロセスの効率を低下させることなく、１枚の半導体基板の使用効率を高めることを課題の一としている。何度も再利用して膜厚が減少した半導体基板をＳＯＩ基板の製造プロセスにおいて有効に活用し、低コスト化を図ることを課題の一としている。欠陥や歪みや不純物の少ない単結晶半導体層をＳＯＩ基板の製造に使用できるようにすることを課題の一としている。
【解決手段】ＳＯＩ基板の製造プロセスにおいて、ボンド基板として用いる半導体基板を所定の回数繰り返し利用した後、第１の単結晶半導体基板を第２の単結晶半導体基板と貼り合わせ、互いに貼り合わされた第１の単結晶半導体基板と第２の単結晶半導体基板からなる積層基板をＳＯＩ基板の製造プロセスにおけるボンド基板として使用する。第１の単結晶半導体基板は、第２の単結晶半導体基板と貼り合わせを行う面に、ゲッタリングサイトとして機能する層と、その上に絶縁層とを有する。 （もっと読む）