【課題】デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染を防止する。
【解決手段】シリコン基板の裏面を研削することにより厚みを１００μｍ以下とする裏面研削工程Ｓ３１と、研削されたシリコン基板の裏面を研磨する裏面研磨工程Ｓ３２と、シリコン基板の裏面に重金属イオンとは逆の電荷を印加することによって、重金属イオンをシリコン基板の裏面に凝集させる凝集工程Ｓ３３と、シリコン基板の裏面に凝集した重金属イオンを除去する処理工程Ｓ３４ａとを備える。本発明によれば、裏面研削工程などで導入される重金属イオンが裏面に凝集され、その後除去されることから、デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染が防止される。 （もっと読む）

【課題】重金属を捕捉するゲッタリングサイトを短時間で容易に形成することが可能な半導体デバイス向け半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲッタリングシンクの形成形状としては、単結晶ウェーハの一面に対して平行に広がり、かつ単結晶ウェーハ２の厚み方向に延びる任意の３次元形状に形成されれば良い。ゲッタリングシンクの具体的な形状としては、例えば、立方体形状、直方体形状、円柱形状などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染を防止する。
【解決手段】シリコン基板の裏面を研削することにより厚みを１００μｍ以下とする裏面研削工程Ｓ３１と、研削されたシリコン基板の裏面を研磨する裏面研磨工程Ｓ３２と、シリコン基板を加熱することによってシリコン基板中の重金属を裏面に凝集させる凝集工程Ｓ３３と、シリコン基板の裏面に凝集した重金属を除去する除去工程Ｓ３４とを備える。本発明によれば、裏面研削工程などで導入される重金属が凝集され、その後除去されることから、デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染が防止される。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２をレーザ照射装置にセットし、半導体基板２を移動させつつレーザビームを照射する。この時、レーザ発生装置１５から出射されたレーザビームは、集光用レンズ（集光手段）１１によって集光点（焦点）が半導体基板２の一面から数十μｍ程度深い位置になるように集光される。これにより、半導体基板２の結晶構造が改質され、ゲッタリングシンク４が形成される。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングサイトを短時間かつ容易に形成できるとともに、ゲッタリングサイトの形成に伴う内部応力による転位欠陥の発生の懸念が少ない半導体デバイス向け半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージ加熱装置４８によって、単結晶ウェーハ２を所定の温度範囲、例えば４００℃以上、１０００℃以下に予め加熱しておくことによって、レーザビームＱ２の入射時における集光点近傍の最高到達温度と、単結晶ウェーハ２全体の温度との温度差を小さく保つことができる。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ボロン濃度に基づく比抵抗が２ｍΩ・ｃｍ以上２００ｍΩ・ｃｍ以下であるシリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１と、シリコン基板１１に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入工程Ｓ１２と、シリコン基板１１のイオン注入を行った側の表面に膜厚が１０μｍ以下のエピタキシャル膜１２を形成する工程Ｓ１３とを備える。これにより、デバイス後工程でシリコン基板１１の裏面を研削することによってチップを薄型化し、さらに裏面研磨を施したとしても、デバイス後工程で導入されうる重金属汚染に対して十分なゲッタリング能力を発揮することができる。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ボロン濃度に基づく比抵抗が２ｍΩ・ｃｍ以上２００ｍΩ・ｃｍ以下であり、初期酸素濃度が７×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上２．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１ａと、シリコン基板１１の内部に酸素を析出させる工程Ｓ１２ａと、シリコン基板１１に膜厚が１０μｍ以下のエピタキシャル膜１２を形成する工程Ｓ１４ａとを備える。これにより、デバイス後工程でシリコン基板１１の裏面を研削することによってチップを薄型化し、さらに裏面研磨を施したとしても、デバイス後工程で導入されうる重金属汚染に対して十分なゲッタリング能力を発揮することができる。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染を防止する。
【解決手段】シリコン基板の裏面を研削することにより厚みを１００μｍ以下とする裏面研削工程Ｓ３１と、研削されたシリコン基板の裏面を研磨する裏面研磨工程Ｓ３２と、シリコン基板の少なくとも裏面を酸水溶液に浸す重金属除去工程Ｓ３３とを備える。本発明によれば、裏面研削工程などで導入される重金属が酸水溶液によって抽出され、これによりシリコンウェーハから重金属が除去されることから、デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染が防止される。 （もっと読む）

【課題】デバイスの薄厚化によっても、充分なゲッタリング能を有するとともに、注入原子がデバイス活性層に影響を及ぼしてデバイス特性が低下することを防止可能とする。
【解決手段】注入工程と、注入した注入元素の濃度がウェーハ厚さ方向においてピークとなるピーク位置を含み、かつ、注入元素の５０％以上９８％以下を含有するピーク層までウェーハ表面から除去する注入ピーク層除去工程と、を有し、前記注入元素濃度ピーク位置よりも深い深さ位置に対応してゲッタリング能のピークを有するゲッタリング層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを保持治具に支持させて熱処理する際、該保持治具との接触により発生するスリップの伸長を簡便かつ低コストで抑制することができる熱処理用シリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ保持治具により支持されて熱処理されるシリコンウェーハにおいて、前記シリコンウェーハＷの前記保持治具と接触する接触部の周囲に、前記接触部を起因として発生する転位の伸張を抑制する溝部１１を形成する。 （もっと読む）