【課題】良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を提供することを課題の一つとし、良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを課題の一つとし、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】イオンの照射等により損傷した半導体領域を選択的に除去することが可能な方法を用いて半導体基板の凸部を除去し、さらに、ＣＭＰ法をはじめとする研磨処理によって、半導体基板の平坦化を行う際に、半導体基板表面に酸化膜を形成することにより、半導体基板の研磨レートを均一にして、一様に研磨処理を行う。または、上記方法を用いて再生半導体基板を作製し、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】高電源電圧回路部に十分なラッチアップ耐性を持たせつつ、低電源電圧回路部においても高電源電圧回路部と同じトレンチ分離を使用しながら高い素子集積度を持った半導体装置を提供する。
【解決手段】トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供することを目的の一とする。または、開示する発明の一態様では、半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを目的の一とする。または、開示する発明の一態様では、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを目的の一とする。
【解決手段】損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、前記絶縁層が除去されるエッチング処理と、前記半導体基板を構成する半導体材料を酸化する物質、前記酸化された半導体材料を溶解する物質、および、前記半導体材料の酸化の速度および前記酸化された半導体材料の溶解の速度を制御する物質、を含む混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して前記損傷半導体領域が選択的に除去されるエッチング処理と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い光電変換素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。または、簡単な工程で、特性の良い光センサ光電変換装置を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】光透過性を有する基板と、光透過性を有する基板上の絶縁層と、絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第１の導電型を示す半導体領域、および、第２の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、第１の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第１の電極と、第２の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第２の電極とを有する光電変換素子とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜が分離された後の分離後の半導体基板を、ＳＯＩ基板作製に用いることが可能な再生半導体基板に再生する際に、分離後の半導体基板の取り代を削減し、１枚の半導体基板を再生使用できる回数を増やす半導体基板の再生処理方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液を用いて、分離後の半導体基板の周辺部に残存した脆化層及び半導体層を選択的に除去する半導体基板の再生処理方法である。なお、イオンドーピング装置により水素ガスから生成される、少なくともＨ_３^＋イオンを含む複数種のイオンを照射することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 （もっと読む）

【課題】暗時リーク電流の発生を抑えた裏面照射型固体撮像素子を製造可能な、裏面照射型固体撮像素子用ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】素材ウェーハ１１を急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置２１に入れ、熱処理を行う（ＲＴＡ工程）。この急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）処理時に、ＲＴＡ装置２１の炉内雰囲気を、窒素を含むように、ガスＧを流入させるのが好ましい。こうした急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）処理は、例えば、１１５０〜１３５０℃の範囲で、１〜６０秒行えばよい。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を炭素ドープウェーハに比べてより深々度範囲に形成可能とし、ｐ型の高周波デバイス向けシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、窒素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜１００μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】薄厚化に対応しゲッタリング能力の確実性とその向上を図る。
【解決手段】ＣＺ法により窒素濃度が５.０×１０^１２〜１.０×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、初期酸素濃度が１．４×１０^１８〜１.６×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３として育成されたシリコン単結晶から製造されたシリコン基板であって、表面にデバイスが形成され、その厚みが４０μｍ以下μｍ以上とされるとともに、前記シリコン基板の裏面に２００Ｍｐａ以下〜５Ｍｐａ以上の残留応力が生じる外因性ゲッタリングが付与される。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング能力に優れ、エピタキシャル層内へのエピ欠陥発生が抑制され、抵抗変動率の少ないエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が、18×10¹⁷〜21×10¹⁷atoms/cm³のシリコン単結晶インゴットをチョクラルスキー法によって育成する育成工程と、前記シリコン単結晶インゴットからウェーハを切り出す工程と、前記シリコンウェーハに対して、750℃〜850℃までの温度で20分以50分以下の熱処理を行う工程と、前記シリコンウェーハに対してエピタキシャル成長を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 高酸素シリコン基板の表面直下にゲッタリングシンクを形成する工程と、前記高酸素シリコン基板の表面上に、第１エピタキシャル層を形成する工程と、該第１エピタキシャル層上に、第２エピタキシャル層を形成する工程とを具え、前記ゲッタリングシンクを形成する工程は、前記高酸素シリコン基板に、650〜1150℃の温度で長時間熱処理を施すことにより、酸素析出物領域を形成することを含むことを特徴とする。 （もっと読む）