【解決手段】不純物を含む基板の表面及び／又は裏面に、該不純物を捕獲する不純物捕獲成分を含有する不純物除去層を形成した後、基板温度６５０℃以上８００℃未満の範囲で熱処理する低温ゲッタリング処理、及び基板温度８００〜９００℃の範囲で熱処理する高温ゲッタリング処理のいずれか一方又は双方のゲッタリング処理を行って、上記不純物除去層内に上記不純物を捕獲することを特徴とする基板処理方法。
【効果】本発明によれば、基板の品質特性を向上させることができる。本発明を用いて、不純物により汚染されたシリコン基板、特に低級シリコン基板を処理することにより、これを太陽電池用のシリコン基板等として適用可能とすることができるため、高い光電変換効率を確保しつつ、太陽電池の製造コストを大幅に削減することができ、低コスト太陽電池の普及に貢献することができるという効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有
用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を
形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製
する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、
プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／
ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】キャリアのライフタイムを長寿命化した結晶系シリコン基板を提供できる表面処理方法及び当該結晶系シリコン基板を用いて特性が向上した太陽電池セルを製造できる太陽電池セルの製造方法を提供する。
【解決手段】ホスフィンガスと水素ガスとを含む反応性ガスを、加熱された触媒体に接触させることによりラジカルを発生させ、このラジカルを、結晶系シリコンからなる被処理基板５１に供給することにより被処理基板５１の表面処理を行う。当該処理がなされた被処理基板５１には、リンがドープされたｎ^＋型ドープ層５２が形成される。次に、当該ｎ^＋型ドープ層５２にシリコン窒化膜５３を形成する。これにより、被処理基板５１とシリコン窒化膜５３との界面におけるキャリアの寿命が長寿命化する。また、当該処理基板５１を用いて特性が向上した太陽電池セル５０が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板においてゲッタリングされた不純物金属の再拡散を抑止でき、デバイス活性領域の洗浄度を向上させたゲッタリング方法を提供することにある。
【解決手段】デバイス活性領域と異なる半導体基板内部の領域に、酸素起因欠陥（ＢＭＤ）よりなるゲッタリング層を有する半導体基板の表面に、正の電荷を有する膜である酸化膜を付加する。この半導体基板を５０°Ｃ超え３００°Ｃ以下の温度、好適には１００°Ｃで、３０分以上２時間以内の所定時間加熱することにより、半導体基板内部に拡散した金属不純物をゲッタリング層にトラップする。 （もっと読む）

【課題】基板を反らせる量が小さく重金属の捕獲のために有利なゲッタリング技術を提供する。
【解決手段】第１面および第２面を有する半導体基板の少なくとも前記第２面の上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜を熱処理することによって前記アモルファスシリコン膜を結晶化させ、これにより、表面に凹凸を有するシリコン膜を形成する工程と、前記半導体基板の少なくとも前記第１面に素子を形成する工程とを含み、前記シリコン膜によって重金属が捕獲される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製方法において、再生処理におけるボンド基板の熱処理回数を減らす。
【解決手段】ボンド基板となる半導体ウエハには、その表面に絶縁層を形成し、加速されたイオンの照射によりその内部に脆化領域を形成する。そして、ガラス基板、半導体ウエハなどのベース基板とこの半導体ウエハを貼り合わせる。そして、加熱処理をして半導体ウエハを脆化領域で分割し、絶縁層を介してベース基板上に半導体層が設けられているＳＯＩ基板を作製する。このＳＯＩ基板を作製する前に、半導体ウエハにアルゴンガス雰囲気などの非酸化性雰囲気下、または酸素ガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気下で１１００℃以上の熱処理を行う。この熱処理を行うことで、半導体ウエハの再生処理に１１００℃以上の高温の熱処理を毎回行う必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１は、素子形成面である第１の面１ａ及びその反対側の第２の面１ｂを有する。第１の面１ａから第２の面１ｂまで半導体基板１を貫通するように貫通孔２０が形成されている。貫通孔２０の内壁上に絶縁膜２１及びバリア膜２２が順次形成されている。絶縁膜２１及びバリア膜２２が形成された貫通孔２０が埋まるように導電部２３が形成されている。貫通孔２０の周辺に位置する部分の半導体基板１における少なくとも第１の面１ａ側にゲッタリングサイト３０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部において、ボイド等の結晶欠陥を低減させることができ、また、デバイスプロセスにおける熱的応力等の負荷によるスリップの伸長を抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、酸素濃度が１．４×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上のシリコンウェーハに、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を１３２５℃以上シリコンの融点以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、前記ウェーハの表裏面に酸素含有ガスを供給し、最高到達温度Ｔ１を１３００℃以上シリコンの融点以下とし、前記最高到達温度からの降温速度を７５℃／秒以上１２０℃／秒以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】再度、鏡面研磨等を行う必要がなく、デバイス活性領域における酸素濃度の低下を抑制し、かつ、デバイス活性領域の欠陥密度を大きく低減することができるシリコンウェーハの製造方法の提供。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハに対して、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１３９０℃以下の最高到達温度で急速昇降温熱処理を行う工程と、前記熱処理を行ったシリコンウェーハの半導体デバイスが形成される表面側におけるデバイス活性領域の表面部に対して、不活性ガス雰囲気中、レーザー光を照射して、１２００℃以上１３５０℃以下の最高到達温度でレーザー熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）