【課題】薄厚化に対応しゲッタリング能力の確実性とその向上を図る。
【解決手段】ＣＺ法により窒素濃度が５.０×１０^１２〜１.０×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、初期酸素濃度が１．４×１０^１８〜１.６×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３として育成されたシリコン単結晶から製造されたシリコン基板であって、表面にデバイスが形成され、その厚みが４０μｍ以下μｍ以上とされるとともに、前記シリコン基板の裏面に２００Ｍｐａ以下〜５Ｍｐａ以上の残留応力が生じる外因性ゲッタリングが付与される。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング能力に優れ、エピタキシャル層内へのエピ欠陥発生が抑制され、抵抗変動率の少ないエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が、18×10¹⁷〜21×10¹⁷atoms/cm³のシリコン単結晶インゴットをチョクラルスキー法によって育成する育成工程と、前記シリコン単結晶インゴットからウェーハを切り出す工程と、前記シリコンウェーハに対して、750℃〜850℃までの温度で20分以50分以下の熱処理を行う工程と、前記シリコンウェーハに対してエピタキシャル成長を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 高酸素シリコン基板の表面直下にゲッタリングシンクを形成する工程と、前記高酸素シリコン基板の表面上に、第１エピタキシャル層を形成する工程と、該第１エピタキシャル層上に、第２エピタキシャル層を形成する工程とを具え、前記ゲッタリングシンクを形成する工程は、前記高酸素シリコン基板に、650〜1150℃の温度で長時間熱処理を施すことにより、酸素析出物領域を形成することを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とする。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、炭素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜７０μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコン基板に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入（ステップＳ１２ａ）した後、結晶回復熱処理を行うことなく、シリコン基板をエピタキシャル成長装置に搬送する（ステップＳ１３ａ）。そして、エピタキシャル成長装置を用いて結晶回復熱処理を行い（ステップＳ１４ａ），次いで、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ１５ａ）。本発明によれば、結晶回復熱処理のための専用の熱処理装置が不要となる。これにより工程数の増加が防止されることから、安価なシリコンウェーハ及び半導体デバイスを提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 一般的なエピタキシャルウエーハを用いて、部分ＳＯＩ基板を用いた場合と同様、更にはより広範な種類のパワー素子等の縦型素子構造を組み込んだ半導体素子を安価に製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｐ型シリコン単結晶基板に、Ｎ型エピタキシャル層と半導体エピタキシャル層を形成する工程と、半導体エピタキシャル層に半導体素子とトレンチを形成する工程と、半導体素子が形成された側の表面に保持基板を貼り合わせる工程と、Ｎ型エピタキシャル層に正電圧を印加して、Ｎ型エピタキシャル層をエッチストップ層として電気化学的エッチングによりＰ型シリコン単結晶基板を除去する工程と、露出した表面に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜のうち、縦型素子とする半導体素子が形成された領域に対応する位置の絶縁膜を除去する窓明けを行う工程と、窓明け部に、裏面電極を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハバルク部に存在するボイド欠陥が、デバイスプロセスにおいて汚染源となることが抑制され、さらに、スリップの発生源となることも抑制されたシリコンウェーハの提供。
【解決手段】ウェーハ表面部１はボイド欠陥が存在しない無欠陥領域であり、ウェーハ表面部１よりも深いウェーハバルク部２は、八面体を基本形状とする多面体で構成され、前記多面体の角部が曲面状であり、かつ、内壁酸化膜が除去されたボイド欠陥４が存在しているシリコンウェーハを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜が分離された後の分離後の半導体基板を、ＳＯＩ基板作製に用いることが可能な再生半導体基板に再生する際に、分離後の半導体基板の取り代を削減し、１枚の半導体基板を再生使用できる回数を増やす半導体基板の再生処理方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液を用いて、分離後の半導体基板の周辺部に残存した脆化層及び半導体層を選択的に除去することを特徴とする半導体基板の再生処理方法である。なお、イオン注入装置により水素ガスから生成される、Ｈ^＋イオンを注入することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 （もっと読む）

【課題】サイズが大きい酸素析出物の形成を抑制すると共に、適正なサイズの酸素析出物の密度を増加させ、かつ、ウェーハの塑性変形を効果的に抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハを、６００℃以下の第１の温度Ｔ₁で保持された処理室内に搬入した後、Ｔ₁から７００℃以上８００℃以下の第２の温度Ｔ₂（Ｔ₁＜Ｔ₂）まで昇温速度３．１℃／分以下で昇温する第１の昇温過程Ｓ１ａと、Ｔ₂から最高到達温度Ｔ₃（Ｔ₂＜Ｔ₃）まで昇温すると共に、Ｔ₂とＴ₃との間の８００℃以上１１００℃以下の温度範囲における一定温度Ｔ₄で３０分以上２４０分以下保持する過程を含む第２の昇温過程Ｓ１ｂと、Ｔ₃で一定時間保持する最高到達温度保持過程Ｓ２と、Ｔ₃から前記シリコンウェーハを処理室外に搬出する温度まで降温する降温過程Ｓ３と、を経るように熱処理する。 （もっと読む）