【課題】重金属汚染物質による半導体装置又は光電変換装置の特性の悪化を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板における第１の側の面に第１のゲッタリング層を形成する第１の工程と、前記第１の工程の後に、酸化雰囲気中で前記半導体基板を加熱することにより、前記半導体基板における前記第１の側と反対側の第２の側の面に酸化膜を形成する第２の工程と、前記第２の工程の後に、前記第１のゲッタリング層の少なくとも一部を除去する第３の工程と、前記第３の工程の後に、前記半導体基板の前記第２の側にポリシリコン層を形成するとともに前記半導体基板の前記第１の側に第２のゲッタリング層をポリシリコンで形成する第４の工程と、前記ポリシリコン層をパターニングすることにより、ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜及びゲート電極を形成する第５の工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】急速昇降温熱処理に供した場合でも、原因となる酸素析出を低減してウェーハ変形発生を防止できるとともに、同時に、ウェーハ強度低下の原因となるボート傷・搬送傷から発生するスリップ伸展をも防止可能とするシリコンウェーハとその製造方法とを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をチョクラルスキー法により育成する引き上げ工程と、スライスされたウェーハを鏡面加工する鏡面処理工程とを有し、前記引き上げ工程において、シリコン単結晶直胴部をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥領域として育成するとともに、このシリコン単結晶からスライスされたウェーハ外周部において同心円状に分布する空孔優勢な無欠陥領域であるＰｖ領域がウェーハ外周部から径方向２０ｍｍ以内の領域に存在せず、それ以外の領域が、格子間シリコン優勢な無欠陥領域であるＰｉ領域からなるように引き上げる。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】多光子吸収工程によってゲッタリングシンク４を形成した後で、シリコンウェーハ２を鏡面研磨する（ポリッシング工程：図４（ｂ）参照）。シリコンウェーハ２を鏡面研磨するポリッシング工程によって、前工程である多光子吸収工程においてレーザビームの照射により生じたシリコンウェーハ２の一面２ａの微細な傷（アブレーション）は完全に除去される（図４（ｂ）参照）。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を１３００℃以上シリコンの融点以下とし、前記最高到達温度からの降温速度を５０℃／秒以上１４５℃／秒以下として、急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタにおいて、半導体層に残留する残留金属触媒を最小化して特性が向上した薄膜トランジスタとその製造方法、及び有機電界発光表示装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と；基板上に形成されたシリコン膜と；シリコン膜上部に形成された拡散層と；拡散層上に形成された金属触媒を利用して結晶化した半導体層と；半導体層のチャネル領域に対応するように位置するゲート電極と；半導体層とゲート電極を絶縁させるためにゲート電極と半導体層間に位置するゲート絶縁膜と；半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極とを含む。また、基板全面にかけて位置する保護膜；及び保護膜上に位置し、ソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極、有機膜層及び第２電極を含む有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を炭素ドープウェーハに比べてより深々度範囲に形成可能とする。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、窒素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜７０μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ表層においては、ＣＯＰを消滅させてＤＺ層を形成すると同時に、バルク中においては、ＢＭＤを高密度で形成し、スリップの発生を抑制することができるＲＴＰによるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたウェーハを急速加熱・急速冷却熱処理する際、昇温過程では非酸化性ガス雰囲気とし、最高到達温度を１３００℃以上シリコンの融点以下の温度とし、前記最高到達温度での保持状態における雰囲気を、前記ウェーハの表面側は酸素分圧２０〜１００％の酸化性ガス雰囲気とし、前記ウェーハの裏面側は非酸化性ガス雰囲気とし、降温過程では、前記ウェーハの表面側および裏面側のいずれも、非酸化性ガス雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に複数のエピタキシャル層を備えたエピタキシャルシリコンウェーハであっても、半導体デバイスの形成後に汚染された重金属を確実にデバイスの形成領域から除去可能なエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】第一エピタキシャル層１２には、ボロン（Ｂ）濃度が２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、５．５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の第一のゲッタリング領域１５を、第二エピタキシャル層１３には、カーボン（Ｃ）濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の第二のゲッタリング領域１４をそれぞれ形成した。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板中に脆化領域を形成し、酸化膜を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱することにより、脆化領域において、単結晶半導体層が貼り合わされた支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、支持基板に貼り合わされた単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加して第１のエッチングを行い、単結晶半導体層に対してレーザビームを照射して、単結晶半導体層の少なくとも表面の一部を溶融した後、凝固させ、単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加することなく第２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＯＩ基板等のシリコン層を用いた固体撮像装置において、そのシリコン層の汚染金属をゲッタリングすることを可能にする。
【解決手段】シリコン層１１の裏面側から入射光を受光して光電変換する光電変換部１２と、前記シリコン層１１の表面側に前記光電変換部１２で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部１３を有し、前記シリコン層１１の表面側で平面レイアウト上前記光電変換部１２にオーバラップする位置に応力を有するゲッタリング層１６を有する。 （もっと読む）