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国際特許分類[H01L21/52]の内容

国際特許分類[H01L21/52]に分類される特許

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【課題】Sn系はんだを用いて半導体素子を接続した半導体装置において、高温環境下においても動作安定性を確保でき、かつ、高電流負荷に耐えうる構造体を提供する。
【解決手段】金属製導体に固定したセラミックス基板23に半導体素子を装着して金属製導体に放熱用のヒートシンクを取付けた構成を有する半導体装置において、半導体素子はセラミックス基板23に装着する側の面にNiメタライズ層が形成されており、半導体素子のNiメタライズ層が形成された面とセラミックス基板23とを母相の平均結晶粒径が20μm以上のSn系はんだで接合した構成とした。 (もっと読む)


【課題】被着体に片状体を適切に接着することができる接着剤層を設けることのできる転写装置および転写方法を提供する。
【解決手段】転写装置1は、接着シートS1およびリングフレームRF1を介してウェハWを支持する第1支持手段2と、ウェハWに対向配置させて転写シートS2を支持する第2支持手段3と、ウェハWと転写シートS2とを互いに離間接近させる当接手段4と、転写シートS2の接着剤層AD2を流動化させる流動化手段5と、転写シートS2を変形させる側面接着手段6と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】
作業性と熱伝導性に優れた液状樹脂組成物およびそれを半導体用ダイアタッチ材または放熱部材用接着剤として使用した際に熱放散性に優れ、高い信頼性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物、(B)非導電性の熱伝導性フィラー、(C)チキソ性付与剤を含有し、前記(B)の比表面積が5〜9m/g、前記(B)の含有量が35〜50vol%、さらに(C)の含有量が1wt%以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】接着剤層を片状体の形状に沿って正確に分割することのできる転写装置および転写方法を提供する。
【解決手段】転写装置1は、接着シートS1およびリングフレームRF1を介してウェハWを支持する第1支持手段2と、ウェハWに対向配置させて転写シートS2を支持する第2支持手段3と、ウェハWと転写シートS2とを互いに離間接近させる当接手段4と、転写シートS2の接着剤層AD2を流動化させる流動化手段5と、接着剤層AD2を割断する割断手段6と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】α線による影響を低減することが可能な半導体装置製造用の接着シート、ダイシングフィルム一体型半導体装置製造用の接着シート、及び、当該半導体装置製造用の接着シートを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】α線放出量が0.002c/cm.h以下である半導体装置製造用の接着シート3。無機フィラー、及び、イオン捕捉剤を含むことを特徴とする半導体装置製造用の接着シート3。前記イオン捕捉剤は、窒素含有化合物、水酸基含有化合物、カルボン酸基含有化合物からなる群より選ばれる1種以上の有機系錯体形成化合物であることを特徴とする半導体装置製造用の接着シート3。ダイシングフィルム一体型接着シート10に於ける接着シート3の半導体ウェハ貼り付け部分3a上に半導体ウェハ4を圧着し、これを接着保持させて固定する。なお、ダイシングフィルム11は、基材1上に粘着剤層2が積層された構造である。 (もっと読む)


【課題】 プロセスおよびフィラーやワイヤー等の材料に含まれる銀によるイオンマイグレーションを防止でき、長期信頼性の確保が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】 接着剤層とボンディングワイヤーとを有する半導体装置であって、ボンディングワイヤーの一部が接着剤層内に埋め込まれており、接着剤層に用いられる接着シートは、10ppmの銀イオンを有する水溶液50ml中に、重さ2.5gの接着シートを浸漬し、120℃で20時間放置した後の水溶液中の銀イオン濃度が、0〜9.9ppmである半導体装置。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と基板との接合強度のばらつきを抑制し、得られる製品の歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体素子1と、少なくとも表面の主元素をCuとする基板2と、前記半導体素子より小さな形状のZnAl共晶はんだチップ3’と、をそれぞれ準備する工程と、前記半導体素子と前記基板とをそれぞれの接合面が対向するように配置して、これら基板と半導体素子との間に前記ZnAl共晶はんだチップを挟む工程と、前記基板と前記半導体素子との間に挟んだ前記ZnAl共晶はんだチップに荷重31をかけながら昇温して、前記ZnAl共晶はんだチップを融解させてZnAlはんだ層3を形成する工程と、前記ZnAlはんだ層に荷重をかけながら降温する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置製造用の接着シート内での陽イオンの拡散を抑制することが可能な半導体装置製造用の接着シートを提供すること。
【解決手段】 ボンディングワイヤーが上面に接続されている第1の半導体チップ上に、ボンディングワイヤーの一部が半導体装置製造用の接着シート内に埋め込まれるように、第2の半導体チップを貼り付けるための半導体装置製造用の接着シートであって、イオン捕捉剤を含有しており、熱硬化後のガラス転移温度が50℃以上である半導体装置製造用の接着シート。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で正確なピックアップを行える接着剤層付き片状体を製造可能な転写装置および転写方法を提供することにある。
【解決手段】転写装置1は、接着シートS1を介してウェハWを支持する第1支持手段2と、ウェハWに対向配置させて転写シートS2を支持する第2支持手段3と、ウェハWと転写シートS2とを互いに接近する方向に移動して当接させる当接手段4と、転写シートS2の接着剤層AD2を流動化させる流動化手段5と、接着シートS1を変形させて接着剤層AD2に貼付する押圧手段6と、接着シートS1を転写シートS2から離間する方向に移動させて、接着剤層AD2を基材シートBS2から引き剥がす割断手段7と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 製造される半導体装置の電気特性の低下を防止して製品信頼性を高めることができるとともに、薄型化を進めてもウェハないし半導体チップへの機械的損傷を防止可能なフィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】 本発明に係るフィルム状接着剤は、樹脂骨格から遊離したイオン捕捉性有機化合物と、平均粒径が500nm以下の無機フィラーと、接着性樹脂とを含む。 (もっと読む)


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