【課題】配線回路基板において、コンタクト抵抗の上昇を抑制し、熱応力による断線を防止することのできるコンタクト構造を提供する。
【解決手段】 配線回路基板は、第１配線層（５）、第２配線層（７）、及び前記第１配線層と前記第２配線層を電気的に接続するコンタクト配線（６）を有する。前記コンタクト配線は、前記第１配線層のコンタクト面を被覆する第１被覆部（６ａ）と、前記第２配線層のコンタクト面を被覆する第２被覆部（６ｃ）と、前記第１被覆部と前記第２被覆部の間に延びるプラグ部（６ｂ）を有する。前記第１被覆部、前記プラグ部、及び前記第２被覆部は、同一の導電性材料で一体的に形成された内部に界面のないコンタクト配線である。 （もっと読む）

【課題】 相互接続配線とその上方のキャップ層との接着力を向上することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０１上の誘電体層３０５中にその上面に自然酸化膜を含む金属の相互接続配線３１０を形成し、誘電体層及び前記金属の相互接続配線の少なくとも一部を覆いマンガン原子又はイオンを含む第１のキャップ層４０５を形成し、第１のキャップ層４０５上に絶縁体である第２のキャップ層４１０形成し、自然酸化膜及び第１のキャップ層は、第１のキャップ層と相互接続配線との間に酸化マンガンを形成するために反応する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳキャパシタとその制御用集積回路を反りの抑えられた１枚の基板上に有する半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔を含む貫通孔領域を有する基板と、前記基板の上方のＭＥＭＳキャパシタと、前記ＭＥＭＳキャパシタの下方の前記ＭＥＭＳキャパシタの制御用集積回路とを有する半導体装置を提供する。前記制御用集積回路は、前記基板上のトランジスタを含む。前記ＭＥＭＳキャパシタの真下の前記基板上の領域と前記貫通孔領域とは、少なくとも一部において重なる。 （もっと読む）

【課題】下層の金属配線のダメージがなく上層の金属配線が形成され、かつ、配線間の寄生容量が低減された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板上に設けられた第1の金属配線層と、
前記第1の金属配線層上に設けられ、該第1の金属配線層の金属の拡散を防止する拡散防止膜と、前記拡散防止膜上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた、前記拡散防止膜と同じ材料からなる第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜と、前記拡散防止膜、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に形成された接続孔に充填され、前記第１の金属配線層に電気的に接続された第２の金属配線層と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ビット線材料埋設体の形状のばらつきに起因するビット線の配線抵抗値のばらつきを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、第一溝４内に第一のビット線材料埋設体６および第二のビット線材料埋設体１０からなるビット線１１を形成する第一工程と、ビット線１１に含まれる不純物を拡散させて第一不純物拡散領域１３を形成する第二工程と、ピラー部１ｂを形成する第三工程と、ピラー部１ｂに対向する配線１７を第二溝１５内に形成する第四工程と、ピラー部１ｂの先端部に、第二不純物拡散領域１９を形成する第五工程と、を具備し、第一工程が、第一溝４を完全に埋め込むように第一ビット線材料を形成した後に第一ビット線材料表面を平坦化し、第一溝４底部に残るように第一ビット線材料をエッチバックする工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】安定した形状の信頼性の高いエアギャップを効率良く形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、半導体基板上に、ビアホール及びエアギャップ用トレンチを含む複数のホールを有する層間絶縁膜を形成する。次に、エアギャップ用トレンチ内に有機材料を埋め込んだ後、硬化させる。また、ビアホール内にビアプラグを形成する。この後、エアギャップ用トレンチ内に埋め込まれた有機材料を除去することにより、エアギャップを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明ではフォトリソグラフィー技術解像限界付近のパターン形成を安定して形成すると共に、コンタクトプラグなどの構造物における目合わせずれや接触面積の縮小による接触電気抵抗の増大や接続不良を解決する。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁材料層１００に、第１の方向に延在し、底部の幅Ｗ１より上部の幅Ｗ２が広い第１の溝１０１を形成する工程と、第１の溝１０１内に、溝の上端より低い位置まで埋め込み層１０２を形成する工程と、埋め込み層１０２上に露出している第１の溝１０１の側壁を覆うサイドウォール１０３を形成する工程と、サイドウォール１０３をマスクとして埋め込み層１０２をエッチングして第１の方向に分離する工程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール形成時の重ね合わせずれに起因したリークの増大やコンタクト抵抗の上昇が抑制された半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００と、半導体基板１００上にゲート絶縁膜１０１を介して形成されたゲート電極１０２と、ゲート電極１０２の側壁上に形成されたサイドウォールスペーサ１５０と、半導体基板１００のうち、ゲート電極１０２及びサイドウォールスペーサ１５０を間に挟んで両側に形成されたソースドレイン領域１０６と、ゲート電極１０２、サイドウォールスペーサ１５０、及び半導体基板１００の上面を覆う応力絶縁膜１１０とを備えている。サイドウォールスペーサ１５０は、少なくとも中央部のゲート長方向膜厚よりも上部のゲート長方向膜厚の方が大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成されたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の信頼性を向上させる。また、半導体装置の製造工程を簡略化する。
【解決手段】ＳＯＩ基板ＳＢ上に形成された複数のｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴＱｎを有する半導体装置において、ＢＯＸ膜の下部の支持基板の上面に拡散層であるｎ^＋型半導体領域を形成し、ｎ^＋型半導体領域と電気的に接続され、素子分離領域１を貫くコンタクトプラグＣＴ２を形成することで、支持基板の電位を制御する。ＳＯＩ基板ＳＢの平面において、各ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴＱｎは第１方向に延在しており、第１方向に複数形成されて隣り合うコンタクトプラグＣＴ２同士の間に配置された構造とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトの抵抗値のばらつきを抑え、歩留りを安定させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された導電層上に、絶縁膜を形成し、ハロゲンガスを含む第１のガスを用いて絶縁膜をドライエッチングして、導電層の表面を露出させ、露出した導電層に対しハロゲンガスを還元可能な第２のガスを用いて第１のプラズマ処理を行い、露出した導電層に対しＣ元素及びＯ元素を含みハロゲン元素を含まない第３のガスを用いて、第２のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）