【課題】信号速度および信号伝送路長の関係から、信号品質劣化を引き起こす信号伝送路長を避け、インピーダンスを調整できるようにした電子装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】信号波形の悪化の主要因となる周波数を求め、半導体素子および伝送路のインピーダンス整合をこの周波数において取る。インピーダンスの整合は、伝送路の形状、主にその長さを調節することで行う。インピーダンス整合の観点において伝送線路の長さに認められる範囲を求めて、この条件を満たすように電子装置を設計製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】ＢＧＡ（半導体装置）の平坦度検査において、常温での平坦度の（＋）方向の許容範囲が（−）方向の許容範囲に比べて小さい平坦度規格を形成し、前記平坦度規格を用いて常温での半導体装置の平坦度検査を行って実装良品／実装不良品を判定することにより、リフロー実装等の際の加熱時のパッケージ反りに起因する実装不良を低減してＢＧＡの信頼性の向上を図るとともに、より実装状態を考慮した基板タイプの半導体装置の平坦度管理を行う。 （もっと読む）

【課題】電子部品と回路基板との隙間に存在するボイドを低減して、電子部品の信頼性を向上させる構造体を提供する。
【解決手段】回路基板１０の電極部又は前記電子部品の端子部上に、前記回路基板１０及び前記電子部品の隙間の間隔よりも薄い膜厚の第１の樹脂材を供給する工程と、前記第１の樹脂材を供給した後、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接触させたまま、前記回路基板１０の電極部又は前記電子部品の端子部上に配設された半田材３０を第１の温度で溶融して、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接続する工程と、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接続した後、前記回路基板１０及び前記電子部品の隙間に第２の樹脂材を充填する工程と、前記第２の樹脂材を、前記第１の温度よりも低温である第２の温度で加熱する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型化され、製品の特性が向上されたパッケージ回路基板及びこれを用いたパッケージを提供する。
【解決手段】このパッケージ回路基板及びこれを用いたパッケージは、印刷回路基板に代わって半導体基板を使用して微細電子素子チップを実装し、この半導体基板上には、能動素子又は受動素子が形成されている。これにより、小型化され、製品の特性が向上されたパッケージ回路基板及びこれを用いたパッケージを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、積層基板のエレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、磁性体を含む素子の電気的特性を向上することができる電子回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路装置において、第１の絶縁基材１２１（２）と、第１の絶縁基材１２１（２）の表面上に配設された第１の導電体１２８（１）と、第１の絶縁基材１２１（２）の裏面上に配設された第２の導電体１２６（１）と、第１の絶縁基材１２１（２）の裏面上に第２の導電体１２６（１）を介在し接着された第２の絶縁基材１２２（１）とを備えたトランス基板１２と、トランス基板１２に配設された磁性体と、基板１２の第１の絶縁基材１２１（２）の端面から第２の絶縁基材１２２（１）の端面に渡って配設された絶縁性を有する樹脂被膜１２９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を２つ積層した構造の半導体装置において、製造工程数を少なくする。
【解決手段】 第１の半導体ウエハ２１ａ上に封止膜１２ａ等が形成されたもののうちの第１の半導体ウエハ２１ａの下面を、第２の半導体構成体２１ｂ下に封止膜１２ｂ等が形成されたもののうちの第２の半導体構成体２１ｂの上面に直接固着する。この後、ダイシングストリート２２に沿って切断すると、ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を２つ積層した構造の半導体装置が複数個得られる。これにより、ＣＳＰと呼ばれる２つの半導体構成体を個々に製造してから、この２つの半導体構成体を積層する場合と比較して、製造工程数を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の特性を有する電子部品内蔵基板を安定して提供する。
【解決手段】電子部品と、電子部品を覆う部品内蔵絶縁層と、部品内蔵絶縁層の下面側に設けられた第１配線と、部品内蔵絶縁層の上面側に設けられた第２配線と、第２配線および電子部品の端子に電気的に接続する第１接続ビアと、第１配線および前記第２配線に電気的に接続する第２接続ビアを有し、電子部品の端子は保護絶縁膜に覆われ、この保護絶縁膜上に前記部品内蔵絶縁層が設けられ、第１接続ビアは、部品内蔵絶縁層と保護絶縁膜を貫通して電子部品の端子に接している、電子部品内蔵基板。 （もっと読む）

【課題】ビアホール加工性に優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁層２１と、絶縁層２１の一方の面側に第一金属層１１と、他方の面側には第二金属層１２および支持部材１３とがこの順に積層されてなる支持部材付き金属層７とが設けられた積層板１０を用意し、第一金属層１１を選択的に除去した後、選択的に除去した部分にレーザを照射することにより絶縁層２１に第二金属層１２の表面に達する貫通孔を形成する工程と、無電解めっきにより第一金属層１１表面および貫通孔１９表面にめっきを形成する工程と、支持部材１３を第二金属層１２から剥離する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】特にスイッチング機能を有する発熱部品の実装用基板の特性に着目し、簡易な構造を通じて適切な放熱効果が得られるようにした発熱部品の放熱構造を提供する。
【解決手段】スイッチング機能を複数備えた発熱部品であるＦＥＴ１〜４を用いたＨブリッジ回路５が組み込まれる積層基板６の構造、すなわち、ノイズを外に出さないための絶縁層６６等を有する積層構造に着目して、各発熱部品に対して共通となる絶縁層６６の少なくとも複数個所を表層に露出させ、これを絶縁シートとして代用してそこに共通の放熱部材である放熱板７を直付けするようにした。 （もっと読む）

【課題】外部から加わる衝撃などの応力の緩和が可能なセンサーデバイス、モーションセンサー、及び、これらを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】センサーデバイス１は、シリコン基板１０の能動面１０ａ側に設けられた第１の電極１１ｂ，１１ｄ，１１ｆと、応力緩和層１５と、その応力緩和層１５上に設けられた外部接続端子１２ｂ，１２ｄ，１２ｆと、を含む。応力緩和層１５上には配線３６ｂ，３６ｄ，３６ｆが形成され、外部接続端子１２ｂ，１２ｄ，１２ｆ接続されている。能動面１０ａ上の配線１６ｂ，１６ｄ，１６ｆと、応力緩和層１５上の対応する配線３６ｂ、３６ｄ、３６ｆとは、ビアホール３０ｂ、３０ｄ、３０ｆにより接続されている。ビアホール３０ｂ、３０ｄ、３０ｆは、外部接続端子１２ｂ，１２ｄ，１２ｆと振動ジャイロ素子２０の接続電極としての引き出し電極２９ｂ，２９ｄ，２９ｆとの接合領域外に配置されている。 （もっと読む）