【課題】本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、基板と樹脂封止体との密着性を向上し、エレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、電気的信頼性を向上することができる電子回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路装置において、絶縁基材１１１〜１１３に導電体１１５〜１１８が配設された基板１１と、基板１１上に配設された電子部品と、基板１１及び電子部品を覆う樹脂封止体１７と、基板１１の端面１１Ｃと樹脂封止体１７との間に配設され、基板１１と樹脂封止体１７との密着性に比べて高い密着性を有する樹脂被膜３７とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】下段パッケージ２上に上段パッケージ９が積層されて成るＰＯＰ１において、下段パッケージ２の配線基板７の上面７ａの周縁部に配置された第１ランド群と、中央部に配置された第２ランド群との間の第１領域におけるソルダレジスト膜７ｔ１の開口部７ａｃがソルダレジスト膜７ｔ２によって塞がれていることにより、開口部７ａｃにおいてクラックの起点を形成しにくくすることができ、クラック形成の抑制化を図ってＰＯＰ１の信頼性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、第１の面１０ａと、第１の面１０ａに位置する電極１２とを有する半導体素子１０を準備する工程と、電極１２を含む第１の面１０ａに、第１の樹脂層２０を形成する工程と、電極１２と電気的に接続し、第１の樹脂層２０の半導体素子１０と対向する第２の面２２とは反対側の第３の面２３に第１の金属層３１を形成する工程と、第１の金属層３１の第１の樹脂層２０と対向する第４の面３３と第４の面３３の反対側の第５の面３４を接続する第６の面３５と、第５の面３４と、を覆う第２の樹脂層４１を形成する工程と、第２の樹脂層４１に第１の金属層３１の第５の面３４を露出する開口部４２を設ける工程と、第２の樹脂層４１が、第１の金属層３１の第６の面３５とを覆った状態で、開口部４２内に無電解メッキで第２の金属層５１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】限られた量のアンダーフィル材によって半導体素子側面全周でフィレットの高さを確保可能である半導体装置、半導体装置の製造方法、及びパッケージを提供すること。
【解決手段】パッケージ１０は、ＷＬ−ＣＳＰであって、半導体素子１３の回路面１３Ａの下側に樹脂層２１が形成される。パッケージ１０における半導体素子１３の側面全周に渡り樹脂層２１よりも上部に段部１６が形成される。その段部１６にアンダーフィル材１５を追加注出することによって、段部１６上に供給されたアンダーフィル材１５が段部１６の上面１６Ａに滞留して段部１６全体を覆う。従って半導体素子１３の側面全体を覆うフィレット１５Ａを形成できる。樹脂層２１とシリコンチップである半導体素子１３との界面接着の信頼性が確実に確保される。 （もっと読む）

【課題】小型で設計の自由度が高く高信頼性の電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供する。
【解決手段】電子部品搭載用パッケージは、上面に設けられた電子部品の搭載部１ａと上面から下面にかけて設けられた貫通孔１ｂとを含む基体１と、貫通孔１ｂに充填された封止材２と、封止材２を貫通して基体１に固定されており、基体１の上面から上方へ突出している上端と基体１の前記下面から下方へ突出している下端とを有しており、電子部品が電気的に接続される端子３とを備えている。封止材２は、端子３を取り囲むように円柱状に形成されているとともに上方または下方へ隆起している突起部２ａを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの大型化を抑られる手段を提供する。
【解決手段】上面に端子２９を有する多層配線板２０を作成し、多層配線板２０の端子となるコンタクト導体３０を多層配線板２０の下面に形成し、多層配線板２０の端子となる柱状導体３５を多層配線板２０の上面に形成し、半導体チップ４０を多層配線板２０の上面に搭載して、半導体チップ４０の外部接続用電極４１を端子２９に接続し、封止材５０によって半導体チップ４０を覆い、柱状導体３５を封止材５０から露出させる。このようにして作成した半導体デバイス１〜３の積み重ねに際しては、半導体デバイス１の柱状導体３５と、半導体デバイス２のコンタクト導体３０とをバンプ４によって半田付けし、半導体デバイス２の柱状導体３５と、半導体デバイス３のコンタクト導体３０とをバンプ５によって半田付けする。 （もっと読む）

【課題】電極層と樹脂との密着性を高めた半導体素子搭載用基板を提供すること。
【解決手段】金属板の表面に感光波長の異なるレジストにより下層と上層からなる２層のレジスト層を形成する工程と、前記下層のレジスト層は未露光の状態で前記上層のレジスト層を所定のパターンで露光する工程と、前記上層のレジスト層に所定のパターンで開口部を形成し、その開口部から未露光の前記下層のレジスト層を、前記上層のレジスト層のパターンで開口部を形成して前記金属板表面を部分的に露出させる現像工程と、前記下層のレジスト層を露光して硬化させる工程と、前記下層のレジスト層から露出している前記金属板表面に所定のめっきを形成する工程と、前記下層と上層からなる２層のレジスト層を全て剥離する工程を順次経ること。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と金属層とを短時間で接合することができるパワーモジュール用基板の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２に金属層６，７を接合材を介して積層した積層体３０を、高温下で加圧することにより接合してパワーモジュール用基板３を製造するための装置であって、積層体３０の両面に配置されるクッションシート４０と、加熱時の熱膨張に伴う積層体３０及びクッションシート４０の積層高さの増大を拘束する固定手段１１０とを具備するとともに、クッションシート４０は、グラファイト層４１の両面にカーボン層４２が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィル材を用いなくとも、柱状電極と半田端子との接合強度不足や、信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数の配線と、複数の配線上にそれぞれ接続された複数の半田端子と、複数の配線の少なくとも一部を覆う樹脂層と、を備えている。樹脂層上には、少なくとも半田端子の周囲を覆うオーバーコート膜が被膜され、隣接する半田端子間のオーバーコート膜の高さは、半田端子の高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】局所的に腐食し難い水冷式放熱器付き金属−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】内部にセラミックス基板１８を配置した鋳型内にアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯して冷却することによって、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路用金属板２０を形成してセラミックス基板１８の一方の面に直接接合させるとともに、互いに所定の間隔で離間して配置された複数のフィンまたは柱状突起部を備えたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板１２を形成してセラミックス基板１８の他方の面に直接接合させた後、セラミックス基板１８を鋳型から取り出して、ベース板１２の表面（水冷式放熱器１６の内面に対応する部分）のダブルジンケート処理を行い、その後、ベース板１２のフィンまたは柱状突起部を取り囲むように蓋体１４を取り付ける。 （もっと読む）