【課題】簡略基板を用いることにより安価な半導体部品を供給することが可能になり、かつ、封止体内に外部接続用のマイクロボールを埋め込むことにより薄型かつ外部端子接続性に優れたＢＧＡ半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡ半導体パッケージは、半導体素子を搭載する基板と半導体素子と基板を接着する接着剤と基板に設けられたスルーホールにはめ込まれた導電性のマイクロボールと、半導体素子とマイクロボールとを電気的に接続するボンディングワイヤと、半導体素子、接着剤、マイクロボールの一部、およびボンディングワイヤを基板の半導体素子面側を封止樹脂で封止する封止体とを備えたＢＧＡ半導体パッケージにおいて、マイクロボールの底面の少なくとも一部が、封止体の底面から基板に設けられたスルーホールを通して外部接続用端子として露出する露出部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを封止した樹脂封止体等における樹脂に起因する反りを抑制することを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板上１に剥離層２と配線層３とを形成する。配線層３上に複数の半導体チップ７を実装する。複数の半導体チップ７を封止樹脂層９で封止する。樹脂封止体１１全体を第１の保持体１２で平坦に保持し、剥離層２を加熱しつつせん断して支持基板１から樹脂封止体１１を分離する。分離された樹脂封止体１１を第１の保持体１２で平坦に保持した状態を維持しつつ冷却した後、第１の保持体１２による樹脂封止体１１の保持状態を解除する。樹脂封止体１１を切断して回路構成体を個片化する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の下面に樹脂からなる裏面保護膜が設けられた半導体装置の製造に際し、シリコン切削用のブレードの寿命が長くなるようにする。
【解決手段】ウエハ２１の下面に形成された樹脂からなる裏面保護膜３のダイシングストリート２２の幅方向中央部に対応する部分に、レーザーにより開口部２３を形成する。次に、樹脂切削用のブレード２７を用いて、ダイシングストリート２２およびその両側の樹脂からなる封止膜１３およびウエハ２１の上面側を切削して溝２８を形成する。次に、シリコン切削用のブレードを用いて、ダイシングストリート２２に対応する部分におけるウエハ２１および裏面保護膜３を切削する。この場合、シリコン切削用のブレードによる裏面保護膜３の切削は開口部２３の分だけ減少し、ブレードの目詰まりのリスクを低減し、ウエハの切削面のチッピング発生を抑えることができるとともに、ブレードの寿命を長くすることができる。 （もっと読む）

【課題】より短い接着剤加熱時間で、基板同士の接着強度のばらつきをより小さくすることができる接続構造体を提供する。
【解決手段】２つの基板３を電気接続する接続構造体１に係る。接続構造体１は、接着剤４が充填される接着剤充填溝５であって、接続端子２を挟んで設けられた接着剤充填溝５と、接続端子２を挟む２つの接着剤充填溝５を連通する連通溝６からなり、２つの基板３の接続端子２が対向した状態で接着剤４が流れる複数の流路９と、を備える。流路９の１つは、一方の接着剤充填溝５ａから他方の接着剤充填溝５ｂへ流れる接着剤４の流動抵抗が他方の接着剤充填溝５ｂから一方の接着剤充填溝５ａへ流れる接着剤４の流動抵抗よりも小さく、他の流路９は、他方の接着剤充填溝５ｂから一方の接着剤充填溝５ａへ流れる接着剤４の流動抵抗が一方の接着剤充填溝５ａから他方の接着剤充填溝５ｂへ流れる接着剤４の流動抵抗よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】アタッチメントへの半導体用封止材の付着を抑制しながら、良好なフィレットを形成することのできる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】厚みが１００μｍ以下の半導体チップを基板に実装する半導体チップの実装方法であって、基板に半導体用封止材を供給する工程と、前記半導体用封止材を介して、半導体チップを前記基板に搭載する工程と、前記半導体用封止材を硬化する工程とを有し、前記基板は、水との接触角が３０°以下である半導体チップの実装方法。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル配線基板を折り曲げることで裏面電極（外部端子）を形成する半導体装置のコプラナリティを高くして、電極の相対的位置精度を向上させることができる、接続信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブル配線基板１０上のＬＳＩチップＣを覆うように支持体２０を配置し、該支持体２０の周囲で該支持体２０を包むよう該フレキシブル配線基板１０を折り曲げた半導体装置において、前記支持体２０は、フレキシブル配線基板１０上に搭載されたＬＳＩチップＣの裏面高さを均一にし、かつ内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体から形成する。 （もっと読む）

【課題】大電流の集中を緩和できるパケージ基板及びこれを用いたモジュール並びに電気・電子機器を提供すること。
【解決手段】パッケージ基板は、第１主面に搭載される半導体チップ８にバンプ７を介して接続される電源パターン３ａ−２備えた第１導電層３ａと、第２主面に実装されるシステム基板にＢＧＡ２を介して接続される電源パターンを備え第２主面に形成された第２導電層３ｆと、中間電源層３ｂ〜３ｅと、層間絶縁層４ａ〜４ｅと、層間絶縁層を貫通して第１電源層、中間電源層、第２電源層を接続するために積層された複数ビアを有し、高抵抗ビア６ａが半導体部品の搭載領域に対応して位置し、低抵抗ビア６ｂが搭載領域の外側の周辺領域に対応して位置しており、パッケージ基板において、搭載領域に対応して位置する電流経路が高抵抗であり、搭載領域の外側の周辺領域に対応して位置する電流経路が低抵抗である。 （もっと読む）

【課題】端子部と封止樹脂との密着性を高めた半導体素子搭載用リードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ１００〜２００μｍの銅板の表裏面に所定形状のめっき層１１を形成し、表面側に形成した前記めっき層１１を覆うレジストマスクを形成し、裏面側は銅板の全面を覆うレジストマスクを形成し、前記表面側よりエッチング抑制剤として銅と親和性のある窒素を含んだ有機化合物を含有するエッチング液を用いてハーフエッチング加工を行い、前記銅板の深さ方向に銅板を貫通しないように５０〜１００μｍ溶解除去して空間部を形成するとともに、前記空間部の側面には窪みを形成し前記空間部の上端周縁に１０〜３０μｍの庇状の突出部が形成されるようにすること。 （もっと読む）

【課題】外部接続端子となるリードピンの位置精度を向上可能な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本配線基板の製造方法は、配線層１１，１３，１５，１７と絶縁層１２，１４，１６，１８を積層し、半導体チップ搭載領域が設けられた第１主面及び前記第１主面の反対面である第２主面を備えた基板本体１０を作製する第１工程と、前記第１主面に、前記半導体チップ搭載領域を露出する開口部２２ｙを備えた補強部材２２を固着する第２工程と、前記第２工程の後、前記第２主面に設けられた接続パッドに導電材１９を介してリードピン２０を接合する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板の配路能力（routability）を高め、デバイスの信頼性を高めるＢＧＡパッケージを提供する。
【解決手段】ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）パッケージのフットプリントから、はんだボール（及び、それらのそれぞれのはんだボール・パッド３４、バイア３２、及びトレース又は線３０）のポピュレーションを選択的に減らすことにより、デバイスの信頼性を高める配路技術、及びそのように変更されたＢＧＡパッケージを開示する。ポピュレーションを減らしたはんだボールから生じる隙間を、はんだボール・パッドから、半導体ダイが取付けられる基板の外面へトレース又は線を配路するための付加的なスペースとして用いる。最適なバイア直径を保持しつつ、更に縮小を続けるパッケージのはんだボールの数を増やし、これによって、デバイス信頼性が高まる。 （もっと読む）