【課題】電源電圧の変動に対して高い効果が得られるデカップリングキャパシタを搭載可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板２３と、半導体基板２３を貫通し、かつ電源ライン１２及び接地ライン１３に電気的に接続された複数の貫通電極２１と、半導体基板２３の裏面に設けられ、かつ複数の貫通電極２１に電気的に接続され、かつデカップリングキャパシタ４０が実装される複数の端子２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、セラミックス基板２１の一方の面に接合された第一の金属板２２と、セラミックス基板２１の他方の面に接合された第二の金属板２３と、第二の金属板２３の他方の面側に接合されたヒートシンク１１と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成され、この第一の金属板２２の一方の面が電子部品３が搭載される搭載面２２Ａとされており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成され、ヒートシンク１１は、耐力が１００Ｎ／ｍｍ^２以上の金属材料で構成され、その厚さが２ｍｍ以上とされている。 （もっと読む）

【課題】微細ピッチ技術に適用可能なフリップチップボンデッドパッケージを提供する。
【解決手段】２列に、かつ互いにジグザグに配列されるボンディングパッドを有する半導体チップ１０ａと、半導体チップ１０ａ上の、隣接する３つのボンディングパッド毎に３つのパッド間の領域及びその３つのパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポスト５０ａと、絶縁ポスト５０ａによって覆われていないボンディングパッドの部分及びこれに隣接した絶縁ポスト５０ａの部分上に形成された信号接続金属部材５２ａと、半導体チップ１０ａが絶縁ポスト５０ａ及び信号接続金属部材５２ａによってフリップチップボンディングされ、第１面に電極を有し、第２面にボールランドを有する基板と、半導体チップ１０ａと基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、各ボールランド上に付着されたソルダボールとを備える。 （もっと読む）

【課題】部品が基板上により良好な状態で接合された電子機器、基板アセンブリ、および半導体装置を得る。
【解決手段】実施形態にかかる電子機器にあっては、筐体と、筐体内に設けられ、表面に露出した第一のパッドおよび第二のパッドを有した基板と、基板の表面に対向する基板対向面に露出して接合剤を介して第一のパッドに接合された第一の電極と、基板対向面に露出して接合剤を介して第二のパッドに接合されて第一の電極より広くかつ第一の電極より高く突出した第二の電極と、を有した部品と、を備えたことを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】バイパスキャパシタは、半導体基板上に形成される半導体装置と一体化されて形成されているが、半導体装置の製造工程が複雑になると言う欠点がある。
【解決手段】バイパスキャパシタをシート状にモジュール化して、半導体装置に対して外付けできるように構成されたバイパスキャパシタモジュールが得られる。 （もっと読む）

【課題】信号品質を確保しつつ、品質の高い半導体装置を実現することができる。
【解決手段】配線基板１０と、配線基板１０に搭載された半導体チップ１２と、平面視で配線基板１０の内側に形成され、半導体チップ１２を封止するモールド樹脂１４と、配線基板１０のうち半導体チップ１２が搭載されている面に設けられ、半導体チップ１２と接続する配線２２、２４と、モールド樹脂１４の外周部と交差するように形成されためっき引き出し線３２、３４と、配線２２の周囲に形成されたシールドパターン６０と、を備え、シールドパターン６０は、モールド樹脂１４の外周部と交差するように形成されており、モールド樹脂１４の外周部との交差部分において、モールド樹脂１４の外周に沿うように２以上の部分に分離している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの半田バンプとパッケージ基板ユニットの半田バンプとの接続信頼性の向上及び半田バンプ間での狭ピッチ化を図れるパッケージ基板ユニット及びパッケージ基板ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ基板ユニット１の半導体チップ実装層２０は、絶縁層２１と、絶縁層２１の上面に形成された導電めっきシート層２２ａと、導電めっきシート層２２ａの上面に形成された導電パッド２３と、導電パッド２３の上面のほぼ中央部に形成される金属ポスト２４と、導電パッド２３及び金属ポスト２４とを包囲するように形成されたソルダーレジスト層２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性が向上した電子部品搭載用パッケージおよび通信用モジュールを提供する。
【解決手段】 電子部品搭載用パッケージ１０は、基体１、誘電体２、信号リード３、搭載基板４、接地リード７および蓋体８を備える。基体１は、金属円板状部材からなり、厚み方向に貫通する貫通孔１ａが設けられる。また、基体１は、電子部品６を搭載する一方主面である搭載面１ｂを基準とする厚みが異なる２つの部分である薄層部１ｃと厚層部１ｄとからなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造に際し、封止体形成後の配線基板の反りを低減できるようにする。
【解決手段】 １つ以上の製品形成部１０１からなる製品エリア１０２ａ、１０２ｂを持つ配線基板であって、前記製品エリアを含むように該配線基板に設定されたモールドエリア１０９ａ、１０９ｂが樹脂で封止される配線基板１００において、前記製品エリアを、その平面的な中心位置が前記モールドエリアの平面的な中心位置から外れるように、偏心させて前記モールドエリア内に配置、形成した。 （もっと読む）

【課題】突起構造と半導体素子の電極とを接続する構造において、突起構造と半導体素子の電極との間の接続信頼性を向上させる。
【解決手段】素子搭載用基板１０は、絶縁樹脂層１２と、絶縁樹脂層１２の一方の主表面に設けられた配線層１４と、配線層１４と電気的に接続され、配線層１４から絶縁樹脂層１２側に突出している突起電極１６と、を備える。突起電極１６の側面には凹凸が形成され、突起電極１６の頂部面よりも側面の方が表面粗さが大きくなっている。 （もっと読む）