【課題】半導体チップがモールド樹脂で覆われた封止体の反りが抑制される半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持体２３の表面に、第１の剥離層２４、第２の剥離層２５をこの順で形成する工程と、第２の剥離層２５の表面上に、配線パターン１７を含む配線層１２を形成する工程と、配線層１２の表面上に、複数の半導体チップ１１Ａ乃至１１Ｄを積層載置する工程と、複数の半導体チップ１１Ａ乃至１１Ｄを含む配線層１２の表面上にモールド樹脂体２２を塗布する工程と、モールド樹脂体２２を半硬化させる工程と、この状態で、配線層１２、複数の半導体チップ１１Ａ乃至１１Ｄ、モールド樹脂体２２を具備する封止体２９と、支持体２３と、を分離する工程と、封止体２９と支持体２３との分離工程の後に、モールド樹脂体２２を完全硬化させる工程と、を具備する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄型で剛性に優れた、電子部品を内蔵する配線基板を提供する。
【解決手段】電子部品を内蔵する配線基板であって、ベース絶縁層と、このベース絶縁層の上面側に設けられた台座パターンと、この台座パターン上の電子部品と、この電子部品の外周を取り囲む補強絶縁層と、電子部品が内側に配置された開口を持つコア絶縁層と上面側コア配線と下面側コア配線を含み、補強絶縁層上に設けられたコア配線構造層と、電子部品を埋め込むようにコア配線構造層上に設けられた埋め込み絶縁層と、電子部品と電気的に接続された基板上面側の第１配線と、基板下面側の第２配線とを含み、台座パターンの外縁は電子部品の外縁より外側に位置し、補強絶縁層は第１補強繊維を含み、この第１補強繊維は台座パターンの外縁より外側の周辺領域から台座パターンの外縁の直上にわたって配置されている。 （もっと読む）

【課題】封止膜の材料を容易に選定することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に複数の接続端子１２が形成された半導体デバイスウェハ１０と、前記半導体デバイスウェハ１０の表面を覆うとともに前記接続端子１２を露出させる開口１４ａが設けられた第１絶縁膜１４と、前記第１絶縁膜１４上に形成され一端面が前記接続端子１２と接続された複数の再配線３０と、前記再配線３０の他端面上に形成された複数の柱状電極２１と、前記再配線３０の側面を被覆する第２絶縁膜１５と、前記再配線３０及び前記第２絶縁膜１５を封止するとともに前記柱状電極２１の表面を露出させる封止膜２２と、を備えることを特徴とする半導体装置１Ｂである。 （もっと読む）

【課題】応力工学的な非平面状マイクロスプリングを含むインターポーザが、インターポーザの上方および下方に配設された電子構造のボンディングパッドの相互接続を提供する。
【解決手段】インターポーザ２の下端面において接触するように配設されたマイクロスプリング５の固定部分と、インターポーザ２の上端面全体にわたって接触して、かつたわむように、マイクロスプリング５の自由部分に位置するマイクロスプリング５の先端部と、の間の横方向の片寄りが、異なるボンディングパッドのピッチを有するデバイスの相互接続を可能にする。自由部分のマイクロスプリング５接点がデバイスの一時的相互接続を可能にし、その一方で自由部分全体を覆って付けられたはんだがデバイスとインターポーザ２との恒久接続を可能にする。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプが破断することなく、かつ半導体パッケージにも不要な曲げの力が加わらずに実装基板に追従せず、信頼性が維持できる。
【解決手段】半導体パッケージ基板１、中継基板３および実装基板２のヤング率をそれぞれＥ１、Ｅ３およびＥ２とすると、Ｅ１＞Ｅ３＞Ｅ２という関係を満たす中継基板３を使用する。端子間ピッチＬ１＝端子間ピッチＬ２＜ビア間ピッチＬ３となっている。このようなＬ１＝Ｌ２＜Ｌ３の関係では、中央のはんだバンプにおける両端接合領域の中心間距離（接続距離）Ｌ４より、その側方のはんだバンプについての接続距離Ｌ５が長くなる。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションの発生を抑制することによって、信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、実装部品１０と、この実装部品１０が架橋状態で電気的に接続される、陽極配線２１および陰極配線２２と、陽極配線２１の電圧と同極性を有し、陽極配線２１および陰極配線２２の間に配されるダミー配線２３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ダイを汚染から保護する安価なチップパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】チップパッケージは、開口部が形成されているベース再配線層１６と、接着材料が塗布されていない窓部２６が形成された接着剤層２４と、接着剤層を介してベース再配線層に固着されたダイ１２とを含み、ダイの周囲部のみが接着剤層と接触するように、ダイは窓部と位置合わせされる。シールド要素２０はベース再配線層と接着剤層との間に配置され、シールド要素の周囲部のみが接着剤層に装着されるように、シールド要素は、ベース再配線層に形成された開口部及び接着剤層の窓部とほぼ位置合わせされる。シールド要素は、エアギャップによりダイから分離され且つダイの前面５２を露出させるように接着剤層から選択的に除去できるように構成される。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル配線基板を折り曲げることで裏面電極を形成する半導体装置のコプラナリティを高くして、電極の相対的位置精度を向上させることができる、接続信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のＬＳＩチップＣ１〜Ｃ３が搭載されたフレキシブル配線基板１０と、該フレキシブル配線基板１０上の複数のＬＳＩチップＣ１〜Ｃ３を覆うように設けられた複数の支持体２０〜２２と、該支持体支持体２０〜２２の周囲で該支持体２０〜２２を包むように前記フレキシブル配線基板１０が折り曲げられた状態で、前記フレキシブル配線基板１０の上面及び下面に配置された外部端子１３と、を有し、前記支持体２０〜２２は、前記フレキシブル配線基板１０を折り曲げた際に、裏面２０Ａ〜２２Ａ同士が互いに接触した状態で、接着層１１により結合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ用ステムの製造歩留まりを向上する。
【解決手段】アイレット１１上に、めっき処理により、アイレット１１の酸化を防止する酸化防止膜２０（ニッケルめっき膜）を形成する。続いて、めっき処理により、酸化防止膜２０上に、ろう材１６への拡散を防止する拡散防止膜２１（鉄めっき膜）を形成する。続いて、拡散防止膜２１上にろう材１６を配した後、熱処理を施すことによってろう材１６を溶融させて、アイレット１１とヒートシンク１２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】配線パタ−ンに工夫を加えて、隣接する信号線間の耐イオンマイグレーション性を向上させることができる多層配線基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板は、複数の配線層と、配線層の間に配置される絶縁樹脂からなる層間絶縁層とを交互に積層した多層配線を備える。配線層のうち最外層に位置する配線層は、信号線に接続すべき半導体を搭載する半導体搭載部をさらに有している。多層配線基板は、配線層のうち最外層に位置する配線層は複数の信号線１（１Ａ，１Ｂ）を有し、複数の信号線は、隣接する他の信号線１Ｂに近接する向きに凸状の凸状部２が形成された信号線１Ａを含む。凸状部２の輪郭は、曲線で縁取られ、曲線は、予め定められた曲率の円弧で形成されている。 （もっと読む）