フリップチップボンデッドパッケージ
【課題】微細ピッチ技術に適用可能なフリップチップボンデッドパッケージを提供する。
【解決手段】２列に、かつ互いにジグザグに配列されるボンディングパッドを有する半導体チップ１０ａと、半導体チップ１０ａ上の、隣接する３つのボンディングパッド毎に３つのパッド間の領域及びその３つのパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポスト５０ａと、絶縁ポスト５０ａによって覆われていないボンディングパッドの部分及びこれに隣接した絶縁ポスト５０ａの部分上に形成された信号接続金属部材５２ａと、半導体チップ１０ａが絶縁ポスト５０ａ及び信号接続金属部材５２ａによってフリップチップボンディングされ、第１面に電極を有し、第２面にボールランドを有する基板と、半導体チップ１０ａと基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、各ボールランド上に付着されたソルダボールとを備える。
【解決手段】２列に、かつ互いにジグザグに配列されるボンディングパッドを有する半導体チップ１０ａと、半導体チップ１０ａ上の、隣接する３つのボンディングパッド毎に３つのパッド間の領域及びその３つのパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポスト５０ａと、絶縁ポスト５０ａによって覆われていないボンディングパッドの部分及びこれに隣接した絶縁ポスト５０ａの部分上に形成された信号接続金属部材５２ａと、半導体チップ１０ａが絶縁ポスト５０ａ及び信号接続金属部材５２ａによってフリップチップボンディングされ、第１面に電極を有し、第２面にボールランドを有する基板と、半導体チップ１０ａと基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、各ボールランド上に付着されたソルダボールとを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに関し、より詳しくは、微細ピッチ技術に適用可能なフリップチップボンデッドパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の通り、半導体パッケージング技術の開発は、限定された大きさの基板上により多くの数のパッケージを実装できる方向に、即ち、パッケージの大きさを縮小する方向に進められてきた。例えば、パッケージの全体の大きさに対して半導体チップの大きさが８０％以上を占めるようなチップサイズパッケージ（Chip Size Package；以下、「ＣＳＰ」と称する）が種々の形態で開発されてきた。本願では図示及び説明してはいないが、このようなＣＳＰは典型的な半導体パッケージに比べて限定された大きさの基板上により多数のパッケージを実装できるので、小型で、かつ、高容量の製品を具現できるという利点を有する。
【０００３】
また、最近のパッケージング技術は、パッケージの大きさを減少させることに加えて、１つのパッケージ内に２〜４個の半導体チップを搭載させて、高容量を達成する方向にも向けられている。
【０００４】
このようなＣＳＰ及びスタックパッケージは、通常、基板を搭載させて製作されており、また、ワイヤーボンディングを用いて半導体チップと基板との間の電気的接続がなされている。
【０００５】
ところが、このようにワイヤーボンディングを用いて電気的接続がなされたパッケージの場合、後続のモールディング（molding）工程でボンディングワイヤの切断が発生しうることは勿論、ボンディングワイヤのループ（loop）及びその長さによってパッケージの大きさを減少させることに限界が生じる。特に、ワイヤーボンディングを用いるパッケージはボンディングワイヤの長さによって信号伝達経路の長さが決定されるので、パッケージの所望の電気的特性を確保することが困難となる。
【０００６】
これらの問題を解決するために、バンプ（bump）を用いて半導体チップと基板とを接続させるフリップチップボンディング（Flip Chip Bonding）技術が提案された。フリップチップボンディング技術によれば、半導体チップはそのボンディングパッド上に形成されたバンプを介して基板上に機械的に付着されると共に、基板上の電極とも電気的に接続される。
【０００７】
詳しくは、従来のフリップチップボンデッドパッケージ（Flip Chip Bonded Package）の構成を示す断面図である図１に示すように、半導体チップ１０はそのボンディングパッド１２上に形成されたソルダバンプ（Solder Bump）１４を介して基板２０上に付着されていると同時に、ソルダバンプ１４によって基板２０上の電極２２とも電気的に接続されている。また、半導体チップ１０と基板２０との間の空間は埋込材３０でアンダーフィル（under-fill）される。そして、基板２０の裏面上のボールランド（Ball Land）２４には外部回路への実装手段であるソルダボール（Solder Ball）４０が付着されている。なお、図１において、符号２６はソルダレジストを表す。
【０００８】
このようなフリップチップボンディング技術が適用されたフリップチップボンデッドパッケージは、ソルダバンプによって電気的及び機械的な接続がなされるので、ワイヤーボンディング技術を適用する場合に比べてパッケージの高さを低くすることができ、また、信号伝達経路の長さを短くすることで、電気的特性をも向上させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述のような従来のフリップチップボンデッドパッケージは、電気的導通のために、１つのソルダバンプに一対一の形態で対応する基板上の（図１の構成要素２２のような）電極を備える必要があるため、電極のピッチが狭い場合にソルダバンプメッキのためのフォトレジストを画定することが困難になり、ソルダバンプ間でショートが発生する可能性が高いという問題がある。
【００１０】
これらの問題を解決するには、基板のデザインを変更したり高コストのプロセスを行ったり、さらに、チップ上のボンディングパッドを再配列したりする等、非効率的処理を行なわなければならないので、製品原価を高め、製品の競争性を低下させてしまうという問題がある。
【００１１】
したがって、本発明は、上記の従来の問題を解決するために案出されたものであって、基板上の電極が微細ピッチを有しても、ショートを防止できるフリップチップボンデッドパッケージを提供することをその目的とする。
【００１２】
また、本発明の別の目的は、製作が容易なフリップチップボンデッドパッケージを提供することにある。
【００１３】
また、本発明の更なる別の目的は、製品の競争性を高めることができるフリップチップボンデッドパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記のような目的を達成するために、本発明は、２列に、かつ、互いにジグザグに配列される複数のボンディングパッドが一面上に形成された半導体チップと、前記半導体チップの前記ボンディングパッドの形成部に形成され、隣接する３つの前記ボンディングパッド毎に該３つのボンディングパッド間の領域及び該３つのボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポストと、前記絶縁ポストによって覆われていない前記ボンディングパッドの部分及び該部分に隣接する前記絶縁ポストの部分上に形成された信号接続金属部材と、複数の前記絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成された前記半導体チップが前記絶縁ポスト及び前記信号接続金属部材によってフリップチップボンディングされ、第１面上には前記信号接続金属部材と電気的に接続される複数の電極を有し、前記第１面の裏面である第２面上には複数の前記電極と個別に接続される複数のボールランドを有する基板と、前記半導体チップと前記基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、前記基板の前記第２面上のボールランド上に各々付着された複数のソルダボールと、を備えるフリップチップボンデッドパッケージを提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、一対一に対応する導電性バンプの代わりに２つのボンディングパッドに対して１つの絶縁ポストが対応する形態でフリップチップボンディングをなすことにより、従来使用していた工程をそのまま利用しながらもフリップチップボンデッドパッケージの製作を非常に容易にすることができる。
【００１６】
また、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、パッドピッチの限界を克服できるので、半導体チップ及び基板の微細ピッチの技術に適用が容易になり、製品の競争力を高めることができる。
【００１７】
さらに、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、微細ピッチへの適用を容易にすることができるので、半導体メモリ分野へのフリップチップ技術の適用を早めることができる。
【００１８】
その上、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、フリップチップボンディングの時に、従来と同じパッドサイズ及びピッチを有するチップにより大きなバンプを形成できるので、後続の接着処理を容易にすることができ、これにより、不良率を低下させることができる。
【００１９】
また、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、ポリマーからなる絶縁ポストを適用することによって、この絶縁ポストが電気的絶縁の役割に加えてストレスバッファーとしての役割をも兼ねることになり、パッケージの信頼性を一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】従来のフリップチップボンデッドパッケージの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージの構成を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージ上にバンプを形成する方法を説明するための図で、各製造段階におけるパッケージの構成を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージ上にバンプを形成する方法を説明するための図で、各製造段階におけるパッケージの構成を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージ上にバンプを形成する方法を説明するための図で、各製造段階におけるパッケージの構成を示す断面図である。
【図４Ａ】図３Ａに対応する平面図である。
【図４Ｂ】図３Ｂに対応する平面図である。
【図４Ｃ】図３Ｃに対応する平面図である。
【図５】本発明の別の実施の形態に係る、上にバンプが形成されたフリップチップボンデッドパッケージの概略構成を簡略に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の好ましい実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明及び図面において、同じ参照符号は同じ又は同様の構成要素を示すこととし、よって、同じ又は同様の構成要素に関する説明を省略する。
【００２２】
まず、本発明の技術的原理を説明すれば、次の通りである。本発明はフリップチップボンディング技術を用いるにあたって、バンプを導電物質の代わりに絶縁物質で形成する。また、本発明は絶縁物質からなるバンプを、隣接する２つ（すなわち、一対）のボンディングパッド間の領域及び該２つのボンディングパッドのそれぞれの一部を覆う形態で形成する。そして、絶縁バンプ（「絶縁ポスト」とも表記する）によって覆われていないボンディングパッド部分の各々の上には電気的接続手段として信号接続金属部材を形成する。
【００２３】
このようにすることによって、フリップチップボンディング技術を用いる場合のチップパッドピッチの限界をより引き下げることができるので、従来よりピッチが狭いパッドに対してフリップチップボンディング技術を適用することができる。特に、本発明は狭いパッドピッチの半導体チップは勿論、狭いパッドピッチの基板の製作をも容易にすることができ、また、フリップチップボンディングの時に同じパッドサイズ及びピッチを有するチップにより大きなバンプを形成することができるので、得られたバンプの付着面積の増大により工程が容易になり、且つ、不良率を減少させることができる。
【００２４】
したがって、本発明は、フリップチップボンディング技術の使用に際して歩留まりを高め、工程時間を短縮させることができ、結果的に、高付加価値の製品を適時に開発できることを可能にするという利点を有する。
【００２５】
以下、本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージの構成を図２を参照しながら、詳細に説明する。
【００２６】
図２に示すように、本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージは、半導体チップ１０、半導体チップ１０の表面上に配置された複数のボンディングパッド１２、半導体チップ１０のボンディングパッド形成面上に絶縁物質からなるバンプ、即ち絶縁ポスト５０、及び導電性の信号接続金属部材５２を備え、絶縁ポスト５０及び信号接続金属部材５２によって半導体チップ１０が基板２０上にフリップチップボンディングされ、半導体チップ１０と基板２０との間の空間が埋込材３０でアンダーフィルされ、そして、基板２０の半導体チップ１０とは反対側の裏面に外部回路への実装手段であるソルダボール４０が形成された構造を有する。
【００２７】
ここで、半導体チップ１０は、例えば、ボンディングパッド１２がチップ１０の面上に一列に配列されるように形成されたセンターパッド型のチップである。絶縁ポスト５０は、半導体チップ１０上の隣接する２つのボンディングパッド１２間の領域及びこの領域の両側のボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように形成され、特に、ポリマー（polymer）によって形成される場合、ストレスバッファーとしての役割をも兼ねることにより、パッケージの信頼性を向上させることができる。導電性の信号接続金属部材５２は半導体チップ１０と基板２０とを電気的に接続させる実質的な電気的接続手段であり、ボンディングパッド１２の露出された部分、該ボンディングパッド１２の露出された部分に隣接する絶縁ポスト５０の部分、及び該ボンディングパッド１２の露出された部分に隣接する半導体チップ１０の部分の上に形成される。
【００２８】
基板２０は、上面には信号接続金属部材５２と電気的に接続される複数の電極２２を備え、下面には電極２２と個別的に接続される複数のボールランド２４を備える。基板２０の上面は電極２２を除いた残りの部分がソルダレジスト２６で覆われている。埋込材３０は、例えば、ＥＭＣ（Epoxy Molding Compound）であって、半導体チップ１０と基板２０との間の電気的接続部位を外部環境から保護する。外部回路への実装手段であるソルダボール４０は基板２０の下面のボールランド２４上に形成されている。
【００２９】
このような構成を有する本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、半導体チップ１０上のボンディングパッド１２と基板２０上の電極２２とが、一対一の形態で対応して相互接続される必要がなく、代わりに、隣接する２つのボンディングパッドに亘って形成された絶縁ポスト５０及び信号接続金属５２によって相互接続されるので、基板に微細ピッチ技術が適用された場合にも十分に対応することができる。即ち、本実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージは、基板２０上の電極２２のピッチが微細であっても絶縁ポスト５０及び信号接続金属部材５２を用いることによりショートの発生を回避すると共に、半導体チップ１０と基板２０との間の安定した電気的接続を保証することができる。
【００３０】
一方、本発明に係る上記のようなフリップチップボンデッドパッケージを製作する際、絶縁ポスト及び信号接続金属部材を含むバンプを以下に示す方法で形成する。
【００３１】
図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージ上にバンプを形成する方法を説明するための図で、各製作段階におけるパッケージの構成を示す断面図であり、図４Ａ〜図４Ｃはそれぞれ図３Ａ〜図３Ｃに対応する平面図である。
【００３２】
まず、図３Ａ及び図４Ａに示すように、上面に一列のボンディングパッド１２が配列された半導体チップ１０を準備する。
【００３３】
次に、図３Ｂ及び図４Ｂに示すように、半導体チップ１０の上面に、隣接する２つのボンディングパッド１２の間の領域及びこの領域の両側の２つのボンディングパッド１２のそれぞれの一部を覆う絶縁ポスト５０を形成する。この際、絶縁ポスト５０はポリマーで形成されることによって、ストレスバッファーとしての役割を担うことが好ましい。
【００３４】
次に、図３Ｃ及び図４Ｃに示すように、絶縁ポスト５０を含む半導体チップ１０の上面に金属膜を蒸着した後、該金属膜をパターニングして、絶縁ポスト５０によって覆われていないボンディングパッド１２の部分、該覆われていないボンディングパッド１２の部分に隣接する絶縁ポスト５０の部分、及び該覆われていないボンディングパッド１２の部分に隣接する半導体チップ１０の部分の上に信号接続金属部材５２を形成し、バンプの形成を完了する。
【００３５】
以後、このように形成されたバンプを用いて半導体チップを基板上にフリップチップボンディングし、その後、アンダーフィル及びソルダボール形成工程を順次行って本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージを完成する。
【００３６】
一方、上述した実施の形態で図示及び説明してはいないが、絶縁ポスト及び信号接続金属部材から構成されたバンプのフリップチップボンディングの際、信号接続金属部材にソルダペーストを塗った後、ソルダペーストを硬化させて完全な電気的接続をなさせるようにすることもできる。
【００３７】
そして、さらに別の実施の形態として、ソルダペーストの代わりに、信号接続金属部材上にソルダバンプを追加的に形成して、ソルダバンプを用いて完全な電気的接続をなさせることも可能である。
【００３８】
また、上述した実施の形態では隣接する２つのボンディングパッド毎に絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成する構成を図示及び説明したが、本発明の別の実施の形態として、２つ以上、例えば、３つのボンディングパッド毎に絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成することもできる。
【００３９】
図５は、本発明の別の実施の形態に係るバンプが形成されたフリップチップボンデッドパッケージの概略構成を示す平面図である。図５に示すように、ボンディングパッド（図示せず） が半導体チップ１０ａの上面に２列で、ジグザグに配列されている。３つのボンディングパッド毎にボンディングパッド間の領域及び各ボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように１つの絶縁ポスト５０ａを形成し、覆われていないボンディングパッドの部分及び、該覆われていないボンディングパッドの部分に隣接する絶縁ポスト５０ａの部分上に信号接続金属部材５２ａを形成する。
【００４０】
この別の実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージの、絶縁ポスト５０ａ及び信号接続金属部材５２ａ以外の他の構成は図示及び説明されていないが、前述した実施の形態と同一の構成を有することは当業者が容易に理解できるであろう。
【００４１】
また、この別の実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージも前述した実施の形態のそれと同様に、絶縁ポスト及び信号接続金属部材を用いることによってショートが発生せずに半導体チップと基板との間の安定した電気的接続を保証することができ、これにより、微細なチップパッドピッチの限界を克服することができる。
【００４２】
以上では、本発明を特定の実施の形態に関連して図示及び説明したが、本発明は、それらに限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められる本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で、様々に改変できるということは、当業者であれば容易に分かるであろう。
【符号の説明】
【００４３】
１０、１０ａ 半導体チップ
１２ ボンディングパッド
１４ ソルダバンプ
２０ 基板
２２ 電極
２４ ボールランド
２６ ソルダレジスト
３０ 埋込材
４０ ソルダボール
５０、５０ａ 絶縁ポスト
５２、５２ａ 信号接続金属部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに関し、より詳しくは、微細ピッチ技術に適用可能なフリップチップボンデッドパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の通り、半導体パッケージング技術の開発は、限定された大きさの基板上により多くの数のパッケージを実装できる方向に、即ち、パッケージの大きさを縮小する方向に進められてきた。例えば、パッケージの全体の大きさに対して半導体チップの大きさが８０％以上を占めるようなチップサイズパッケージ（Chip Size Package；以下、「ＣＳＰ」と称する）が種々の形態で開発されてきた。本願では図示及び説明してはいないが、このようなＣＳＰは典型的な半導体パッケージに比べて限定された大きさの基板上により多数のパッケージを実装できるので、小型で、かつ、高容量の製品を具現できるという利点を有する。
【０００３】
また、最近のパッケージング技術は、パッケージの大きさを減少させることに加えて、１つのパッケージ内に２〜４個の半導体チップを搭載させて、高容量を達成する方向にも向けられている。
【０００４】
このようなＣＳＰ及びスタックパッケージは、通常、基板を搭載させて製作されており、また、ワイヤーボンディングを用いて半導体チップと基板との間の電気的接続がなされている。
【０００５】
ところが、このようにワイヤーボンディングを用いて電気的接続がなされたパッケージの場合、後続のモールディング（molding）工程でボンディングワイヤの切断が発生しうることは勿論、ボンディングワイヤのループ（loop）及びその長さによってパッケージの大きさを減少させることに限界が生じる。特に、ワイヤーボンディングを用いるパッケージはボンディングワイヤの長さによって信号伝達経路の長さが決定されるので、パッケージの所望の電気的特性を確保することが困難となる。
【０００６】
これらの問題を解決するために、バンプ（bump）を用いて半導体チップと基板とを接続させるフリップチップボンディング（Flip Chip Bonding）技術が提案された。フリップチップボンディング技術によれば、半導体チップはそのボンディングパッド上に形成されたバンプを介して基板上に機械的に付着されると共に、基板上の電極とも電気的に接続される。
【０００７】
詳しくは、従来のフリップチップボンデッドパッケージ（Flip Chip Bonded Package）の構成を示す断面図である図１に示すように、半導体チップ１０はそのボンディングパッド１２上に形成されたソルダバンプ（Solder Bump）１４を介して基板２０上に付着されていると同時に、ソルダバンプ１４によって基板２０上の電極２２とも電気的に接続されている。また、半導体チップ１０と基板２０との間の空間は埋込材３０でアンダーフィル（under-fill）される。そして、基板２０の裏面上のボールランド（Ball Land）２４には外部回路への実装手段であるソルダボール（Solder Ball）４０が付着されている。なお、図１において、符号２６はソルダレジストを表す。
【０００８】
このようなフリップチップボンディング技術が適用されたフリップチップボンデッドパッケージは、ソルダバンプによって電気的及び機械的な接続がなされるので、ワイヤーボンディング技術を適用する場合に比べてパッケージの高さを低くすることができ、また、信号伝達経路の長さを短くすることで、電気的特性をも向上させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述のような従来のフリップチップボンデッドパッケージは、電気的導通のために、１つのソルダバンプに一対一の形態で対応する基板上の（図１の構成要素２２のような）電極を備える必要があるため、電極のピッチが狭い場合にソルダバンプメッキのためのフォトレジストを画定することが困難になり、ソルダバンプ間でショートが発生する可能性が高いという問題がある。
【００１０】
これらの問題を解決するには、基板のデザインを変更したり高コストのプロセスを行ったり、さらに、チップ上のボンディングパッドを再配列したりする等、非効率的処理を行なわなければならないので、製品原価を高め、製品の競争性を低下させてしまうという問題がある。
【００１１】
したがって、本発明は、上記の従来の問題を解決するために案出されたものであって、基板上の電極が微細ピッチを有しても、ショートを防止できるフリップチップボンデッドパッケージを提供することをその目的とする。
【００１２】
また、本発明の別の目的は、製作が容易なフリップチップボンデッドパッケージを提供することにある。
【００１３】
また、本発明の更なる別の目的は、製品の競争性を高めることができるフリップチップボンデッドパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記のような目的を達成するために、本発明は、２列に、かつ、互いにジグザグに配列される複数のボンディングパッドが一面上に形成された半導体チップと、前記半導体チップの前記ボンディングパッドの形成部に形成され、隣接する３つの前記ボンディングパッド毎に該３つのボンディングパッド間の領域及び該３つのボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポストと、前記絶縁ポストによって覆われていない前記ボンディングパッドの部分及び該部分に隣接する前記絶縁ポストの部分上に形成された信号接続金属部材と、複数の前記絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成された前記半導体チップが前記絶縁ポスト及び前記信号接続金属部材によってフリップチップボンディングされ、第１面上には前記信号接続金属部材と電気的に接続される複数の電極を有し、前記第１面の裏面である第２面上には複数の前記電極と個別に接続される複数のボールランドを有する基板と、前記半導体チップと前記基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、前記基板の前記第２面上のボールランド上に各々付着された複数のソルダボールと、を備えるフリップチップボンデッドパッケージを提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、一対一に対応する導電性バンプの代わりに２つのボンディングパッドに対して１つの絶縁ポストが対応する形態でフリップチップボンディングをなすことにより、従来使用していた工程をそのまま利用しながらもフリップチップボンデッドパッケージの製作を非常に容易にすることができる。
【００１６】
また、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、パッドピッチの限界を克服できるので、半導体チップ及び基板の微細ピッチの技術に適用が容易になり、製品の競争力を高めることができる。
【００１７】
さらに、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、微細ピッチへの適用を容易にすることができるので、半導体メモリ分野へのフリップチップ技術の適用を早めることができる。
【００１８】
その上、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、フリップチップボンディングの時に、従来と同じパッドサイズ及びピッチを有するチップにより大きなバンプを形成できるので、後続の接着処理を容易にすることができ、これにより、不良率を低下させることができる。
【００１９】
また、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、ポリマーからなる絶縁ポストを適用することによって、この絶縁ポストが電気的絶縁の役割に加えてストレスバッファーとしての役割をも兼ねることになり、パッケージの信頼性を一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】従来のフリップチップボンデッドパッケージの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージの構成を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージ上にバンプを形成する方法を説明するための図で、各製造段階におけるパッケージの構成を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージ上にバンプを形成する方法を説明するための図で、各製造段階におけるパッケージの構成を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージ上にバンプを形成する方法を説明するための図で、各製造段階におけるパッケージの構成を示す断面図である。
【図４Ａ】図３Ａに対応する平面図である。
【図４Ｂ】図３Ｂに対応する平面図である。
【図４Ｃ】図３Ｃに対応する平面図である。
【図５】本発明の別の実施の形態に係る、上にバンプが形成されたフリップチップボンデッドパッケージの概略構成を簡略に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の好ましい実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明及び図面において、同じ参照符号は同じ又は同様の構成要素を示すこととし、よって、同じ又は同様の構成要素に関する説明を省略する。
【００２２】
まず、本発明の技術的原理を説明すれば、次の通りである。本発明はフリップチップボンディング技術を用いるにあたって、バンプを導電物質の代わりに絶縁物質で形成する。また、本発明は絶縁物質からなるバンプを、隣接する２つ（すなわち、一対）のボンディングパッド間の領域及び該２つのボンディングパッドのそれぞれの一部を覆う形態で形成する。そして、絶縁バンプ（「絶縁ポスト」とも表記する）によって覆われていないボンディングパッド部分の各々の上には電気的接続手段として信号接続金属部材を形成する。
【００２３】
このようにすることによって、フリップチップボンディング技術を用いる場合のチップパッドピッチの限界をより引き下げることができるので、従来よりピッチが狭いパッドに対してフリップチップボンディング技術を適用することができる。特に、本発明は狭いパッドピッチの半導体チップは勿論、狭いパッドピッチの基板の製作をも容易にすることができ、また、フリップチップボンディングの時に同じパッドサイズ及びピッチを有するチップにより大きなバンプを形成することができるので、得られたバンプの付着面積の増大により工程が容易になり、且つ、不良率を減少させることができる。
【００２４】
したがって、本発明は、フリップチップボンディング技術の使用に際して歩留まりを高め、工程時間を短縮させることができ、結果的に、高付加価値の製品を適時に開発できることを可能にするという利点を有する。
【００２５】
以下、本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージの構成を図２を参照しながら、詳細に説明する。
【００２６】
図２に示すように、本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージは、半導体チップ１０、半導体チップ１０の表面上に配置された複数のボンディングパッド１２、半導体チップ１０のボンディングパッド形成面上に絶縁物質からなるバンプ、即ち絶縁ポスト５０、及び導電性の信号接続金属部材５２を備え、絶縁ポスト５０及び信号接続金属部材５２によって半導体チップ１０が基板２０上にフリップチップボンディングされ、半導体チップ１０と基板２０との間の空間が埋込材３０でアンダーフィルされ、そして、基板２０の半導体チップ１０とは反対側の裏面に外部回路への実装手段であるソルダボール４０が形成された構造を有する。
【００２７】
ここで、半導体チップ１０は、例えば、ボンディングパッド１２がチップ１０の面上に一列に配列されるように形成されたセンターパッド型のチップである。絶縁ポスト５０は、半導体チップ１０上の隣接する２つのボンディングパッド１２間の領域及びこの領域の両側のボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように形成され、特に、ポリマー（polymer）によって形成される場合、ストレスバッファーとしての役割をも兼ねることにより、パッケージの信頼性を向上させることができる。導電性の信号接続金属部材５２は半導体チップ１０と基板２０とを電気的に接続させる実質的な電気的接続手段であり、ボンディングパッド１２の露出された部分、該ボンディングパッド１２の露出された部分に隣接する絶縁ポスト５０の部分、及び該ボンディングパッド１２の露出された部分に隣接する半導体チップ１０の部分の上に形成される。
【００２８】
基板２０は、上面には信号接続金属部材５２と電気的に接続される複数の電極２２を備え、下面には電極２２と個別的に接続される複数のボールランド２４を備える。基板２０の上面は電極２２を除いた残りの部分がソルダレジスト２６で覆われている。埋込材３０は、例えば、ＥＭＣ（Epoxy Molding Compound）であって、半導体チップ１０と基板２０との間の電気的接続部位を外部環境から保護する。外部回路への実装手段であるソルダボール４０は基板２０の下面のボールランド２４上に形成されている。
【００２９】
このような構成を有する本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、半導体チップ１０上のボンディングパッド１２と基板２０上の電極２２とが、一対一の形態で対応して相互接続される必要がなく、代わりに、隣接する２つのボンディングパッドに亘って形成された絶縁ポスト５０及び信号接続金属５２によって相互接続されるので、基板に微細ピッチ技術が適用された場合にも十分に対応することができる。即ち、本実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージは、基板２０上の電極２２のピッチが微細であっても絶縁ポスト５０及び信号接続金属部材５２を用いることによりショートの発生を回避すると共に、半導体チップ１０と基板２０との間の安定した電気的接続を保証することができる。
【００３０】
一方、本発明に係る上記のようなフリップチップボンデッドパッケージを製作する際、絶縁ポスト及び信号接続金属部材を含むバンプを以下に示す方法で形成する。
【００３１】
図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージ上にバンプを形成する方法を説明するための図で、各製作段階におけるパッケージの構成を示す断面図であり、図４Ａ〜図４Ｃはそれぞれ図３Ａ〜図３Ｃに対応する平面図である。
【００３２】
まず、図３Ａ及び図４Ａに示すように、上面に一列のボンディングパッド１２が配列された半導体チップ１０を準備する。
【００３３】
次に、図３Ｂ及び図４Ｂに示すように、半導体チップ１０の上面に、隣接する２つのボンディングパッド１２の間の領域及びこの領域の両側の２つのボンディングパッド１２のそれぞれの一部を覆う絶縁ポスト５０を形成する。この際、絶縁ポスト５０はポリマーで形成されることによって、ストレスバッファーとしての役割を担うことが好ましい。
【００３４】
次に、図３Ｃ及び図４Ｃに示すように、絶縁ポスト５０を含む半導体チップ１０の上面に金属膜を蒸着した後、該金属膜をパターニングして、絶縁ポスト５０によって覆われていないボンディングパッド１２の部分、該覆われていないボンディングパッド１２の部分に隣接する絶縁ポスト５０の部分、及び該覆われていないボンディングパッド１２の部分に隣接する半導体チップ１０の部分の上に信号接続金属部材５２を形成し、バンプの形成を完了する。
【００３５】
以後、このように形成されたバンプを用いて半導体チップを基板上にフリップチップボンディングし、その後、アンダーフィル及びソルダボール形成工程を順次行って本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージを完成する。
【００３６】
一方、上述した実施の形態で図示及び説明してはいないが、絶縁ポスト及び信号接続金属部材から構成されたバンプのフリップチップボンディングの際、信号接続金属部材にソルダペーストを塗った後、ソルダペーストを硬化させて完全な電気的接続をなさせるようにすることもできる。
【００３７】
そして、さらに別の実施の形態として、ソルダペーストの代わりに、信号接続金属部材上にソルダバンプを追加的に形成して、ソルダバンプを用いて完全な電気的接続をなさせることも可能である。
【００３８】
また、上述した実施の形態では隣接する２つのボンディングパッド毎に絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成する構成を図示及び説明したが、本発明の別の実施の形態として、２つ以上、例えば、３つのボンディングパッド毎に絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成することもできる。
【００３９】
図５は、本発明の別の実施の形態に係るバンプが形成されたフリップチップボンデッドパッケージの概略構成を示す平面図である。図５に示すように、ボンディングパッド（図示せず） が半導体チップ１０ａの上面に２列で、ジグザグに配列されている。３つのボンディングパッド毎にボンディングパッド間の領域及び各ボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように１つの絶縁ポスト５０ａを形成し、覆われていないボンディングパッドの部分及び、該覆われていないボンディングパッドの部分に隣接する絶縁ポスト５０ａの部分上に信号接続金属部材５２ａを形成する。
【００４０】
この別の実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージの、絶縁ポスト５０ａ及び信号接続金属部材５２ａ以外の他の構成は図示及び説明されていないが、前述した実施の形態と同一の構成を有することは当業者が容易に理解できるであろう。
【００４１】
また、この別の実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージも前述した実施の形態のそれと同様に、絶縁ポスト及び信号接続金属部材を用いることによってショートが発生せずに半導体チップと基板との間の安定した電気的接続を保証することができ、これにより、微細なチップパッドピッチの限界を克服することができる。
【００４２】
以上では、本発明を特定の実施の形態に関連して図示及び説明したが、本発明は、それらに限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められる本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で、様々に改変できるということは、当業者であれば容易に分かるであろう。
【符号の説明】
【００４３】
１０、１０ａ 半導体チップ
１２ ボンディングパッド
１４ ソルダバンプ
２０ 基板
２２ 電極
２４ ボールランド
２６ ソルダレジスト
３０ 埋込材
４０ ソルダボール
５０、５０ａ 絶縁ポスト
５２、５２ａ 信号接続金属部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２列に、かつ互いにジグザグに配列される複数のボンディングパッドが一面上に形成された半導体チップと、
前記半導体チップの前記ボンディングパッドの形成部に形成され、隣接する３つの前記ボンディングパッド毎に該３つのボンディングパッド間の領域及び該３つのボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポストと、
前記絶縁ポストによって覆われていない前記ボンディングパッドの部分、及び該部分に隣接する前記絶縁ポストの部分上に形成された信号接続金属部材と、
複数の前記絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成された前記半導体チップが前記絶縁ポスト及び前記信号接続金属部材によってフリップチップボンディングされ、第１面上には前記信号接続金属部材と電気的に接続される複数の電極を有し、前記第１面の裏面である第２面上には複数の前記電極と個別に接続される複数のボールランドを有する基板と、
前記半導体チップと前記基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、
前記基板の前記第２面上のボールランド上に各々付着された複数のソルダボールと、を備えることを特徴とするフリップチップボンデッドパッケージ。
【請求項２】
前記絶縁ポストは、ストレスバッファーの役割を担うようにポリマーからなることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップボンデッドパッケージ。
【請求項３】
前記基板の前記第１面は、前記電極を除いた残りの部分がソルダレジストで覆われていることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップボンデッドパッケージ。
【請求項４】
前記信号接続金属部材上に形成されたソルダバンプを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップボンデッドパッケージ。
【請求項１】
２列に、かつ互いにジグザグに配列される複数のボンディングパッドが一面上に形成された半導体チップと、
前記半導体チップの前記ボンディングパッドの形成部に形成され、隣接する３つの前記ボンディングパッド毎に該３つのボンディングパッド間の領域及び該３つのボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポストと、
前記絶縁ポストによって覆われていない前記ボンディングパッドの部分、及び該部分に隣接する前記絶縁ポストの部分上に形成された信号接続金属部材と、
複数の前記絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成された前記半導体チップが前記絶縁ポスト及び前記信号接続金属部材によってフリップチップボンディングされ、第１面上には前記信号接続金属部材と電気的に接続される複数の電極を有し、前記第１面の裏面である第２面上には複数の前記電極と個別に接続される複数のボールランドを有する基板と、
前記半導体チップと前記基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、
前記基板の前記第２面上のボールランド上に各々付着された複数のソルダボールと、を備えることを特徴とするフリップチップボンデッドパッケージ。
【請求項２】
前記絶縁ポストは、ストレスバッファーの役割を担うようにポリマーからなることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップボンデッドパッケージ。
【請求項３】
前記基板の前記第１面は、前記電極を除いた残りの部分がソルダレジストで覆われていることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップボンデッドパッケージ。
【請求項４】
前記信号接続金属部材上に形成されたソルダバンプを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップボンデッドパッケージ。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−６４９９１（Ｐ２０１２−６４９９１Ａ）
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５５１（Ｐ２０１２−５５１）
【出願日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【分割の表示】特願２００６−２１８２００（Ｐ２００６−２１８２００）の分割
【原出願日】平成１８年８月１０日（２００６．８．１０）
【出願人】（５９１０２４１１１）株式会社ハイニックスセミコンダクター (1,189)
【氏名又は名称原語表記】ＨＹＮＩＸ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＩＮＣ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ １３６−１，Ａｍｉ−Ｒｉ，Ｂｕｂａｌ−Ｅｕｐ，Ｉｃｈｏｎ−Ｓｈｉ，Ｋｙｏｕｎｇｋｉ−Ｄｏ，Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【分割の表示】特願２００６−２１８２００（Ｐ２００６−２１８２００）の分割
【原出願日】平成１８年８月１０日（２００６．８．１０）
【出願人】（５９１０２４１１１）株式会社ハイニックスセミコンダクター (1,189)
【氏名又は名称原語表記】ＨＹＮＩＸ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＩＮＣ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ １３６−１，Ａｍｉ−Ｒｉ，Ｂｕｂａｌ−Ｅｕｐ，Ｉｃｈｏｎ−Ｓｈｉ，Ｋｙｏｕｎｇｋｉ−Ｄｏ，Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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