【課題】製造工程の簡略化を図ると共に、優れた高周波特性を示すインターポーザを提供する。
【解決手段】基板１１に貫通電極１２を設け、基板１１上に誘電体層１４Ａを形成したのち誘電体層１４Ａ上に配線１６Ａ，１６Ｂおよびアンテナ１７を形成する。次に、基板１１の下面および誘電体層１４Ａ上にそれぞれ誘電体層１４，１４Ｃを積層したのち、基板１１に凹部１９Ａを設けることにより、インターポーザ１０Ａが完成する。基板１１の上面側に半導体チップ２０を接合したのち、基板１１の下面側をプリント基板３０に実装する。基板１１上に半導体チップ２０とプリント基板３０とを接続するための配線１６Ａ，１６Ｂを設けたことにより製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】架橋基にビフェニレン構造を有するフェノールノボラック樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物を提供するとともに、前記エポキシ樹脂組成物の硬化物、前記エポキシ樹脂組成物を用いた半導体素子封止材、前記エポキシ樹脂組成物を用いたプリント基板等を提供すること。
【解決手段】架橋基にビフェニレン構造を有するフェノールノボラック樹脂とエポキシ樹脂と硬化促進剤とを含有するエポキシ樹脂組成物とする。前記エポキシ樹脂組成物は、さらに無機充填剤を含有することが好ましい。また、前記エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子封止材、プリプレグ、プリント基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗の低いインターポーザ基板を用いる場合であっても、高速信号の伝送を困難にすることなく、微細化・狭ピッチ化に対応し、製造コストを低減できるインターポーザ基板を提供する。
【解決手段】半導体材料により構成されたインターポーザ基板（１）の一方の面に配線層（５）が形成され、一端が配線層（５）に電気接続され他端がインターポーザ基板（１）の他方の面に達する貫通電極（１４）と、配線層（５）の下に位置するインターポーザ基板（１）に配線層（５）の長さ方向に間隔を空けて形成された貫通孔（１１）に絶縁材料（１６）が充填され、インターポーザ基板（１）と配線層（５）の間、貫通孔（１１）と絶縁材料（１６）の間に絶縁層（１０，１３）が介装されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 精密な位置決めができ、作成後の剥離がスムースで、かつ作成過程で剥離することのないデバイス作成用の積層体および積層体回路板を提供する。
【解決手段】 ガラス板、セラミック板、シリコンウエハ、金属から選ばれた一種の無機層の一面と、芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類との反応によって得られる１００℃〜２００℃の線膨張係数が（フィルムの長さ方向と幅方向でいずれも）−５ｐｐｍ／℃〜＋２０ｐｐｍ／℃であるポリイミドフィルムの一面とが、シランカップリング剤層を介して貼り合わされた積層体であって、積層体のフィルムと無機層との１８０度剥離強度が１Ｎ／ｃｍ以上１２Ｎ／ｃｍ以下である積層体。 （もっと読む）

【課題】容易に製造可能な、両面に配線パターンを有するインターポーザを提供する。
【解決手段】インターポーザ１０は、第１の配線基板２０および第２の配線基板３０を備えている。第１および第２の配線基板２０，３０は、一方の面に形成された配線パターン２２，３２と、配線パターン２２，３２と電気的に接続された貫通ビア２５，３５と、貫通ビア２５，３５と電気的に接続され、配線パターン２２，３２が形成された面とは反対側の面に設けられた電極２６，３６と、を有する。第１の配線基板２０の、電極２６が設けられた面と、第２の配線基板３０の、電極３６が設けられた面とは対向している。第１の配線基板２０の電極２６と第２の配線基板３０の電極３６とは互いに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】１５０℃程度の低い温度での熱硬化条件であっても、低体積抵抗率を示す性質を有するような導電膜が提供できる性質を有した導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】金属成分と、熱硬化性成分と、溶剤とからなる熱硬化型導電性ペーストであって、金属成分は平均一次粒子径が２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であって、炭素数８以下の有機物が表面に存在してなる金属ナノ粒子（ＭＡ）と平均一次粒子径が０．５μｍ以上１０．０μｍ以下である金属ミクロン粒子（ＭＢ）とからなり、熱硬化性成分は少なくともエポキシ樹脂およびブロック化イソシアネートおよび硬化剤を含む、熱硬化型導電性ペーストを使用する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の抜けを抑制することのできる配線基板の製造方法及び配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁膜３２に覆われたシリコン基板３１を下面側から薄型化して基板本体２１を形成し、開口部３５ａを有するレジスト３５をマスクにし絶縁膜３２をエッチングストッパ層とする基板本体２１のエッチングにより、貫通孔２１ａ及び基板本体２１の上面側における貫通孔２１ａの開口部を覆う蓋部３３ａを形成する。次に、蓋部３３ａが形成された状態で、基板本体２１の上面側の絶縁膜２２の上面に機能素子２４を形成する。続いて、少なくとも上記貫通孔２１ａ内に貫通電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 印刷法で微細配線を精度良く形成するための平坦な配線層を形成でき、しかも、平坦な絶縁材料上に印刷した配線との接着力を得ることができる絶縁体インク、これを用いた絶縁層、複合層、回路基板、半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 分子量が４０以上、１０００未満のグリコールエーテルを含む分子量２００以上、５０，０００以下のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂の少なくともいずれか一種の樹脂を含む絶縁体インク。分子量が２００以上、５０，０００以下のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂の少なくともいずれか一種と硬化剤と溶媒を含むと好ましい。 （もっと読む）

【課題】充填時の溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保することができ、しかも、作業操作性に優れた充填用基材及びそれを用いた充填方法を提供すること。
【解決手段】充填用基材５は、第１金属層２１と第２金属層２２とを含む金属層２を支持基体１の一面上に設けた構造になっている。第１金属層２１は、その融点よりも低い温度で溶融可能なナノ金属粒子の集合したものでなり、第２金属層２２は、その融点が第１金属層２１の融点よりも低い金属粒子の集合したものでなる。充填用基材５の一面側を、微細空間３０の開口する基板３の一面上に重ねる。そして、充填用基材５を加熱し、かつ、加圧Ｆ１して、金属層２の溶融物を微細空間３０内に充填する。 （もっと読む）

【課題】薄型化しながらも物理的強度特性に優れたＩＣチップを提供することにあり、これにより、ＩＣチップをアンテナシートに実装し、インレットを形成した際に、ＩＣチップ部分を樹脂封止等しなくとも破損を防止するだけの強度を有すると共に、ＩＣ媒体表面の平滑性に優れる信頼性の高いＩＣ媒体を提供する。
【解決手段】集積回路及び接続端子が形成されたシリコンウエハ２の片面に接着層３を介して補強板４を貼り合わせた積層体形成し、これをダイシングして、ＩＣチップに個片化する際に、少なくとも補強板４及び接着層３のダイシングにレーザ６を用い、該接着層の該レーザ６に対する吸光度を０．６以上とするため、接着層３に着色剤を含有する。 （もっと読む）