本発明は、基板（２）、前記基板（２）上に形成されたメタル層（３，４，５）および前記メタル層（３，４，５）のエッジ（１２−１６）に沿って置かれたフィールグレーディング手段（１７，２３）を具備する電子デバイスを伴うパワー電子デバイスに関する。前記フィールグレーディング手段（１７）は非線形電気抵抗率を有する。本発明は、このようなパワー電子デバイスを製造する方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰ構造の半導体装置において、半導体パッケージ反りを低減することにより半導体装置の組立て歩留まり、接続信頼性に優れる半導体装置を提供することである。
【解決手段】コア基板を有するプリント配線板に半導体素子が搭載され、前記半導体素子の上部及び／又は側面が封止材に覆われた半導体パッケージであって、前記半導体素子の厚さと、前記封止材の厚さとの比が０．４以上、かつ、半導体素子上側の封止材の厚さが２５０μｍ以下であり、前記コア基板の厚さと、前記封止材の厚さとの比が、０．１２〜０．４であり、前記コア基板の厚さが１００μｍ以下であり、前記コア基板の常温での弾性率が２６ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に、バンプ電極を形成する場合、平坦なシリコン基板上に下地金属層を形成し、その上にバンプ電極を形成していた。信頼性向上のため、バンプ電極と、下地金属層の接触面積を大きくする場合、バンプサイズが大きくせざるを得ず、チップサイズが増加する問題があった。
【解決手段】半導体基板の一主面をウェットエッチングして凹部を設け、凹部の底部に凹部より開口面積の小さい貫通孔を設ける。凹部側壁、貫通孔側壁および貫通孔の他の主面側を被覆する導電層を設け、凹部にバンプ電極を形成する。バンプ電極のサイズを増加させることなく、バンプ電極と導電層の接触面積を向上できる。 （もっと読む）

【課題】２つのパッケージを積層するＰＯＰタイプの半導体装置が備える、上側に搭載される半導体パッケージにおいて、このものに生じる反りの大きさが低減された半導体パッケージ、および、かかる半導体パッケージが他の半導体パッケージ上に搭載され、これら半導体パッケージ同士を電気的に接続する半田バンプにおけるクラックの発生が低減された信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体パッケージは、インターポーザー１２（基板）と、このインターポーザー１２上に設置された半導体素子１５と、インターポーザー１２と半導体素子１５とを接着する接着層１４と、半導体素子１５をインターポーザー１２ごと覆うように設けられたモールド部（封止部）１６とを有し、接着層１４の常温における弾性率が１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】成形時における樹脂汚れの発生を低減し成形性に十分優れ、かつ、光半導体素子搭載用基板に必要とされる光学特性に優れる硬化物を形成可能な熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含有し、上記（Ａ）エポキシ樹脂が、重量平均分子量５００〜５０００の非芳香族系エポキシ樹脂を含む。 （もっと読む）

【課題】未硬化状態でのハンドリング性が高く、更に硬化物に積層された積層物の反りを抑制できる絶縁シート及び積層構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁シートは、重量平均分子量が１万以上であり、かつグリシジル（メタ）アクリレートに由来する骨格を有するポリマーと、重量平均分子量が１万未満であり、かつエポキシ基又はオキセタン基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、フィラーとを含有する。上記ポリマーのエポキシ当量は２００〜１０００の範囲内である。本発明に係る積層構造体１は、少なくとも一方の面に第１の導体層２ｂを有し、かつ貫通孔又は一方の面に凹部を有する基板２と、基板２の一方の面又は両方の面に積層されており、上記絶縁シートにより形成された絶縁層３，４と、絶縁層３，４の基板２が積層された面とは反対側の面に積層された第２の導体層５，８又は回路基板とを備える。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）（１０）を形成する方法は、キャップ基板（５２）を提供するステップと、支持基板（１２）を提供するステップと、支持基板上に導電材料（２２）を堆積させるステップと、導電材料のパターニングを行ってギャップ停止部（４０，４４）と接点とを形成するステップとを含む。ギャップ停止部は、開口（３６，３８）によって接点から分離され、接点上で且つ開口中の結合材料（５８）を形成する。ギャップ停止部と接点とは、結合材料を形成するステップによって、結合材料が開口から外側に延びてキャップ基板が支持基板に取り付けられるのを防止する。さらに、その構造が記述される。
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【課題】ヒートシンク接合工程における接合温度を低く設定しても、ヒートシンクと第二の金属板とを強固に接合できるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第二の金属板の他面にヒートシンクを接合するヒートシンク接合工程は、第二の金属板の他面とヒートシンクの接合面のうち少なくとも一方にＣｕ層を形成するＣｕ層形成工程Ｓ０１と、Ｃｕ層を介して第二の金属板とヒートシンクとを積層するヒートシンク積層工程Ｓ０２と、第二の金属板とヒートシンクとを積層方向に加圧するとともに加熱し、Ｃｕ層のＣｕを第二の金属板及びヒートシンクに拡散させることによって溶融金属領域を形成するヒートシンク加熱工程Ｓ０３と、この溶融金属領域を凝固させることによって第二の金属板とヒートシンクとを接合する溶融金属凝固工程Ｓ０４と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】インターポーザ２Ａと、インターポーザ２Ａ上に設けられたチップＣＰ１、ＣＰ２とを有する。インターポーザ２Ａは、その厚さ方向に延在して互いに電気的に絶縁された複数の柱状導体１０と、チップＣＰ１、ＣＰ２と複数の柱状導体１０とを介在する配線層１１とを有しており、複数の柱状導体１０間に空隙１３を有し、空隙１３が外部に開放されており、複数の柱状導体１０のそれぞれの側面は絶縁膜１２で覆われている。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板は、表裏を貫通する貫通孔を有する基板と、前記貫通孔内に充填され、金属材料を含む導通部と、を備え、前記導通部は、結晶粒径が２９μｍ以上の金属材料を少なくとも含み、前記導通部の一端は、前記導通部の他端より面積重み付けした平均結晶粒径が大きい金属材料を少なくとも含む。また、導通部は、面積重み付けした平均結晶粒径が１３μｍ以上の金属材料を含む。 （もっと読む）