説明

国際特許分類[H01L23/14]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | マウント,例.分離できない絶縁基板 (9,861) | 材料またはその電気特性に特徴のあるもの (925)

国際特許分類[H01L23/14]の下位に属する分類

国際特許分類[H01L23/14]に分類される特許

201 - 210 / 682


【課題】信頼性高く低コストでより薄型化を実現できる電子モジュールを提供すること。
【解決手段】第1の配線パターン上に接続部材を介して電気的、機械的に接続された部品と、この部品を埋設するように第1の配線パターン上に積層され;この部品の、第1の配線パターンに接続された側とは反対の側の位置に、該部品に対向して補強材を含有する絶縁層と、この絶縁層の第1の配線パターンの在る側とは反対の側に設けられた第2の配線パターンとを具備し、接続部材が、融点が260℃以上の複数元素系相により表面が覆われた第1の金属の粒子と、融点が240℃以下の低融点金属とを含有し、この複数元素系相が、この低融点金属の一組成である、融点が240℃以下の第2の金属と第1の金属との組成系相であり;第1の金属の粒子の各表面の複数元素系相が互いに連接することにより導電性の骨格構造を形成し;該骨格構造の間隙を埋める樹脂部をさらに含有している。 (もっと読む)


半導体基板に集積された回路と、基板と、ヒートシンクとしての支持体と、基板および支持体をはんだ付けにより接続する熱伝導性接続部とを備えた電子モジュールを提案する。ここでは、基板で用いられる後面金属化部として、まず第1の厚いAu層(23)、ついでバリア層(24)、最後に第2の薄いAu層(25)が堆積される。バリア層の材料は、はんだ付け過程において、第2のAu層の領域のAuSn液相のSnないしAuSnが第1のAu層(23)へ浸入することを阻止するように選定される。また、基板の貫通孔にも、後面金属化部の積層体が堆積される。ここで、第2のAu層の表面は、バリア層から拡散する材料によって、はんだ付け材料に対する低減された濡れ性を有する。
(もっと読む)


【課題】基板の反りを抑制して半導体装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】樹脂材121と樹脂材122とを含む層120を備えた基板100と、基板100の主表面101の上方に搭載された半導体素子700と、基板100の主表面101の上方に、半導体素子700を覆って形成された封止樹脂層1100と、を有し、樹脂材122と封止樹脂層1100との熱膨張係数の差は、樹脂材121と封止樹脂層1100との熱膨張係数の差よりも小さく、半導体素子700の外縁703は、樹脂材122の上方に位置している。 (もっと読む)


本発明は、キャリア基板(20)上の部品(22)を伴う配列の製造方法に関する。その方法は、被覆基板(3)の背面上にスペーサー素子(1)を製造するステップと、キャリア基板(20)の上表面上に部品(22)を配置するステップと、キャリア基板(20)上の被覆基板(3)上に形成されたスペーサー素子(1)を配置し、少なくとも1つの空洞に部品を設置して、当該空洞を閉口するステップとを含む。本発明は、さらに、部品配列、部品配列のための半製品の製造方法、および、部品配列のための半製品に関する。
(もっと読む)


【課題】
従来技術によるインターポーザは高密度実装の形を実現できるが、大消費電力の集積回路素子に適用することには限界があった。具体的には、大電流を供給するため電源電圧が不安定になり、発熱による破壊の危険性もあった。このため、集積度増大や動作周波数増大への要求が強い分野には適用が困難であった。
【解決手段】
半導体基板から成るインターポーザの表裏面に集積回路素子を搭載し、インターポーザの配線材料、配線パターン密度などを表裏面では異なった技術で作成することにより、大電流が流れる経路での許容電流値を大きくすることができ、大消費電力の集積回路素子をインターポーザへ実装できるようにした。 (もっと読む)


【課題】パワーモジュールの筐体に構成される第1の直流配線電極板と第2の直流配線電極板の板面間の距離間隔を短縮し、パワーモジュールの内部配線に寄生するインダクタンスを低減することができる樹脂成形体を提供する。
【解決手段】第1の直流配線電極板2と第2の直流配線電極板3をインサート部品として有する樹脂成形体1であって、前記第1の直流配線電極板2と第2の直流配線電極板3は、1枚の又は2枚以上を重ね合せた絶縁板4を介して、板面が平行となるように配置されている。そして、前記絶縁板4は、熱硬化性樹脂をシート状ガラス繊維基材に含浸・乾燥したプリプレグを、加熱加圧成形したものであり、前記絶縁板の合計厚みが、0.3mm以上1mm以下である。前記絶縁板は、好ましくは、1枚の厚みが0.2mm以下であり、2枚以上を重ね合せたものである。 (もっと読む)


【課題】電機製品のさらなる小型化に伴う電子部品搭載密度の高度化要求に対応するため、マザーボード用基板等の安価な基板上に半導体チップなどの電子部品を搭載することが可能であり、かつ接続信頼性に優れる、基板を提供する。
【解決手段】基板1の表面に部分的にシリコーン重合体含有樹脂2を備える基板であり、シリコーン重合体含有樹脂2を形成する樹脂組成物の硬化後の熱膨張係数が50×10-6/℃以下である基板、このシリコーン重合体含有樹脂2の表面に電子部品6を搭載してなるプリント回路板。 (もっと読む)


【課題】半田耐熱性および長期の高温耐熱性さらに耐光劣化性に優れ、良好な光反射性を付与することのできる光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】金属リードフレーム1と、それに搭載された光半導体素子2を収納する、凹部を備えた光半導体収納用実装パッケージ用の絶縁樹脂層3において、その絶縁樹脂層3形成材料が、下記の(A)〜(D)成分を含有し、かつ(C)白色顔料と(D)無機質充填剤の混合割合〔(C)/(D)〕が、重量比で、(C)/(D)=0.3〜3.0の範囲に設定された樹脂組成物からなる。
(A)エポキシ樹脂。
(B)酸無水物系硬化剤。
(C)白色顔料。
(D)無機質充填剤。 (もっと読む)


【課題】チップデバイスの高密度実装時に用いる貫通電極付き基板を効率よく製造する手段を提供する。
【解決手段】貫通電極付き基板の製造工程は、貫通電極を構成する導電体材料の微粒子を液体に懸濁させる工程;上記の導電体材料の微粒子が通過し得ず、また上記の液体のみが通過可能なフィルター層140を、貫通孔102を有する基板101の片面に接触させる工程;フィルター層に接していない方の上記の基板面側から上記懸濁液130を圧力を加えながら貫通孔内に流し込み、上記貫通孔内に導電体微粒子を堆積させる工程;上記貫通孔内に堆積した導電体微粒子を濡らしている液体を乾燥させる工程;上記導電体微粒子が堆積している貫通孔内に導電性ペーストを注入し、その後に乾燥・硬化させる工程からなる。尚、導電体微粒子として合金からなる微粒子を用い、これを合金の融点以上の温度で溶解させたのち、冷却・固化させて貫通電極を形成する方法もある。 (もっと読む)


【課題】低損失な高周波伝送線路を提供する。
【解決手段】高周波伝送線路100は、半導体基板10上のグランドプレーン15と信号線群とを利用したマイクロストリップライン構造の伝送線路である。信号線群は、第1の配線層に形成される第1の信号線11と、第2の配線層に形成される第2の信号線12および第3の信号線13とを含む。第1の信号線11の左端部と第2の信号線12とは、ビアホール14Aにより電気的に接続され、第1の信号線11の右端部と第3の信号線13とは、ビアホール14Bにより電気的に接続される。 (もっと読む)


201 - 210 / 682