【課題】小型化、高密度化に優れ、かつ、リフロークラックを防止し信頼性に優れる小型の半導体パッケ−ジとその半導体パッケージに用いることのできる半導体搭載用基板とそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材１と、導体パターン５からなる半導体搭載用基板であって、絶縁基材が硬化後の熱膨張係数が５０×１０^-6／℃以下である樹脂からなる絶縁基材である半導体搭載用基板。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制できる程度の成形性を有しながら、加熱加圧成形時に基材から樹脂組成物が必要以上に流出するのを抑制できるプリプレグを提供する。
【解決手段】リン変性エポキシ樹脂（Ａ）、リン変性硬化剤（Ｂ）及びリン原子を含有しない硬化剤（Ｃ）を含有する樹脂組成物を用いたプリプレグ１である。前記リン原子を含有しない硬化剤（Ｃ）は、少なくとも数平均分子量５００〜３０００で１分子中に平均１．０〜３．０個の水酸基を有するポリフェニレンエーテルを含む。溶融粘度が５万〜１０万ｐｏｉｓｅである。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を維持しながらも、金属層及び素子に静電気や電圧ショックなどが伝達されることを防止する放熱基板の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱基板１００の製造方法は、（Ａ）金属層１１１の一面に絶縁層１１２を形成し、前記絶縁層１１２に回路層１１３を形成することで、ベース基板１１０を準備する段階、（Ｂ）前記ベース基板１１０に厚さ方向に加工部１４０を形成する段階、（Ｃ）前記金属層１１１の他面及び側面の少なくとも一方に陽極酸化層１５０を形成する段階及び（Ｄ）前記加工部１４０に連結手段１３０を挿入し、前記金属層１１１の前記他面に放熱層１２０を連結する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションによる接続パッドの空隙を抑制することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】 上面に半導体素子４の搭載部１ａを有する絶縁基板１と、ガラス成分を含む銅の多結晶体からなり、搭載部１ａから絶縁基板１の内部にかけて形成された貫通導体３と、貫通導体３を形成している銅の結晶よりも平均粒径が大きい銅の多結晶体からなり、搭載部１ａにおける貫通導体３の端面を覆うように形成された接続層２とを備えており、接続層２を形成している銅の結晶配向性が無配向であり、半導体素子４の電極５が接続層２にはんだ６を介して電気的に接続される配線基板である。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることが可能な複合基板の製造方法、及び複合基板の製造装置の提供。
【解決手段】複合基板１の製造方法は、シリコン基板１０の第１主面１１に少なくとも１つの第１凹部１２を形成する工程と、シリコン基板１０の第１主面１１にガラス基板２０を接合する工程と、シリコン基板１０の第１主面１１とは反対側の第２主面１３に、少なくとも一部が第１凹部１２と連通する複数の第２凹部１４を形成する工程と、ガラス基板２０を加熱して粘性流動状態にすると共に、シリコン基板１０の第２主面１３側から吸引し、ガラス基板２０を第１凹部１２及び第２凹部１４に充填する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージが薄型化されても、使用環境下やリフロー実装時の温度変化による半導体パッケージの反りを低減でき、半導体パッケージと実装基板とのはんだ接続部の耐温度サイクル性を向上できる半導体パッケージ用配線板を提供する。
【解決手段】少なくとも層間絶縁層１４及び該層間絶縁層１４の表面に形成された配線層１５を有するコア層１１と、はんだバンプ３を介して実装基板２に電気的及び機械的に接続される電極パッド２２とを備え、半導体素子４が接続されるとともに、実装基板２と接続される半導体パッケージ用配線板５であって、該電極パッド２２よりもコア層側に配置されており該電極パッド２２に接する応力緩和層２１を有し、該コア層１１の層間絶縁層１４の平面方向の２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数が５．５×１０^-6／℃以下であり、該応力緩和層２１の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】半田耐熱性に優れ、かつ、リフローなどの加熱時に生じる反りが抑制された薄型プリント配線基板用の積層板を得ることができるプリプレグを提供する。
【解決手段】本発明は、５０℃以上１５０℃以下の範囲における線膨張係数が０ｐｐｍ／℃以下の有機繊維基材（１０１）に、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を含浸してなるプリプレグ（１００）である。有機繊維基材（１０１）は、熱重量測定装置により、（Ａ）有機繊維基材（１０１）を１１０℃で１時間保持して重量減少率Ａを測定する予備乾燥工程と、（Ｂ）有機繊維基材（１０１）を２５℃から３００℃に１０℃／分で昇温して重量減少率Ｂを測定する測定工程と、を順次おこなった際の、Ｂ−Ａにより算出される値が０．３０％以下である。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内に形成された導電層に加わる応力を抑制できるとともに、導電層からの効果的な放熱も促すことができる貫通配線基板、及びこの貫通配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１（基板）の一方の面１１ａに配された電極層１２と、電極層１２の少なくとも一部が露呈するように半導体基板１１内に開けられた貫通孔２０と、貫通孔２０の内側面２０ａを覆い、電極層１２の少なくとも一部が露呈するように配された第一絶縁層１５と、第一絶縁層１５を介して、貫通孔２０の内側面２０ａ及び電極層１２の露呈部を覆うように配され、電極層１２と電気的に接続された導電層５と、導電層５を覆うように配された第二絶縁層１６と、を少なくとも備えてなる貫通配線基板１０であって、第二絶縁層１６は、導電層５の表面形状に沿って形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも機械的強度が向上した基材を提供すること。
【解決手段】本基材は、酸化アルミニウムからなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体を備えたコア層と、前記コア層の一方の面側及び他方の面側の少なくとも一面側に、接着層を介して接合されたシリコン層又はガラス層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路層上に搭載された電子部品等からの熱を効率よく放散できるとともに、冷熱サイクル負荷時における絶縁基板の割れの発生を抑制できるパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の一方の面に形成された回路層１２と、絶縁基板１１の他方の面に形成された金属層１３と、を備えたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、絶縁基板１１の一方の面に銅板が接合されて構成され、金属層１３は、絶縁基板１１の他方の面にアルミニウム板が接合されて構成されており、回路層１２を構成する銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされている。 （もっと読む）