【課題】絶縁基板に用いられるクラッド材であって、はんだ接合性が良好であり、且つ、接合界面の割れや剥離などの不良の発生を防止できるクラッド材を提供する。
【解決手段】クラッド材1Aは、Ｎｉ又はＮｉ合金で形成されたＮｉ層４と、Ｎｉ層４の片側に配置されたＴｉ又はＴｉ合金で形成されたＴｉ層６と、Ｔｉ層６のＮｉ層４配置側とは反対側に配置されたＡｌ又はＡｌ合金で形成された第１のＡｌ層７と、を備える。Ｎｉ層４とＴｉ層６はクラッド圧延により接合されている。Ｎｉ層４とＴｉ層６との間には、Ｎｉ層４の構成元素の少なくともＮｉとＴｉ層６の構成元素の少なくともＴｉとが合金化して生成されたＮｉ−Ｔｉ系超弾性合金層５が介在されている。Ｔｉ層６と第１のＡｌ層７とが互いに隣接してクラッド圧延により接合されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ基板２０２は、基板２２０と、複数の導電薄膜パターン２３０と、絶縁薄膜パターン２４０と、を含む。基板は、主に導電材質又は半導体材質により構成され、その表面にダイ固定領域及び複数の導電領域を含む。各導電薄膜パターンは、異なる導電領域上にそれぞれ分布し、絶縁薄膜パターンは、導電薄膜パターン及び基板の間に位置するが、絶縁薄膜パターンは、ダイ固定上に設置されない。そのうち、半導体チップ２１０は、ダイ固定領域上に取り付けられ、導電薄膜パターンと電気接続する。パッケージ基板のダイ固定領域は、絶縁薄膜パターンに塗布されないので、パッケージ基板により半導体パッケージ構造の放熱効果を増強することができる。 （もっと読む）

【課題】電気配線の断線を起こすことなく、有機物質により構成される可撓性フィルムを用いて電子基板を製造することを可能とする電子基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】１４０℃以上に加熱した際にオリゴマーの析出が見られる有機材料で構成される基板に対し、空隙のない状態とするような基板表面処理を施すと基板を１４０℃以上に加熱した場合でもオリゴマーの析出が抑制されるため、レジストをベークする工程を経てもオリゴマーの析出が抑制され、オリゴマーの析出により電気回路が切断されることのない良好な電子基板を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を維持し、ＬＥＤ用途に用いた場合でもあっても絶縁性に優れる絶縁基板およびその製造方法ならびにそれを用いた光源モジュールおよび液晶表示装置の提供。
【解決手段】アルミニウム基板２と、前記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成されたスルーホール３とを具備し、少なくとも前記アルミニウム基板の表面および裏面ならびに前記スルーホールの内壁面が陽極酸化皮膜４で被覆された絶縁基板であって、前記スルーホールの最大直径（ｄ₀）および最小直径（ｄ_r）と、前記絶縁基板の板厚（ｔ）との関係が下記式（Ｉ）を満たす絶縁基板。０．５×ｔ≦（ｄ₀−ｄ_r）＜ｔ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】小型化され、製品の特性が向上されたパッケージ回路基板及びこれを用いたパッケージを提供する。
【解決手段】このパッケージ回路基板及びこれを用いたパッケージは、印刷回路基板に代わって半導体基板を使用して微細電子素子チップを実装し、この半導体基板上には、能動素子又は受動素子が形成されている。これにより、小型化され、製品の特性が向上されたパッケージ回路基板及びこれを用いたパッケージを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の側面における割れや欠けを防ぐことができるインターポーザー、インターポーザーにチップを実装した半導体装置、インターポーザーの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に導体回路１９が形成された半導体基板１１と、半導体基板１１の側面を被覆する保護層２０Ａと、を備えるインターポーザー１０Ａである。半導体基板１１はシリコン等からなり、上面を第１絶縁膜１３で被覆されるとともに、下面及び側面を保護層２０Ａで被覆されている。半導体チップ１，２は、半田端子３，４によりインターポーザー１０Ａの配線１９（導体回路）に接続されるとともに、アンダーフィル５，６によりインターポーザー１０Ａの上面に固定されている。 （もっと読む）

【課題】無機フィラを含有しなくても熱伝導性の高い樹脂シート硬化物が得られる樹脂シート硬化物の製造方法を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂モノマーと硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物を基材の表面に付与して組成物膜を形成する組成物膜形成工程と、前記組成物膜の温度を５０℃／分以下の昇温速度で硬化温度まで昇温する昇温工程と、前記硬化温度で前記組成物膜を硬化させる硬化工程と、を有する樹脂シート硬化物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体搭載用パッケージ基板の穴部を樹脂で充填、硬化する際の硬化収縮を抑え、内部ストレスを低減し、半導体チップの実装の温度領域、冷熱サイクル温度領域や、高温高湿下での基板の信頼性を向上させることが可能な熱硬化性樹脂充填材を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂充填材において、２５℃で液状の第１のエポキシ樹脂と、エポキシ当量が２００以上の第２のエポキシ樹脂を含み、コーンプレート型粘度計により２５℃、５ｒｐｍで測定される粘度が、２−１００Ｐｓである混合エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、無機フィラーと、を含む。 （もっと読む）

【課題】単純な構成で高い放熱特性をもった半導体モジュールを得る。
【解決手段】絶縁基板１１の裏面全面には、放熱板１７が接合されている。ここで、放熱板１７は、第１の黒鉛層１７１と第２の黒鉛層１７２が積層された構造がＤＬＣ膜１７３でコーティングされた構造である。第１の黒鉛層１７１、第２の黒鉛層１７２は、共にグラファイトで構成される。第１の黒鉛層１７１において六角形環が広がる方向を水平方向とし、第２の黒鉛層１７２において六角形環が広がる方向を垂直方向とする。 （もっと読む）

【課題】放熱特性が向上した放熱基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅基板３３０、銅基板３３０の一面に形成されたアルミナ層３２０、アルミナ層３２０に形成された第１回路層３４０からなる放熱基板を用い、アルミナ層３２０を貫くように開口部３９０を形成し、開口部３９０を通じてアルミナ層３２０から露出された銅基板３３０にソルダパッド６１０を付着した後、これに発熱素子６００を実装することにより、銅基板３３０の露出面に発熱素子６００が直接実装されるパッケージ７００を具現する。 （もっと読む）