説明

国際特許分類[H01L23/14]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | マウント,例.分離できない絶縁基板 (9,861) | 材料またはその電気特性に特徴のあるもの (925)

国際特許分類[H01L23/14]の下位に属する分類

国際特許分類[H01L23/14]に分類される特許

661 - 670 / 682


【課題】 従来よりも配線層の数を多くすることができ、且つそれを従来よりも安価に実施できると共に、従来よりも生産性の向上された配線基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ポリイミドテープ201(長尺状の可撓性基材)と配線層204とを備えたベース部材205を準備する工程と、ベース部材205を長手方向に送りながら配線層204上に絶縁層214を形成する絶縁層形成工程と、配線層204に通じるビアホール214aを絶縁層214に形成する開口工程と、ベース部材205を長手方向に送りながらビアホール214aの側壁と底部及び絶縁層214上に導体層215を形成する導体層形成工程と、導体層214をパターニングして配線層216にするパターニング工程とを含み、上記絶縁層形成工程、開口工程、導体層形成工程、及びパターニング工程を所要回数繰り返し、配線層216を積層することを特徴とする配線基板の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】小型で、放熱性に優れ、オン抵抗増加による出力低下や効率低下を防止するのに有効なパワーアンプモジュールを提供する。
【解決手段】誘電体基板1は、誘電体層11〜15を含む。誘電体層11〜15の少なくとも一つは、有機樹脂材料とセラミック誘電体粉末とを含む混合材料でなるハイブリッド層である。ハイブリッド層は、比誘電率が7〜14の範囲にあり、誘電正接が0.01〜0.002の範囲にある。回路要素の少なくとも一部は誘電体層11〜15の内のハイブリッド層を利用する。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップが発生する熱を拡散する熱拡散機能を付与し、半導体装置の熱特性を向上させることにある。
【解決手段】 熱伝導性支持基板の一面側に前記半導体チップが、他面側に前記導体回路基板(インターポーザ)が、熱伝導性の良好なフィラーを混入した絶縁性接着剤を介して接合され、且つ前記電極パッドと前記外部接続端子ランドに形成された前記信号、電源用ソルダー・ボールのそれぞれとの間に電気的導通回路が、前記接地用ソルダー・ボールのそれぞれとの間に熱拡散経路が形成された構成とされている。 (もっと読む)


【課題】 製造コストを削減することができると共に放熱性が高く、しかも大きな容量で電源をとったりグランドをとったりすることができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 放熱用金属板1の表面に絶縁樹脂層2を設ける。絶縁樹脂層2に底面に放熱用金属板1が露出する開口部3とビアホール4をそれぞれ形成すると共に、開口部3内に半導体搭載用キャビティ5を形成する。絶縁樹脂層2の表面からビアホール4の内周及びビアホール4の底面に亘る導体層6を設ける。半導体搭載用キャビティ5は絶縁樹脂層2に開口部3等を加工することによって形成することができる。また放熱用金属板1はビアホール4内の導体層6を介して絶縁樹脂層2の表面の導体層6に導通接続されており、放熱用金属板1の熱も絶縁樹脂層2の表面の導体層6に伝熱され易くなっている。 (もっと読む)


【課題】 熱伝導率150W/(m・K)以上、熱膨張率4×10-6/℃〜12×10-6/℃であり、面方向の弾性率が50GPa以下の電子機器用基板として好適な炭素基金属複合材料板状成形体を提供する。
【解決手段】 黒鉛化した粒子を含む炭素成形体または炭素繊維を含む炭素成形体にアルミニウム、銅、銀または該金属の合金を熔湯鍛造により含浸させることにより製造された炭素基金属複合材料からなることを特徴とする炭素基金属複合材料板状成形体、および炭素成形体を、溶融アルミニウム、溶融銅、溶融銀またはこれらの溶融金属の合金と加圧下において接触させることにより、該炭素成形体に溶融金属を含浸させることからなる炭素質金属複合材料板状成形体の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】樹脂フィルムがウェットブラストや液体ホーニング等のウェット処理による粗面化工程や、フォトレジストのパターン化工程、金属層のめっき工程等のウェット処理工程で、吸湿または吸液して導体パターン等に乱れを生じない配線基板を提供する。
【解決手段】 熱膨張係数が5〜20×10-6/℃、水蒸気透過率が1g・20μ/m2・day以下、吸水率が0.1%以下、融点が260℃以上である樹脂フィルム1を、ウェットブラスト処理または液体ホーニング処理により粗面化し、その粗面化された面に直接めっき法で導体層2を形成し、導体層2の表面に金めっき層3を形成するとともに、樹脂フィルム1にバイアホール5を形成して露出した導体層2に金めっき層6を形成した配線基板およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】 内層金属芯と外層金属箔との接続性、放熱性、吸湿後の耐熱性等に優れた半導体プラスチックパッケージを得る。
【解決手段】 表面は台形状の金属突起、裏面は複数個の円錐台形状金属突起を有する金属芯を用いたボールグリッドアレイの半導体プラスチックパッケージであって、表面の台形状金属芯に流れ出した樹脂層をサンドブラスト法で除去して露出し、半導体チップ搭載用に使用し、裏面は円錐台形突起に接触する金属箔と接続するように形成された熱放散用ハンダボールパッドとし、熱硬化性樹脂組成物として多官能性シアン酸エステル系樹脂組成物を用いる。
【効果】 内層金属芯と裏面外層金属箔層との接続性、熱の放散性、吸湿後の耐熱性、プレッシャークッカー後の絶縁性、耐マイグレーション性などに優れ、大量生産性に適した新規な構造の半導体プラスチックパッケージを得ることができた。 (もっと読む)


【課題】 内層金属板と外層金属箔との接続性、放熱性、吸湿後の耐熱性等に優れた半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板を得る。
【解決手段】 両面円錐台形突起を備えた金属板を用いたボールグリッドアレイの半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板であって、金属板に形成された突起が、ダイパッド側表面に形成された銅層及び裏面の熱放散用ハンダボールパッド側表面に形成された銅層と電気的に接続されている構造のプリント配線板とする。
【効果】 内層金属板と外層銅層との接続性、放熱性、吸湿後の耐熱性などに優れ、大量生産に適した新規な構造の半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板が提供される。 (もっと読む)


【課題】 放熱性、吸湿後の耐熱性などに優れ、半導体チップ搭載部金属面が周囲の回路面と平滑な半導体プラスチックパッケージ用両面金属箔張積層板を得る。
【解決手段】 ワイヤボンディングで接続される金属芯入り半導体プラスチックパッケージ用金属箔張積層板の製造方法において、半導体チップを搭載する金属突起部とは反対側の、突起部の下部周辺にスリット加工をほどこした金属板を使用し、突起部の高さを、使用するプリプレグの厚さより高くし、この上に金属箔を配置して加熱、加圧積層の初期段階で、金属箔を金属板に接触させて突起部に圧力を集中し、金属板突起部の付け根の箇所を変形させて反対面に押し下げ、表面突起部と周囲のプリプレグ樹脂面を平滑に成形することにより、金属突起面上に樹脂の流れ込みが極めて少なく、表面平滑な半導体プラスチックパッケージ用金属箔張積層板を得ることができた。
【効果】 放熱性、吸湿後の耐熱性などに優れ、大量生産に適し、表面平滑な新規な構造の半導体プラスチックパッケージ用の両面金属箔張積層板を得ることができた。 (もっと読む)



661 - 670 / 682