【課題】銅マトリックス中に炭素繊維を含有した低熱膨張，高熱伝導の銅−炭素繊維複合体及びその製造法を提供する。
【解決手段】前記銅−炭素繊維複合体の銅マトリックスと炭素繊維の界面に炭素と化合物を形成する金属元素を含み、かつ銅あるいは炭素またはその両方に対して反応又は固溶した界面層が存在し、銅マトリックスは実質的に銅からなるものである。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導を良好にするための無機フィラーと、さらに熱硬化樹脂組成物とを含み、前記熱硬化樹脂が未硬化状態では可撓性を有し、硬化後はリジットになるように構成し、基板の平面方向の熱膨脹係数が半導体と近く、放熱性に優れた熱伝導基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】 無機質フィラー70-95重量部と、熱硬化樹脂、硬化剤および硬化促進剤を含む熱硬化樹脂組成物4.9-28重量部と、溶剤0.1-2重量部を含む熱伝導シート状物200と、配線を形成するリードフレーム201を重ね合せ(C)、加熱加圧し(D)、リードフレームの表面まで熱伝導シート状物熱伝導シート状物を充填し、さらに熱伝導シート状物の中の熱硬化樹脂を硬化させ、リードフレームの必要部分を残してカットし、さらに取り出し電極とするためリードフレームを垂直に曲げ加工する(E)。 （もっと読む）

【課題】 高い放熱性能と信頼性、及び、安定したプロセス工程で製造できる半導体装置用パッケージを提供する。
【解決手段】 金属板上に絶縁体、更にその上に銅箔を設けた３層構造の金属基板を用い、金属基板の金属板を、電気的に相互に絶縁されたヒートスプレッダー兼ＧＮＤ．プレーン１０と、複数の孤立したランドパターン１３に形成する。また、銅箔を銅箔配線４とアイランドパターン１５に形成する。銅箔配線４とアイランドパターン１５は、それぞれ、ビアホール３によりランドパターン１３と、放熱ビア１４でヒートスプレッダー兼ＧＮＤ．プレーン１０と導通する。アイランドパターン１５を接地電位にすると、ヒートスプレッダー兼ＧＮＤ．プレーン１０は同電位の接地電位になる。同時にＬＳＩ７の裏面に発生する熱を効率的に外部に逃がすヒートスプレッダーの役目も果たす。 （もっと読む）

【課題】繰り返しの冷熱サイクルを長時間付加した後においてもクラックの発生が効果的に抑制される、いわゆる耐熱サイクル性に優れた信頼性が高いセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】カーボン粉末と、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属とを含有する銀−銅系ろう材層５を介してセラミックス基板２に金属回路板３を接合して成ることを特徴とする。また銀−銅系ろう材層５におけるカーボン粉末の含有量が０．１〜５．０重量％である。さらに銀−銅系ろう材層５における活性金属の含有量は０．５〜１０重量％の範囲とする。また銀−銅系ろう材層５に、さらにＩｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元素を含有させるとよい。 （もっと読む）

【課題】従来より、熱膨張係数が９〜１４ｐｐｍ／℃程度の有機樹脂を主成分とする複合材料やガラス−セラミックス複合材料は、熱伝導率が数Ｗ／ｍ・ｋ程度と低く、従来の放熱体では熱膨張差が大きくクラックや反りが発生した。
【解決手段】配線層を有する、室温から４００℃における熱膨張係数が９〜１４ｐｐｍ／℃の絶縁基板と、絶縁基板の表面に搭載された半導体素子と、絶縁基板に接合された放熱体とを具備し、放熱体が、銅を３０〜８０重量％含み、室温から４００℃における熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以下の低熱膨張金属と、焼結助剤金属との焼結体からなるとともに、前記絶縁基板との熱膨張差が±０．５ｐｐｍ／℃であることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 半導体パッケージに使用される特性を満たすとともに，安価で製造し易く大量生産に適するＣｕとＭｏとからなる放熱基板材料とその製造方法とを提供すること。
【構成】 半導体素子を搭載するパッケージに用いられる放熱基板用材料において，粉末冶金による銅とモリブデンとの焼結複合材からなり，熱間押出して密度比が９９．８％以上，熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。この放熱基板用材料を製造するには，銅粉末とモリブデン粉末とを混合し，冷間静水圧プレスし，焼結した後，熱間押出し，圧延して密度比９９．８％以上，熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の特性を有する複合材を得る。 （もっと読む）

【目的】 高周波回路に対応でき、かつフリップチップによりＩＣチップを搭載する場合に、優れた放熱性が得られる配線用基板を得る。
【構成】 シリコン基板２上に複数の導電層からなる配線層７を有し、かつフリップチップ用のバンプ８を有する配線用基板であって、該バンプ８が配線層７の最内層の導電層６に接続している。 （もっと読む）

【目的】半導体チップの直接実装などに用いられる基板には低膨張の基板が必要であるが、樹脂層が低膨張でも回路形成に用いる金属が低膨張でなければその効果は減少する。このため、低膨張の金属を回路形成に用いる。
【構成】低膨張の樹脂層を用いた回路板において、低膨張の金属を回路導体として用いることを特徴とする回路形成方法。 （もっと読む）