【課題】回路層の一方の面に半導体素子が確実に接合され、熱サイクル及びパワーサイクル信頼性に優れたパワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２上に搭載される半導体素子３と、を備えたパワーモジュール１であって、回路層１２の一方の面には、ガラス成分を含有するガラス含有Ａｇペーストの焼成体からなる第１焼成層３１が形成されており、この第１焼成層３１の上に、酸化銀が還元されたＡｇの焼成体からなる第２焼成層３８が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールから発生する熱と電磁ノイズの拡散を抑制することができる半導体モジュール取付構造及びその半導体モジュール取付構造を備えた空気調和装置の制御装置を得る。
【解決手段】半導体モジュール１０の放熱面１０ａに放熱板３０を密着固定すると共に、半導体モジュール１０を、電磁ノイズ遮蔽効果を有する電磁ノイズ遮蔽カバー２０で覆う。半導体モジュール１０は樹脂成形部１１の両側面から複数のリードピン１２が突出した構成を有し、樹脂成形部１１には半導体モジュール１０を放熱板３０に取付けるための取付穴１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールにおける半導体素子の損傷を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、２つの半導体モジュール４と、２つの半導体モジュール４を挟み込み、２つの半導体モジュール４を冷却する第１及び第２の冷却器２,３と、を備え、半導体モジュール４は、半導体素子４１と、半導体素子４１を挟み込み、半導体素子４１と接続される第１及び第２の導電板４４,４４と、半導体素子４１と第１及び第２の導電板４４,４５を封止するモールド部４６と、を有し、モールド部４６は、第２の導電板４５の第２の露出面４５２と比較して第２の冷却器３に向って相対的に突出する突起部４６１を有し、第１の導電板４４の第１の露出面４４２は、第１の冷却器２により押圧され、突起部４６１は、第２の冷却器３に押圧されて、塑性変形している。 （もっと読む）

【課題】応力緩和性及び耐熱性を両立する半導体接合構造体及びその製造方法を実現する。
【解決手段】半導体素子１０２と電極１０３とが接合部２１２を挟んで接合された半導体接合構造体において、接合部２１２は、電極１０３に接する第１金属間化合物層２０７と、半導体素子１０２に接する第２金属間化合物層２０８と、第１金属間化合物層２０７及び第２金属間化合物層２０８に挟まれた金属層とを備える。金属層は、Ｓｎ含有相２１０と、金属間化合物からなり且つＳｎ含有相に分散された複数の結晶粒塊２０９とを含み、それぞれの結晶粒塊２０９は、第１金属間化合物層２０７及び第２金属間化合物層２０８に対し、いずれとも離れているか、又は、いずれか一方のみに接している。 （もっと読む）

【課題】基板に対する仮止め操作において、実装された電子部品に対して安定した押圧力を作用させ、基板との間で位置ずれが起きることのないヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンクは、基板５０の発熱部からの熱を放熱する平板部２を具備しており、平板部２には、基板に対して固定される基板係止部材１０と、基板の発熱部に対して平板部を押圧させる押圧係止部材２０が設けられている。基板係止部材１０は、基板側に突出して基板と係合すると共に、基板と平板部との間隔を維持する位置決め部を有し、押圧係止部材２０は、弾性を有する板材で構成されており、平板部２に面接固定される押圧部２１と、押圧部２１から平板部２の縁部外方に突出すると共に基板側に向けて屈曲形成され、基板に形成されている貫通孔に挿通、係止される連結部２２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ＩＣが搭載される基板が大型化するのを抑制するとともに、部品点数が増加するのを抑制し、かつ、組立時間を短縮することが可能な受信ユニットを提供する。
【解決手段】この受信ユニット１は、ＩＣ２が搭載された基板３と、基板３に実装されるピンヘッダ４と、ＩＣ２に接触し、ＩＣ２で発生する熱を放熱する放熱部材６と、を備える。ピンヘッダ４と放熱部材６とは一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】発熱部材と固定金具との絶縁距離を確保できる発熱部品の固定方法及び発熱部品の固定構造を得ること。
【解決手段】発熱部品の固定方法は、基板に対して第１の方向に列を成すように取り付けられた複数の発熱部品を前記複数の発熱部品に沿って延在する放熱部材へバネ性を有する１以上の固定金具で固定する発熱部品の固定方法であって、前記固定金具が前記発熱部品を前記放熱部材に押圧して締結する際に、前記発熱部品と前記固定金具との間に板状の絶縁部材を挟んで締結する。 （もっと読む）

【課題】半導体積層ユニットにおける半導体モジュールのずれを防ぐと共に、半導体積層ユニットの冷却性能の低下を抑制することのできる電力変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電力変換装置１の製造方法である。電力変換装置１は、半導体積層ユニット１０と、フレーム２と、加圧部材３とを有している。半導体積層ユニット１０は、半導体モジュール１１と冷却管１２１とを積層してなる。フレーム２は、底部２１と、前方壁部２２１及び後方壁部２２２とを有している。加圧部材３は、半導体積層ユニット１０とフレーム２の後方壁部２２２との間に配置される。電力変換装置１は、フレーム２の内側に半導体積層ユニット１０及び加圧部材３を配するにあたり、少なくとも半導体積層ユニット１０に対し加圧部材３の加圧力を付与し始める加圧力付与開始時点においては、加圧部材３の加圧方向を底部２１に向かって傾斜させてある。 （もっと読む）

【課題】発生する熱を効率よく放熱可能な半導体装置、および、それを用いた駆動装置を提供する。
【解決手段】半導体装置では、ねじ６８、６９が、パワーモジュール６０をヒートシンクに押圧する。ＭＯＳ８１〜８８は、１つのねじ６８、６９に対し３つ以上配置される。また、ＭＯＳ８１〜８８は、ねじ６８、６９による押圧によりパワーモジュール６０とヒートシンクとの間に生じる圧力がＭＯＳ８１〜８８からの熱を放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置される。これにより、少なくともＭＯＳ８１〜８８が配置されている領域では、パワーモジュール６０とヒートシンクとが密着した状態で保持され、ＭＯＳ８１〜８８から発生する熱を効率よくヒートシンクへ放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体積層ユニットの振動を抑制することができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子を内蔵した複数の半導体モジュール２１と、半導体モジュール２１を冷却する冷却媒体を流通させる冷媒流路とを積層してなる半導体積層ユニット２を、ケース３に収容してなる電力変換装置１。半導体積層ユニット２は、冷媒流路の少なくとも一部を構成する流路構成部品の一部において、ケース３に固定されている。流路構成部品の一部は、固定用突出部２２１を備え、固定用突出部２２１がケース３に固定されている。半導体積層ユニット２は、内部に冷媒流路を備えた複数の冷却管２２０と、複数の半導体モジュール２１とによって構成されており、複数の冷却管２２０のうちの一部が、固定用突出部２２１を備えている。 （もっと読む）