【課題】放熱が必要な部品のヒートシンクの厚さにかかわらず効率よく組み立てができる回路部品実装基板及び回路部品実装基板の位置決め方法を提供する。
【解決手段】回路部品実装基板は、ビス穴を有し、回路部品を実装する回路基板と、ビス穴を有する溝部を備えるベースプレートと、ビス穴を有し、溝部に嵌合する基底部、ビス穴を有し、回路基板を支持する支持部、並びに基底部と支持部を連結する連結部を具備する取付部材と、取付部材の基底部に載置され、基底部とともにベースプレートにヒートシンクがとも締めされる発熱部品と、を備える。 （もっと読む）

【課題】冷却プレートと半導体パッケージを交互に積層したパワーモジュールにおいて、下流の冷却プレートまで冷媒が良く流れるようにする。
【解決手段】パワーモジュール１００は、複数の冷却プレート２と、半導体素子を収めた複数の半導体パッケージ３を交互に積層した構造を有している。冷却プレート２には、半導体パッケージ３の当接領域１２ｃの両側に貫通孔１２ａ、１２ｂが形成されており、冷却プレート２の内部に一方の貫通孔から他方の貫通孔へと冷媒が通る流路が形成されている。また、隣接する冷却プレートの貫通孔同士が接続されている。さらに、積層体の一方の端に位置する最外冷却プレート２ａの２つの貫通孔の夫々には、冷媒の供給管８と排出管７が接続されている。供給管８と排出管７の少なくとも一方の管と冷却プレート２ａとの接続部の流路断面積Ｓ１が、貫通孔同士を接続する接続管５の流路断面積Ｓ２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】冷却流体の洩れを防止しうるとともに、冷却効率の低下を抑制しうるパワー半導体モジュール冷却装置を提供する。
【解決手段】ＩＰＭ冷却装置１は、内部に冷却流体通路５が設けられた冷却器２と、冷却器２に固定されかつＩＰＭIを冷却器に取り付ける取付器３とを備えている。冷却器２の内面が冷却流体通路５に臨んだ壁部分の外面全体のうち少なくとも一部に、ＩＰＭIを搭載する搭載部19を設ける。取付器３は、熱伝導性材料からなりかつ冷却器２の搭載部19に沿わされてろう付された伝熱板21と、伝熱板21よりも硬質の材料で形成された板状頭部23およびおねじ部24からなる。板状頭部23を、伝熱板21の下面21aに圧入することにより、下面21aに凹所28を形成する。凹所28内に、板状頭部23を、下面21aから冷却器２側に突出せずかつおねじ部24の軸線回りの回転が阻止されるように嵌め入れる。 （もっと読む）

【課題】装置全体の小型化及び製造工程の簡素化を図りつつも、優れた放熱効果を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、配線基板１０と、その配線基板１０上に実装された半導体素子２０と、半導体素子２０と熱的に接続された放熱板３０と、前記放熱板３０と熱的に接続されたヒートシンク４０とを有する。放熱板３０には、溝部３４を有する取付部３３が、放熱板３０を平面視した状態で、放熱板３０の中心点Ｃ１に対して同心円となる円周上に複数形成されている。また、ヒートシンク４０には、溝部３４内に沿って移動される突出部４４を有する取付部４３が、ヒートシンク４０を平面視した状態で、ヒートシンク４０の中心点Ｃ２に対して同心円となる円周上に複数形成されている。 （もっと読む）

【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板８と、絶縁基板８上に配置された信号配線電極１２と、絶縁基板８上に若しくは絶縁基板８を貫通して配置されたパワー配線電極１６と、絶縁基板８上にフリップチップに配置され、半導体基板２６と、半導体基板２６の表面上に配置されたソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰと、半導体基板２６の裏面上に配置されたドレインパッド電極３６とを有する半導体デバイス１０と、ゲートパッド電極ＧＰ上に配置されたゲートコネクタ１８と、ソースパッド電極ＳＰ上に配置されたソースコネクタ２０とを備え、ゲートコネクタ１８とゲートパッド電極ＧＰおよび信号配線電極１２、ソースコネクタ２０とソースパッド電極ＳＰおよびパワー配線電極１６は、固相拡散接合される半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ１１はサブマウント７とヒートシンク９との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ１１はｐアップ形態でサブマウント７上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体１３を介してサブマウント７に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極１５及びパッド電極４５を介して低い温度のヒートシンク９に伝わり、この熱は、オーミック電極１５から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク９の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ１１の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ１１の温度はヒートシンク９の温度より低いので、ヒートシンク９の熱はIII族窒化物半導体レーザ１１に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの面方向の熱膨張収縮が拘束されると、高さ方向の熱応力によって反りが発生し、グリースが塗布位置から流出する可能性がある。
【解決手段】半導体装置１００は、平板状の冷却器２と、冷却器２上にグリースを介して載置された、半導体チップを樹脂モールドした半導体モジュール１と、平板状の冷却器の面方向において、半導体モジュールの温度変化に応じた寸法変化を許容するとともに、半導体モジュールの位置を位置決めする位置決め部材３とを備える。 （もっと読む）

【課題】体格の増大を抑制しつつ、チューブの両面において、冷却能力を等しくすることのできる冷却器を提供する。
【解決手段】冷却器は、冷媒が流れる冷媒通路を内部に有し、一面と該一面と反対の裏面との両面が、電子部品を冷却するための冷却面とされ、一面側に冷媒通路への冷媒導入口が設けられたチューブを、少なくとも１つ備える。冷媒導入口は、冷媒通路を流れる冷媒の流れ方向（Ｘ方向）に垂直な幅方向（Ｙ方向）において一面の中央に設けられ、Ｘ方向において、チューブにおける電子部品と対向する位置よりも上流側に、冷媒通路を等しく２分割する上流側仕切り板が配置される。この上流側仕切り板は、９０°×ｎ（ｎ：奇数）ねじられており、上流側端部が冷媒通路をＹ方向において２分割するように設けられ、下流側端部が、直交方向（Ｚ方向）において２分割するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールと冷却装置の間の熱抵抗の増加を防止することが可能な半導体装置を得る。
【解決手段】半導体モジュール１０を板バネ２０で加圧しながら冷却装置３０に固定する半導体装置において、半導体素子１２の上面の面積の少なくとも半分以上が板バネ２０の加圧部２４の外周２４ａ内に入るように配置し、半導体モジュール１０の上面１０ａから、熱抵抗変化への影響が大きい半導体素子１２上を重点的に加圧するようにした。これにより、半導体素子１２直下における半導体モジュール１０の変位を抑制することができ、半導体モジュール１０を冷却装置３０に安定して密着させることができる。その結果、半導体モジュール１０と冷却装置３０の間の熱抵抗の増加を防止することが可能である。 （もっと読む）

【課題】第一放熱部材と、第一放熱部材の搭載面に搭載される発熱電子デバイスと、前記搭載面及び前記発熱電子デバイスの上方に間隔をあけた位置に配される基板とを備える発熱電子デバイスの放熱構造において、基板に対向する発熱電子デバイスの上面側からの放熱を効率よく行えるようにする。
【解決手段】基板５に対向する発熱電子デバイス２の上面２１ａに第二放熱部材４１を固定し、さらに、第二放熱部材４１を基板５に対して機械的に接続した発熱電子デバイス２の放熱構造を提供する。また、第二放熱部材４１を、発熱電子デバイス２の上面２１ａに面接触する本体部４１と、当該本体部４１から前記基板５に向けて突出する接続突起４２とによって構成し、接続突起４２を基板５の放熱用挿通孔５３に挿通させた放熱構造を提供する。 （もっと読む）