【課題】 高い昇圧レベルにもかかわらず、ゲート酸化膜厚が薄いトランジスタを使用し、しかも信頼性を確保することができる基板電圧発生回路および半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 半導体集積回路装置は、クロック信号を発生する発振器とチャージポンプ回路１００とを含む。チャージポンプ回路１００は、容量素子Ｃ１〜Ｃ５および出力トランジスタＱ６を含む。容量素子Ｃ２は、昇圧ノード（ノードＮ２）の電圧を昇圧する。トランジスタＱ９は、ノードＮ２の電圧レベルを一定値にクランプする。容量素子Ｃ４は、出力トランジスタＱ６のゲート電圧を制御する。トランジスタＱ９を用いて、トランジスタＱ４、Ｑ７およびコンデンサＣ４にかかる電圧を抑え、ホットキャリアの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 アナログ・デジタル混載集積回路を形成した半導体装置において、クロストークの発生を防止する。
【解決手段】 Ｎ型シリコン基板１０１の表面にＰ型エピタキシャル薄膜１０２を形成する。このエピタキシャル薄膜１０２の領域１０３にはデジタル集積回路を、領域１０４にはアナログ集積回路領域を、それぞれ形成する。これらの領域１０３，１０４を、トレンチ構造の素子分離膜１０５で完全に分離することにより、ゲート電極１０７から導入されたノイズの大部分は、エピタキシャル薄膜１０２の領域１０３から基板１０１を介して領域１０４に伝搬し、Ｎ⁺ 拡散領域１０９に達する。ここで、Ｎ型シリコン基板１０１とＰ型エピタキシャル薄膜１０２との界面（すなわちＰＮ接合面）には、空乏層が形成されるので、この界面付近の寄生容量Ｃ₈ ，Ｃ₉ は非常に小さくなり、このためノイズ伝搬経路全体の合成容量も小さくなる。したがって、ノイズの伝搬を抑え、クロストークの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造において、強誘電体膜の自発分極を最大化する。
【解決手段】 下側電極を形成後、強誘電体膜を堆積する前に、前記下側電極を不活性雰囲気中において急速熱処理する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波増幅装置の小型化及び低コスト化を実現できるようにする。
【解決手段】 ＦＥＴ１０１は入力整合回路１０６及び出力整合回路１０７によって入力側及び出力側の回路又は伝送線路との整合を行っている。入力整合回路１０６はスパイラル状の入力側インダクタ１０２及び入力側ＤＣ遮断用結合キャパシタ１０４により構成され、入力側ＤＣ遮断用結合キャパシタ１０４は入力側インダクタ１０２の中心部に形成されている。出力整合回路１０７はスパイラル状の出力側インダクタ１０３及び出力側ＤＣ遮断用結合キャパシタ１０５により構成され、出力側ＤＣ遮断用結合キャパシタ１０５は出力側インダクタ１０３の中心部に形成されている。入力整合回路１０６及び出力整合回路１０７をそれぞれ単一のインダクタにより構成するため、誘電率が１２０であるチタン酸ストロンチウムよりなるスパイラルインダクタを用いた１／４波長線路１０８により電源を高インピーダンス化している。 （もっと読む）

【課題】 温度補償されており且つ低ノイズの対称的な基準電圧を発生する回路を提供する。
【解決手段】 電圧・電流変換段が差動対の電流を発生し、該差動対の電流は１対の相互抵抗フィードバックオペアンプへ入力され、該オペアンプのフィードバック抵抗は該変換段において使用されている抵抗とインターレースした形態で集積化されている。 （もっと読む）

【課題】プリント基板製造用ＣＡＤ装置による電源回路の設計に際して、自動的に電源回路の１点アースが可能になるとともに、この部分を開放し電源回路の試験を行ったり回路電流の測定が可能になるようにする。
【解決手段】プリント基板製造用ＣＡＤ装置による電源回路（１）の設計に際して、該プリント基板製造用ＣＡＤ装置における回路図作成装置の回路上で電源回路（１）のＧＮＤ（５）と、該電源回路が電源を供給する制御回路（２）のＧＮＤ（５）との間に、または、電源回路（１）のＶＣＣ（４）と、該電源回路が電源を供給する制御回路（２）のＶＣＣ（４）との間に、０Ωの抵抗（３）またはインダクタンスを挿入するようにした。 （もっと読む）

【課題】 高速で測定することが可能な測定手段を提供する。
【解決手段】 テスト回路を内部回路の電源線に直列に接続した抵抗体と、該抵抗体の両端の電位を正負入力とする比較器と、比較器の出力を入力とするバッファー回路と、バッファー出力に接続したパッドと、該比較器の電源線に直列に接続したＭＯＳトランジスタと、該ＭＯＳトランジスタのゲートに接続したパッドで構成する事を特徴とした半導体装置装置とその測定方法。 （もっと読む）

【課題】 原子炉などの放射線が照射される場所での半導体装置の特性劣化を防ぐ半導体装置とその駆動方法を得ること。
【解決手段】 放射線照射環境下にあるシステム回路素子５と第１の半導体回路素子１と、その第１の半導体回路素子１からの出力を放射線シールド材６を介して受ける第２の半導体回路素子２とを備え、第１の半導体回路素子１からの出力が一定となるように、第１の半導体回路素子１とシステム回路素子５とを構成する半導体素子の基板電極あるいは下層ゲート電極にバイアスを印加する半導体装置およびその駆動方法。 （もっと読む）