【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、ＰＤの暗電流を１０ｎＡ以下まで低減する。
【解決手段】 ｎ型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びＺｎドープｐ型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[０１１]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に（１００）面方位での飽和濃度以下の濃度のＦｅをドープし、上側クラッド層に（１００）面方位での飽和濃度以上の濃度のＦｅをドープする。 （もっと読む）

【課題】 対象物に光を照射して応答を検出する際の検出感度の向上及びノイズの低減をはかる。
【解決手段】 不透明な配線層１０７，１０８を有する基板１００上に、複数の発光素子２００と複数の受光素子３００を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、発光素子２００及び受光素子３００は基板１００上に形成したバンク２０２，３０２の開口部にそれぞれ形成されている。発光層の半導体材料２０３〜２０５と受光層の半導体材料３０３，３０５とは異なり、発光素子２００及び受光素子３００の上部電極層２０７，３０７とは共通である。さらに、配線層１０７，１０８は、バンク２０２，３０２の開口部で規定される各領域の外側の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電集積回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる厚さを持つ埋込み絶縁層を含む光学素子領域と電子素子領域とを備える光電集積回路基板を提供する。光学素子領域の埋込み絶縁層は、電子素子領域の埋込み絶縁層より深く、そして厚く形成される。埋込み絶縁層のない領域にはＭＥＭＳ構造が形成される。前記埋込み絶縁層は、酸素、窒素、ネオンを含む群から選択された少なくとも一つがインプラントされて形成される。また、前記第１領域の埋込み絶縁層と前記第２領域の埋込み絶縁層とは、前記光電集積回路基板の表面からの上部位置が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】
硬化対象が酸素阻害などの影響を受けやすい紫外線硬化型樹脂などであったとしても、酸素阻害の影響を比較的小さくすることができる光照射モジュール、光照射装置および印刷装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光照射モジュールは、相対的に一方向に移動する対象物に光を照射するための光照射モジュールであって、前記対象物の移動方向の上流側に位置する第１の発光素子群および下流側に位置する第２の発光素子群を有し、前記第１の発光素子群に含まれるそれぞれの発光素子へ供給される第１電流と、前記第２の発光素子群に含まれるそれぞれの発光素子へ供給される第２電流とを異ならせることにより、前記第１の発光素子群の発光量と前記第２の発光素子群の発光量とを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】光量の減少を防止しつつ金属配線の断線を防止することができる面発光素子および面発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、ｐ型の半導体基板と、第１のｐ型の半導体層１４と、第２のｎ型の半導体層１６と、第３のｐ型の半導体層１８と、第４のｎ型の半導体層２０とを有する、サイリスタ構造の面発光素子である。第４の半導体層２０は、ゲート電極２４のためにメサ状にエッチングされ、第３の半導体層１８との間に段差部Ｓを生じさせる端部（エッチング面）ＥＤを有する。端部ＥＤには、順方向のメサとなる第１の側部と、第１の側部に対向し順方向のメサとなる第２の側部と、逆方向のメサとなる第３の側部とからなる迫出し部４０が形成されている。 （もっと読む）

基板間で電子電荷、熱または光を伝達する構造体および方法。このデバイス構造体は、互いに隔離された第１および第２の基板と、第１と第２の基板を合わせて接続する複数の局所スペーサとを含む。局所スペーサのうちの少なくとも１つが３５０ｎｍ未満の横方向寸法を有する。第１と第２の基板間のサブミクロン離隔距離は、第１と第２の基板の間で利益をもたらすトンネリング（earner tunneling）、熱伝達または光伝達が行われるように設定される。この方法では、電荷キャリア、熱または光を第１の基板に供給する。第１の基板は、説明されている少なくとも１つの局所スペーサによって第２の基板から隔離され、また第１の基板は、少なくとも１つの局所スペーサによって形成された第１と第２の基板間のサブミクロンギャップを越えて、第１の基板から第２の基板まで電荷キャリアをトンネリングし、熱を結合し、または光を結合する。
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【課題】白色発光ダイオードの普及に伴って商用電源を用いる照明のニーズが高くなってきている。しかし、電源として一般的に有限の需要を持つ電解コンデンサが使用されている。高電圧駆動の白色ダイオードを用いて駆動電流を減らして、できるだけ簡素な定電流素子を実用化して部品点数の少ない発光ダイオード照明器具を実用化したい。
【解決手段】本発明は白色ダイオード駆動電圧を商用電源と近い高電圧に設定したものを用いて、駆動電流を減らして、ジャンクションＦＥＴ型定電流素子を使用可能とし、その素子の温度特性と交差を改善しかつ小型化を実現するものである。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部１と、反射部１を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部２と、光電流生成部２で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部３と、発光部３から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部３から放出されて、反射部１で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部４とを有し、反射部１、光電流生成部２及び発光部３を、半導体の基板上に積層したIII−Ｖ族化合物半導体から構成する。 （もっと読む）

【課題】１つの基板に設けられた複数の機能性領域のうち、任意の領域を選択的に別の基板に効率良く選択的に移設することができる機能性領域の移設方法などを提供する。
【解決手段】機能性領域の移設方法により、処理により分離可能状態になる分離層１０５を有する第１の基板１０３の分離層上に配される機能性領域１０１、１０２の少なくとも一部が第２の基板１００に移設される。第１接合工程では、第１の基板上に配された機能性領域の少なくとも一部と第２の基板との間にドライフィルムレジスト１１５を介在させて、第１の基板と第２の基板を接合する。露光工程では、ドライフィルムレジスト１１５の一部を露光する。パターニング工程では、露光されたドライフィルムレジスト１１５をパターニングする。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化して低コスト化を図る。
【解決手段】半導体複合装置は、シフトレジスタと、これにより時分割駆動される半導体薄膜からなる発光サイリスタアレイとにより構成されている。この製造方法は、例えば、シフトレジスタを構成する複数の回路構成素子２４３が形成されたシリコン基板２４１を用意する。シフトレジスタにより駆動される複数の発光サイリスタ２６１〜２６４が配列された結晶構造を持った半導体薄膜からなる発光サイリスタアレイを、パッシベーション膜２４２を介してシリコン基板２４１上に貼着する。フォトリソグラフィ法により、複数の回路構成素子２４３間を電気的に接続してシフトレジスタを形成すると共に、そのシフトレジスタ及び複数の発光サイリスタ２６１〜２６４間を電気的に接続するメタル配線２６５〜２６７を形成する。 （もっと読む）