【課題】フローティングゲートとコントロールゲートとのオーバーラップ量のバラツキを抑制する。
【解決手段】基板（１）と、ゲート絶縁膜（２）を介してその基板（１）の上に設けたれたフローティングゲート（２０）と、トンネル絶縁膜（３０）を介してそのフローティングゲート（２０）の隣に設けられたコントロールゲート（５０）と、そのフローティングゲート（２０）の上に設けられたスペーサー絶縁膜（９）と、そのスペーサー絶縁膜（９）とそのコントロールゲート（５０）との間に設けられた保護膜（７）とを具備する半導体記憶装置（ＭＣ）を構成する。そのような半導体記憶装置（ＭＣ）において、その保護膜（７）は、スペーサー絶縁膜（９）以外の部分をエッチングするときに、スペーサー絶縁膜（９）の側面のストッパーとして機能している。 （もっと読む）

【課題】メモリセルトランジスタの特性が均一な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にボロンドープドポリシリコン層とノンドープドポリシリコン層とを交互に積層させて積層体を形成し、Ｘ方向に延びるスリットを形成することにより、ボロンドープドポリシリコン層を複数本のゲート電極２１に分断する。次に、スリット内に絶縁材料を埋め込んで絶縁板材を形成し、積層体を貫通するように貫通ホール３０を形成する。次に、貫通ホール３０を介してウェットエッチングを行い、ノンドープドポリシリコン層を除去する。次に、貫通ホール３０の内面上及びゲート電極２１の上下面上にブロック絶縁膜３５を堆積させる。次に、ブロック絶縁膜３５上に電荷蓄積膜３６及びトンネル絶縁膜３７を堆積させる。次に、貫通ホール３０内にポリシリコンを埋め込んで、シリコンピラー３９を形成する。 （もっと読む）

【課題】マルチドットフラッシュメモリの書き込み／消去の低消費電力化を図る。
【解決手段】本発明の例に係わるマルチドットフラッシュメモリは、書き込み／消去の対象となる選択されたフローティングゲートの左側に存在するビット線ＢＬ１３，ＢＬ１２，ＢＬ１１，…の電位V2(1), V2(2), V2(3),…を、V2(1)>V2(2)>V2(3)>…とし、選択されたフローティングゲートの右側に存在するビット線ＢＬ１４，ＢＬ１５，ＢＬ１６，…の電位V1(1), V1(2), V1(3),…を、V1(1)<V1(2)<V1(3)<…とする。但し、V2(1)は、プラス電位、V1(1)は、マイナス電位である。また、ビット線の電位は、選択されたフローティングゲートから離れるに従い、０Ｖに収束する。 （もっと読む）

【課題】基板上に逆Ｔ形状を有するフローティングゲートを持った不揮発性メモリ構造を形成する、複雑ではない方法を提起する。
【解決手段】半導体材料の基板に少なくとも一つのメモリセルアレイを備えた不揮発性メモリの製造方法であって、メモリセルは、ＳＴＩ構造によって、互いに自己整合され互いから分離される。メモリセルは、メモリセルアレイに沿った断面において逆Ｔ形状を有するフローティングゲートを備える。ここで、逆Ｔ形状は、フローティングゲートの側壁の上部を酸化させることにより形成され、それによって犠牲酸化物層を形成し、その後、ＳＴＩ構造をさらにエッチバックすると同時に犠牲酸化物層を除去する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリと、精度が低くても高耐圧性が要求されるキャパシタと、耐圧性が低くても高精度が要求されるキャパシタとを備えた半導体装置を比較的少ない工程で製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたシリコン膜１３により、フラッシュメモリのフローティングゲートと高耐圧キャパシタの下部電極１３ｂとを形成する。この場合、シリコン膜１３中の不純物濃度を、フラッシュメモリに適した濃度とする。その後、半導体基板１０に不純物をイオン注入して高精度キャパシタの下部電極となる高濃度不純物領域１５を形成する際に、高耐圧キャパシタの下部電極１３ｂに不純物を追加注入し、下部電極１３ｂの不純物濃度を向上させる。次いで、高精度キャパシタの誘電体膜１２を、増速酸化により形成する。 （もっと読む）

【課題】選択ゲート電極を低抵抗化し、半導体ピラーを選択する選択ゲートトランジスタの応答特性が良好な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１方向に交互に積層された複数の電極膜ＷＬと複数の電極間絶縁膜１４とを有する積層構造体ＭＬと、前記第１方向において積層構造体ＭＬに積層された選択ゲート電極ＳＧと、積層構造体ＭＬと選択ゲート電極ＳＧとを前記第１方向に貫通する半導体ピラーＳＰと、電極膜ＷＬのそれぞれと半導体ピラーＳＰとの交差部に設けられた記憶部と、半導体ピラーＳＰと選択ゲート電極ＳＧとの間に設けられた選択ゲート絶縁膜ＳＧＩと、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。選択ゲート電極ＳＧは、選択ゲート電極ＳＧの前記第１方向に対して垂直な面上に設けられた第１シリサイド層５１を有する。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ結晶からなる離散的フローティングゲートを、移流集積法により形成する半導体記憶素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成されたトンネル絶縁膜に対向するように配置された第２の基板２１との間に、金属ナノ粒子が分散された粒子分散液２２を充填する充填工程と、トンネル絶縁膜の表面に沿った方向に、第２の基板２１をシリコン基板１に対して相対的に移動させることにより、トンネル絶縁膜の表面における第２の基板２１から露出した領域に形成される粒子分散液２２のメニスカス領域２３において、粒子分散液２２の溶媒を蒸発させることにより、トンネル絶縁膜上に金属ナノ粒子を離散的に配置する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを容易な加工で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板１０上に第１の加工層を形成する工程と、第１の加工層に第１のコンタクトホールＣＳ１を形成する工程と、第１のコンタクトホールＣＳ１内に犠牲膜４２ａを埋め込む工程と、犠牲膜４２ａが埋め込まれた第１のコンタクトホールＣＳ１上に第２の加工層４４を形成する工程と、犠牲膜４２ａ上の第２の加工層４４に犠牲膜４２ａに達する第２のコンタクトホールＣＳ２を形成する工程と、第２のコンタクトホールＣＳ２を通じて第１のコンタクトホールＣＳ１内から犠牲膜４２ａを除去し、第１のコンタクトホールＣＳ１と第２のコンタクトホールＣＳ２とを連通させる工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】高記録密度かつ低消費電力を実現した情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】情報記録再生装置は、電圧パルスの印加によって所定の抵抗値を持つ第１の状態とこの第１の状態よりも高い抵抗値を持つ第２の状態との間を可逆的に遷移する記録層からなるメモリセルを備える。前記記録層は、組成式A_xM_yX₄（0.1≦x≦1.2、2＜y≦2.9）で表される第１化合物層を含む。前記Aは、Mn（マンガン）、Fe（鉄）、Co（コバルト）、Ni（ニッケル）、及びCu（銅）のグループから選択される少なくとも１種類の元素である。前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。前記Xは、O（酸素）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】階段状に加工された複数層の電極層とコンタクト電極との接触抵抗を低減する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、電極層ＷＬ１〜ＷＬ４と絶縁層２５とを交互に複数積層する工程と、その積層体の一部を階段状に加工すると共に各段の表面に電極層ＷＬ１〜ＷＬ４を露出させる工程と、露出された電極層ＷＬ１〜ＷＬ４に接する金属膜４３を形成する工程と、電極層ＷＬ１〜ＷＬ４における少なくとも金属膜４３と接する部分に金属化合物４４を形成する工程と、金属膜４３の未反応部を除去した後層間絶縁層４６を形成する工程と、層間絶縁層４６を貫通しそれぞれが対応する各段の電極層ＷＬ１〜ＷＬ４の金属化合物４４に達する複数のコンタクトホール４７を形成する工程と、コンタクトホール４７内にコンタクト電極５０を設ける工程とを備えた。 （もっと読む）