【課題】高集積化されたスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に第１の柱状凸部２ａと第２の柱状凸部２ｂが離間して形成され、第１、第２の柱状凸部２ａ，２ｂは、周辺部と先端部とにソースドレイン３，８の一方と他方とが形成され、周辺部と先端部との間の側壁の表面に、電荷蓄積膜４とメモリゲート線５とが積層された第１積層構造と、ゲート酸化膜６と制御ゲート線７とが積層された第２積層構造と、が形成されたスプリットゲート型の不揮発性メモリセルを、それぞれ含み、第１積層構造が第１、第２の柱状凸部２ａ，２ｂの間にも形成され、それによって、第１の柱状凸部２ａと第２の柱状凸部２ｂとで、メモリゲート線５が共通に接続されている （もっと読む）

【課題】優れた特性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００に設けられた素子形成領域１０ｂと、素子形成領域上に形成されたトンネル絶縁膜１１と、トンネル絶縁膜上に形成された電荷蓄積絶縁膜１２と、電荷蓄積絶縁膜上に形成されたブロック絶縁膜１４と、ブロック絶縁膜上に形成された制御ゲート電極１５と、を備えたメモリセルトランジスタと、メモリセルトランジスタに隣接して形成された素子分離領域１３と、を具備し、メモリセルトランジスタのチャネル幅方向に平行な断面において、電荷蓄積絶縁膜の端部の膜厚は、電荷蓄積絶縁膜の中央部の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増大させることなく、コントロールゲートとフローティングゲートとのカップリング比を増大させることができる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板の表面に形成された複数のアクティブエリアと、隣接するアクティブエリア間に設けられた素子分離部と、アクティブエリア上に設けられたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜を介して各アクティブエリアと対向する下部ゲート部分、および、下部ゲート部分よりも幅が広く該下部ゲート部分上に設けられた上部ゲート部分を含むフローティングゲートと、フローティングゲートの上面および側面に設けられた中間絶縁膜と、中間絶縁膜を介してフローティングゲートの上面および側面に設けられたコントロールゲートとを備え、コントロールゲートの下端は、上部ゲート部分と下部ゲート部分との境界よりも半導体基板に近い。 （もっと読む）

【課題】高カップリング比を維持しつつ、浮遊ゲートの頂部のリーク電流を低減する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタＴＲは、半導体層１０に設けられた、ソース領域１０ｓと、ドレイン領域１０ｄと、ソース領域１０ｓとドレイン領域１０ｄとの間のチャネル領域１０ｃと、チャネル領域１０ｃの上に設けられたゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０の上に設けられ、側部４０ｂと頂部４０ａとを有する電荷保持層（浮遊ゲート４０）と、側部４０ｂ及び頂部４０ａを覆う電極間絶縁膜５０と、電極間絶縁膜５０の上に設けられた制御ゲート６０と、を有する。制御ゲート６０は、側部４０ｂに対向する側部導電層６０ｂと、頂部４０ａに対向し、仕事関数が、電荷保持層よりも高く、側部導電層６０ｂよりも高い頂部導電層６０ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 被処理体の表面に露出したメタル材料の酸化を極力抑制しながら、高い酸化レートでシリコン表面を選択的に酸化することが可能な選択酸化プロセスを提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００では、ｔ１で第１の不活性ガス供給源１９ａ，第２の不活性ガス供給源１９ｃから、それぞれＡｒガスの供給を開始する。次に、ｔ２でＨ_２ガスの供給を開始し、さらにｔ３でＯ_２ガスの供給を開始する。Ｏ_２ガスは、酸素含有ガス供給源１９ｄから、ガスライン２０ｄ、２０ｆ、２０ｇを介して供給され、ガスライン２０ｆ、２０ｇにおいて第２の不活性ガス供給源１９ｃからのＡｒガスと混合され、処理容器１内に導入される。次に、ｔ４でマイクロ波パワーをオンにしてマイクロ波の供給を開始してプラズマを着火する。Ｏ_２ガスの供給開始（ｔ３）からプラズマ着火（ｔ４）までの時間は、５秒以上１５秒以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】貫通ホールの径の変動に起因した電界の変動を補償し、良好な動作特性を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第１方向に交互に積層された複数の電極膜ＷＬと複数の電極間絶縁膜１４とを有する積層構造体ＭＬと、積層構造体を第１方向に貫通する半導体ピラーＳＰと、電極膜のそれぞれと半導体ピラーとの間に設けられた記憶層４８と、記憶層と半導体ピラーとの間に設けられた内側絶縁膜４２と、電極膜のそれぞれと記憶層との間に設けられた外側絶縁膜４３と、を備える。第１方向に対して垂直な第２方向における外側絶縁膜の外径が大きい領域では、外径が小さい領域よりも、第２方向における外側絶縁膜の厚さが厚い。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極から電荷蓄積層に電荷を注入する不揮発性メモリにおいて、従来のゲート構造に比べて電荷の注入効率、電荷保持特性および信頼性を共に向上させる。
【解決手段】電荷蓄積層を構成する窒化シリコン膜に電子および正孔を注入し、トータルの電荷量を変えることによって書き込み・消去を行う不揮発性メモリにおいて、ゲート電極からの電荷注入を高効率で行うために、メモリセルのゲート電極を、ノンドープのポリシリコン層５４とメタル材料電極層５９の２層膜で構成する。 （もっと読む）

【課題】選択トランジスタの閾値が安定した不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１において、シリコン基板１１に複数本のＳＴＩ１７を形成して、シリコン基板１１の上層部分を複数本のアクティブエリアＡＡに区画する。また、アクティブエリアＡＡ上にトンネル絶縁膜１４及び電荷蓄積膜１５を設け、ＳＴＩ１７を覆うようにブロック絶縁膜１８を設け、その上にワード電極ＷＬ及び選択ゲート電極ＳＧを設ける。そして、ＳＴＩ１７の上面１７ａにおける選択ゲート電極ＳＧの直下域を、ワード電極ＷＬの直下域よりも上方に位置させることにより、アクティブエリアＡＡの角部と選択ゲート電極ＳＧとの間の最短距離を、アクティブエリアＡＡの角部とワード電極ＷＬとの間の最短距離よりも長くする。 （もっと読む）

【課題】高誘電率を有する誘電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄いシリコン酸化膜を形成したＳｉ基板上に、ＨｆＮ／Ｈｆ積層膜を形成し、アニール処理によりＨｆ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの混合物からなる金属酸窒化物とする誘電体膜の製造する。（１）ＥＯＴの低減が可能であり、（２）リーク電流がＪｇ＝１．０Ｅ−１Ａ／ｃｍ^２以下に低減され、（３）固定電荷の発生によるヒステリシスが抑制され、（４）７００℃以上の熱処理を行ってもＥＯＴの増加が無く耐熱性に優れる。 （もっと読む）

【課題】素子分離層の幅を狭くしつつ、素子分離層の底部を介した電流のリークを抑制する。
【解決手段】基板１１１と、ゲート絶縁膜１２１と、第１のゲート電極層１２２と、トランジスタ間の第１のゲート電極層１２２及びゲート絶縁膜１２１を貫通し、基板１１１とゲート絶縁膜１２１との界面Ｓ₁よりも深い位置に底面を有する素子分離溝Ｔと、素子分離溝Ｔに埋め込まれた素子分離層１３１と、ゲート間絶縁膜１２３と、選択トランジスタ１０２を構成するゲート間絶縁膜１２３を貫通する第１の穴Ｈ₁と、周辺トランジスタ１０３を構成するゲート間絶縁膜１２３を貫通する第２の穴Ｈ₂と、素子分離層１３１上のゲート間絶縁膜１２３を貫通し、素子分離層１３１とゲート間絶縁膜１２３との界面Ｓ₂よりも深い位置に底面を有する第３の穴Ｈ₃と、第１から第３の穴Ｈ₃に埋め込まれた部分を有する第２のゲート電極層１２４とを備える。 （もっと読む）