【課題】高耐圧および高電流のスイッチング動作が可能で、かつ製造が容易なＦＥＴを提供する。
【解決手段】半導体薄体の一の主表面に設けられた、第１導電型のソース領域（1）と、第１導電型のチャネル領域（10）と、チャネル領域を限定する第２導電型の限定領域（5）と、他の主表面に設けられた第１導電型のドレイン領域（3）と、厚さ方向に連続する第１導電型のドリフト領域（4）とを備え、ドリフト領域（4）およびチャネル領域（10）の不純物濃度は、ソース領域（1）、ドレイン領域（3）および限定領域（5）の不純物濃度よりも低く、チャネル領域（10）の不純物濃度はドリフト領域（4）の不純物濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】パラメータが物理的な意味をもち、容易に初期値の抽出やデバイス開発へのフィードバックが可能で、電気特性を精度良く表現できるヘテロ接合電界効果トランジスタの等価回路モデルの作成方法および回路シミュレータを提供する。
【解決手段】ヘテロ接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間の電流Ｉ_ｄｓを表現する、次式で定義された、


非線形ドレイン電流モデルを含む等価回路モデルを準備するステップＳＴ１０２と、前記等価回路モデル内のパラメータのうち、Ｉ_ｍａｘ、Ｖ_ｋｎｅｅ、ｇ_ｍ、Ｖ_ｐ、Ｐ_２、Ｐ_３、Ｔ_ｃＩ_ｍａｘをフィッティングパラメータとし、フィッティングにより値を定めるフィッティングステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】インバータ等に適用される半導体デバイスは、寄生ダイオードにより誘導負荷からの還流電流を通流する場合、ダイオードの順方向電圧による損失が大きくなることが懸念され、また双方向デバイスを適用した場合には、２つのゲート端子を駆動する必要があり、制御の複雑化、かつ高コストになるという課題があった。
【解決手段】第一ゲート端子２、第二ゲート端子３、第一ソース端子４、第二ソース端子５を備え、第一ゲート端子２、第二ゲート端子３を各オンオフすることで４つの動作モードを有する双方向スイッチ１に適用する駆動方法であり、第一ゲート端子２あるいは第二ゲート端子３の何れか一方を常時オン状態となるように制御し、還流電流を流す経路を確保しつつ、ダイオード損失を低減し、かつ２つのゲート信号数を減らし、簡易な回路構成、かつ低コストに電源変換回路を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】小型かつ高性能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１上に形成された第１のＧａＮ層１２と、第１のＧａＮ層１２上に形成されたソースパッド２３と、第１のＧａＮ層１２上に形成された複数の円柱状のＧａＮ層１４と、これらの円柱状のＧａＮ層１４の上端に接するように形成された第２のＧａＮ層１６と、第２のＧａＮ層１６上に形成されたドレインパッド２５と、を具備する半導体装置であって、複数の円柱状のＧａＮ層１４は、それぞれ下から順にソース領域１８、ゲート領域１９、ソース領域よりも径が細いドレイン領域１７からなり、ソース領域１８の周囲には第１の絶縁膜２０、ゲート領域１９の周囲にはゲート電極２１、ドレイン領域１７の周囲には所定の空間を介して第２の絶縁膜２２がそれぞれ形成される。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を低く、移動度を高く、かつピンチオフ特性を良好にした上で、ドレイン電圧を増大させてもキンク現象が生じない、大電流用の、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部２８が設けられたＧａＮ系積層体１５と、チャネルを含む再成長層２７と、ゲート電極Ｇと、ソース電極Ｓと、ドレイン電極Ｄとを備え、再成長層２７は電子走行層２２および電子供給層２６を含み、ＧａＮ系積層体には再成長層に開口部でその端面が被覆されるｐ型ＧａＮ層６が含まれ、そのｐ型ＧａＮ層にオーミック接触するｐ部電極１１を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鉄砒素系超伝導体の高品質な超伝導薄膜を備えた超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、III-V族半導体から成るバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、下記式（１）で表される組成を有する超伝導薄膜と、を含み、前記超伝導薄膜におけるＡｓ−Ａｓ間隔は、前記III-V族半導体におけるV族原子間距離の約１倍であることを特徴とする超伝導体構造。式（１）ＬｎＦｅＡｓＯ_1-pＦ_q（式（１）において、Ｌｎは１種以上のランタノイド元素であり、０＜ｐ＜１、０≦ｑ＜１） （もっと読む）

【課題】チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする構造を有するヘテロ接合トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体積層１５が、半極性を示すIII族窒化物主面１３ａ上に設けられ、半導体積層１５が主面１３ａに到達する開口１６を有する。開口１６の側面１６ａは、III族窒化物半導体のａ面に対して大きな角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｍ面に対しても大きな角度を成して、III族窒化物半導体のｃ面に非常に近い面から構成される。開口１６の側面１６ａの傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近い。この開口１６の側面１６ａにドリフト層１７及びチャネル層１９が成長されるので、その成長中に不可避的に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層１７及びチャネル層１９における抵抗の不均一を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】外部磁場を用いることなく、電子スピン共鳴を生じさせること。
【解決手段】本発明は、半導体からなり、電子の走行方向に対し交差する方向に第１のスピン軌道相互作用に起因した一定の第１有効磁場が生じるチャネル１８と、前記チャネル内に前記第１有効磁場に起因して生じた前記電子のスピン分離エネルギに対応する周波数の交流電界を生じさせることにより、前記チャネル内に前記電子の走行方向および前記第１有効磁場の方向に交差する方向に第２スピン軌道相互作用に起因した交流の第２有効磁場を発生させる電極２４と、を具備する電子スピン共鳴生成装置である。 （もっと読む）

【課題】小型化とこれに伴う装置の特性の劣化の抑制とが同時に可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１上に形成された第１のＧａＮ層１２と、第１のＧａＮ層１２上に形成されたソースパッド２３と、第１のＧａＮ層１２上に形成された複数の円柱状のＧａＮ層１４と、これらの円柱状のＧａＮ層１４の上端に接するように形成された第２のＧａＮ層１６と、第２のＧａＮ層１６上に形成されたドレインパッド２５と、を具備する半導体装置であって、複数の円柱状のＧａＮ層１４は、それぞれ下から順にソース領域１８、ゲート領域１９、ドレイン領域１７からなり、ソース領域１８の周囲には第１の絶縁膜２０、ゲート領域１９の周囲にはゲート電極２１、ドレイン領域１７の周囲には第２の絶縁膜２２がそれぞれ形成される。 （もっと読む）

【課題】低電圧で作動するとともに大きなベース電圧を印加した場合でも耐電圧が高く、各種の回路素子への応用が容易で、製造コストを抑えた有機トランジスタ及び回路素子を提供する。
【解決手段】コレクタ電極１とエミッタ電極２と両電極間に設けられた有機半導体層３と有機半導体層３内に設けられたベース電極４とを有する縦型トランジスタ部、及び、ベース電極４とベース電圧電源端子７との間に設けられた抵抗部６、を有する。抵抗部６は、コレクタ電極１と同じ材料からなりベース電圧電源端子７に接続する第１電極２１と、エミッタ電極２と同じ材料からなりベース電極４に接続する第２電極２２と、有機半導体層３と同じ材料からなり第１電極２１及び第２電極２２間に挟まれた抵抗層２４とを有する。 （もっと読む）