【課題】携帯電話用コンデンサマイクロフォンなどにおいて、Ｊ−ＦＥＴのソース−ドレイン間にＲＦフィルタを接続する回路が採用される場合に、個別のＲＦフィルタとＪ−ＦＥＴを基板に実装すると、組立工程での歩留まりの低下が問題となる。また小型化の要求にも対応できない問題があった。
【解決手段】１つのｎ型半導体基板に、Ｊ−ＦＥＴとＲＦフィルタを集積化する。半導体基板をバックドレインとし、ｎ型半導体基板表面に設けたｐ型不純物領域内にＪ−ＦＥＴを形成する。バックドレインは表面のＪ−ＦＥＴのドレイン領域と接続する。Ｊ−ＦＥＴのゲート領域はＪ−ＦＥＴのチャネル領域と、ｐ型不純物領域に設けられる。ドレイン領域の一部はＪ−ＦＥＴのチャネル領域からｎ型半導体基板まで延在し、ｎ型半導体基板には、ｐ型不純物領域を設けてＪ−ＦＥＴのソース−ドレイン間にＲＦ−フィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の窒化物半導体層からのマグネシウムの拡散を防止するとともに良好なノーマリオフ特性を確保することができる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置１００は、ｎチャネル型の縦型のＨＥＭＴである。窒化物半導体装置１００は、ｎ型の第３窒化物半導体層４の表面の一部にマグネシウムが含有されているｐ型の第１窒化物半導体層６ａ、６ｂを備えている。第１窒化物半導体層６ａ、６ｂの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているＡｌ含有領域８ａ、８ｂが形成されている。Ａｌ含有領域８ａ、８ｂはマグネシウムの拡散を防止する。また、Ａｌ含有領域８ａ、８ｂの表裏両面に二次元電子ガス層が発生することが抑制され、リーク電流が流れることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】メサ上に形成されるレジストを高精度にパターニングされ、メサ上に断線し難いゲート電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】オーミック電極１０を形成する前にゲート電極１２を形成することで、オーミック電極１０間の狭い領域にレジストパターンの開口部を設ける必要がなくなり、レジスト溜まりが生じにくい構造となっている。また、ゲート電極１２をメサの平坦な領域にのみ形成し、その分チャネル層３のサイドエッチング量を大きくしてチャネル層幅がゲート電極幅よりも小さくされている。ゲート電極１２を平坦な領域のみに形成することで、ゲート電極１２の厚膜化とゲート電極形成用のレジスト塗布後膜厚の均一化を両立可能にしている。ゲート電極の断線が極めて少なく、ゲート電極形成工程におけるレジストパターニング精度が改善された、ウェハ面内の特性ばらつきの少ない半導体装置を実現している。 （もっと読む）

【課題】雰囲気安定性、高ＯＮ／ＯＦＦ比、高電流密度等の優れた特性を有する実用的な縦型有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を半導体材料として含む、縦型有機半導体デバイス。


（Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族基を表す） （もっと読む）

【課題】電荷移動度の経時安定性に優れた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタを提供すること。
【解決手段】複数の電極と下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有する有機半導体層とを備える有機半導体トランジスタ。一般式（Ｉ）中、Ｒ^１はそれぞれ独立に炭素数３以上２０以下の直鎖状アルキル基、炭素数３以上２０以下の直鎖状アルコキシ基、炭素数３以上２０以下の分岐状アルキル基又は炭素数３以上２０以下の分岐状アルコキシ基を表し、Ｒ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下の直鎖状アルキル基、炭素数１以上２０以下の直鎖状アルコキシ基、炭素数３以上２０以下の分岐状アルキル基又は炭素数３以上２０以下の分岐状アルコキシ基を表す。
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【課題】縦型構造のＨＥＭＴにおけるオン抵抗を低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の上方に形成された電子供給層４及び電子走行層２と、電子供給層４及び電子走行層２の上方に形成されたソース電極２１ｓ及びゲート電極２１ｇと、基板１の裏面に形成されたドレイン電極２１ｄと、が設けられている。そして、電子供給層４の少なくとも一部と電子走行層２の少なくとも一部とが、基板１の表面に平行な面から傾斜した面を境にして互いに接している。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置に関し、化合物半導体装置の製造コストを低減させることができる化合物半導体装置の製造方法及び化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に、Ｓｉ炭化物層２を形成する工程と、前記Ｓｉ炭化物層上に、化合物半導体層３を形成する工程と、少なくとも前記Ｓｉ炭化物層に、前記Ｓｉ炭化物のバンドギャップよりも高いエネルギーを有する光を照射しながら、前記Ｓｉ炭化物層を選択的に溶解除去し、前記基板１と前記化合物半導体層とを分離する工程とを含む化合物半導体装置の製造方法。化合物半導体層の形成に用いた基板を化合物半導体層から分離させて再利用することができるため、化合物半導体装置の製造コストを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造でき、再現性のよい特性が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を具備する有機薄膜トランジスタであって、前記有機半導体層が下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。


（式中、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の２価基であり、Ａｒ_１は置換もしくは無置換の１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキルチオ基から選択された基を表し、同一でも別異でもよく、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ０から２までの整数を表し、同一でも別異でもよく、ｎは１以上の整数を表わす。） （もっと読む）

【課題】、環流ダイオードの逆回復動作時に発生する電流及び電圧の振動現象の収束時間を短縮可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、ユニポーラ型の還流ダイオード１００と、還流ダイオード１００に並列接続され、かつ、キャパシタ２１０および抵抗２２０を有する半導体スナバ２００とを備えている。半導体スナバ２００は、キャパシタ２１０または抵抗２２０と接続される第１電極１３と、第１電極１３と絶縁されつつ、第１電極１３と同一主面上に形成されて、キャパシタ２１０または抵抗２２０と接続される第２電極１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの導通時の損失並びに過渡動作時の損失は抑えつつ、逆回復動作時に生じる電流・電圧の振動現象を抑制することが容易に可能な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ユニポーラ動作をする還流ダイオードと、キャパシタと抵抗との直列接続からなり、還流ダイオードに並列接続された半導体回路とを備え、半導体回路２００は、抵抗２２０の少なくとも一部として機能する半導体基体１１と、半導体基体の上面に接して設けられた容量低下防止領域１００１と、容量低下防止領域１００１上に設けられ、キャパシタ２１０の少なくとも一部として機能するキャパシタ誘電体膜１２とを備え、容量低下防止領域１００１が、還流ダイオードに逆バイアス電圧が印加された際に半導体基体１１中への空乏層の伸張を緩和する。 （もっと読む）