【課題】窒化物半導体デバイス層がエッチングされないようにしながら、窒化物半導体デバイス層を基板から剥離することができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法を、基板１２上に、エッチング犠牲層１３を形成する工程と、エッチング犠牲層１３上に、エッチングストッパ層２を形成する工程と、エッチングストッパ層２上に、窒化物半導体デバイス層１を形成する工程と、エッチング犠牲層１３を、光電気化学エッチングによって除去する工程とを含むものとし、エッチングストッパ層２を、窒化物半導体デバイス層１に正孔が蓄積することを防止する層とする。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること、およびその半導体装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置としてのＳＢＤ１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２と、ｎ型層１２上に配置されたアノード電極１４と、アノード電極１４に接続され、ｎ型層１２に突出するｐ型領域１３とを備えている。ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極下の電子の走行方向が基板表面に略平行であるようにデバイス構造を改良しながらも各種弊害を解消したヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型導電層は選択的にイオン注入されているシリコン（Ｓｉ）などのｎ型不純物をアニール処理で活性化することにより形成されており、ｎ型導電層は、イオンが２００ｋｅＶ以上の加速エネルギーで注入されており、ｐ型窒化物半導体層より深く、かつドレイン電極１１４と導通する半導体層にまで注入イオンが達する選択的イオン注入によって形成されており、ｎ型導電層とｎ型不純物が注入されていないチャネル領域との接続部１１５に注入されているｎ型不純物濃度が１×１０^１８ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】優れた電界効果移動度を得ることができる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含む有機半導体層を備える、有機薄膜トランジスタ。
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【課題】低コストかつ低抵抗の半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、該半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極と、を備える。また、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に、前記半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極を形成する電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆するＳｉＯ_２と、（３）該ＳｉＯ_２に接して積層された導電性材料と、（４）該ＳｉＯ_２と該導電性材料との積層体で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】ゲート電圧０Ｖにおけるリーク電流を低減し、十分なノーマリオフ動作を実現可能な縦型チャネル構造の電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタは、高濃度ｎ型ＧａＮ層１０２と、高濃度ｎ型ＧａＮ層１０２の上に形成され、平坦部１２４及び凸部１２２が表面に設けられ、高濃度ｎ型ＧａＮ層１０２のキャリア濃度よりも低いキャリア濃度を有するｎ型ＧａＮ層１０３と、凸部１２２の上面に形成されたＷＳｉソース電極１０５と、高濃度ｎ型ＧａＮ層１０２と電気的に接続されたＴｉ／Ａｌドレイン電極１０９と、凸部１２２の側面に接するように平坦部１２４の上に形成されたｐ型ＺｎＯ層１０６と、ｐ型ＺｎＯ層１０６の上に形成されたＮｉ／Ａｕゲート電極１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧対電流特性の線形性が改善された高性能の化合物半導体エピタキシャル基板、その製造方法およびその判定方法を提供する。
【解決手段】２次元キャリアガスを生成する化合物半導体１１４と、当該化合物半導体１１４にキャリアを供給するキャリア供給半導体１２０と、当該化合物半導体１１４と当該キャリア供給半導体１２０との間に配置され、キャリアの移動度を当該化合物半導体におけるキャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体１１６とを備える半導体基板。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）ＧａＮ層上にＧａＡｌＮを積層した構造である第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆する導電性材料と、（３）該導電性材料で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ型であるとともに、ゲート閾値電圧のばらつきが小さいＨＥＭＴ型のトランジスタを提供する。
【解決手段】このトランジスタは、ｐ型領域18と、チャネル領域20と、バリア領域22と、絶縁膜62と、ゲート電極64を備えている。チャネル領域20は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。バリア領域22は、第１チャネル領域の表面とヘテロ接合している。絶縁膜62は、第２チャネル領域の表面、及び、バリア領域の表面に接している。ゲート電極64は、絶縁膜62を介して第２チャネル領域及びバリア領域に対向している。第１チャネル領域と第２チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 （もっと読む）